C106系列:TO-126,TO-252

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陂江
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1 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅產品概況無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準 Product Model Reference & Naming 產品型號參考及型號命名 2A (Amperes) 產品型號列表種類區分型號對應電壓值 200V 400V 600V 800V 1000V 1200V 觸發電流單位 : 微安 TO-126 or TO-225AA 直插 TO-126 半封装 C106B C106D C106M C106N C106H C106G TO-126F 直插 TO-126 全封装 C106BF C106DF C106MF TO-252 or SOT428 贴片 TO-252(DPAK) 封装 C106BS C106DS C106MS C106NF C106HF C106GF C106NS C106HS C106GS I GT 200uA 即 0.2 ma 说明 Explain 已停产标准品种需定制暫無量產暫無量產暫無量產可代替的其它工业型号产品 MCR22-4D MCR22-6D MCR22-8D MCR22-10D MCR106-4 MCR106-6 MCR106-8 MCR GMCR708 MCR708A MCR708AT MCR708AT4 MCR714 MCR714A MCR714AT MCR714AT4 GMCR716 MCR716A MCR716AT MCR716AT4 MCR718 MCR718A MCR718AT MCR718AT4 G3P4J-Z 5P4J-Z 5P6J-Z CR5AS-8 CR5AS-12 SMG2D60D S2D60D SMG3D60C S3D6C GSMG5C60D S5C6D S2004DS1 S2004DS2 S4004DS1 S4004DS2 S2006DS2 S2006DS3 GS6004DS1 S6004DS2 T106B T106M T107B T107M H C 106 D S H: HAOHAI ELECTRONICS H : 深圳市浩海電子有限公司 H: HAOHAI 公司縮寫型號前綴字母 : 硅 : Silicon 控制 : Controlled 整流器 : Rectifier C 为 SCR 硅控制整流器即单向可控硅電流值表示 : 106 额定电流值 2A 說明 : 此規格爲特制小電流品種電壓值表示 : B=200V D=400V M=600V N=800V H=1000V=1KV G=1200V=1K2 封装形式表示 : 无后缀 : TO-126 半塑封无后缀 : 即 : TO-225AA F: TO-126F 全塑封 S: TO-252 表面貼 S: 即 : SOT428 DPAK PINNING: TO-126(TO-225AA CASE077);TO-252(SOT428 DPAK) TO-126 直插半塑封 SMD 貼片封裝 Pin Symbol Description Description SOT428 TO-126 Marking Pin Polarity Circuit Diagram 管腳排列對應極性極性名詞極性含義 TO-252 SMD TO-225AA 元件標識腳位與極性電路符號表示 1 K Cathode 阴極 G 2 A Anode 陽極 3 G Gate 門 - 控制極 4 A 4 mb mounting base 散熱片 K TO-252 表面貼, 元件標識可按客戶指定要求 2500Pcs/Rell, 2.5Kpcs/Box, 10Kpcs/Box TO-126 袋裝, 每袋 250 只, 每盒 5K, 每箱 50Kpcs TO-252: 1.10g/Pcs, 每枚元件净重 1.10 克 TO-126: 0.75g/Pcs, 每枚元件净重 0.75 克 =K= 阴极 2=A= 阳极 3=G= 门极 - 控制极 4=A=Tab=mb= 散热片注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn

2 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅規格參數無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準 ABSOLUTE RATINGs (Limiting Values) 额定值参数極限值 THERMAL RESISTANCES 熱阻絕緣電阻特徵 SYMBOL Signification in Symbol Test Conditions Value Unit 符號表示器件參數字母符號含義測試條件說明數值單位 I T(RMS) 通態電流均方值 : On-State RMS Current (Tc=80 ) 180 Conduction Angles 2 I T(AV) 通态平均电流 : Average On State Current (180 Conduction Angles, TC=80 C) 2.5 I TSM 通態浪湧電流 ( 通態不重複峰值電流 ): ½ 周期, 正弦波波, 不重复, 结温 110 度 Non-Repetitive Peak on-state Current (½ Cycle, Sine Wave, 60Hz, Tj=110 C) I GM 門極峰值電流 : Forward Peak Gate Current ((Pulse Width 1.0 sec, TC=80 C) 0.2 I 2 t 週期電流平方時間積 : Circuit Fusing Consideration (t=8.3ms) 1.65 A 2 ses di T / dt 通態臨界電流上升率 : Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (I GT 1~I GT 3) 50 V DRM / V RRM 斷態重復峰值電壓 : Repetitive peak off-state voltages 10 參考型號對照列表 200~1200 V GM 門極峰值電壓 : Peak gate voltage 5 V isol 引脚到外壳最大绝缘电压 : R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink --- P G(AV) 門極平均散耗功率 : Average gate power dissipation (Pulse Width 1.0 sec, TC=80 C) 0.1 P GM 門極最大峰值功率 : Peak gate power (Pulse Width 1.0 sec, TC=80 C) 5.0 T j 工作結溫 : Operating Junction Temperature Range (Rate VRRM & VDRM) -40 ~ +125 Tstg 貯存溫度 : Storage Temperature Range (In Free Air) -40 ~ +150 T L 引腳承受焊錫極限溫度 : Max.Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8" (From Case for 10 Seconds) 260 Rth(j-mb) 熱阻 - 結到外殼 : Thermal Resistance Junction to mounting base Full Cycle: 全波 3 Half Cycle: 半波 3.7 Rth(j-a) 熱阻 - 結到環境 : Thermal Resistance Junction to Ambient In Free Air 75 说明 /Explain: 电压 600V 以上规格品种需订制 A A/µs V W /W STATIC CHARACTERISTICS 静态特性 DYNAMIC CHARACTERISTICS 動態特性 SYMBOL 符號表示 I GT 門極觸發電流 (V AK =6Vdc, R L =100OΩ) I DRM I RRM Paramenter & Test Conditions 符號含義及參數測試條件說明反向阻断重复峰值电流 : IPeak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current (V AK =Rated V DRM or V RRM, R GK =1KΩ Value 数值 Min. Typ. Max. 最小值典型值最大值 Tj=+25 C Tj=-40 C Tj=+25 C Tj=+110 C Unit 單位 µa I H I L V GT 維持電流 : Holding Current IV D =12Vdc, I GT =20mA, Gate Open 最大接入電流 ( 闭锁 / 阻塞电流 ): Latching Current (V AK =12V, I GT =20mA Tj=+25 C Tj=-40 C Tj=+110 C Tj=+25 C Tj=-40 C 門極觸發電壓 : Gate trigger voltage Tj=+25 C (Continuous dc,(v AK =6Vdc,R L =100Ω) Tj=-40 C ma V TM 通態峰值電壓 : Peak Forward On-State Voltage I TM =4A V GRM 门极最高反向電壓 : Peak Reverse Gate Voltage I GR =10A V GD 門極不觸發電壓 :Gate Non Trigger Voltage(Continuous dc,v AK =12V,R L =100Ω,T J =110 C) 0.2 dv D / dt 斷態臨界電壓上升率 :Critical Rate of Rise of Off State Voltage (V AK =Rated V DRM, Exponential Waveform, R GK =1KΩ,TJ=110 C 8.0 V V/µs 注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. KKG@Product Data HC106 Series : TO-126/TO-225AA TO-252/SOT428/DPAK

2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅封裝信息無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準支持綠色環保! 該產品已實行無鉛制程封裝符合環保指令標準! PACKAGE MECHANICAL DATA(mm) TO-126(TO-225AA) 直插半塑封裝尺寸 ( 單位 : 毫米 ) 背面接焊點散熱片 DIM.

3 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅封裝信息無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準支持綠色環保! 該產品已實行無鉛制程封裝符合環保指令標準! PACKAGE MECHANICAL DATA(mm) TO-126(TO-225AA) 直插半塑封裝尺寸 ( 單位 : 毫米 ) 背面接焊點散熱片 DIM. 英寸單位 INCHES 毫米單位 MILLIMETERS 1:1 Min. Max. Min. Max. A B C D F G Bcs 2.93 Bsc H J K M 5 TYP. 5 TYP. Q R S U V 注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn

4 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅封裝信息無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準支持綠色環保! 該產品已實行無鉛制程封裝符合環保指令標準! PACKAGE MECHANICAL DATA(mm) TO-252(SOT428 DPAK) 片式表面貼封裝尺寸 ( 單位 : 毫米 ) 注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn

1: Average Current Derating I T(AV) AVERAGE

Maximum On State Power Dissipation I T(AV)

Typical Gate Trigger Current versus Junction

Typical Gate Trigger Voltage versus Junction

5 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅封裝信息無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準 I TSM (A) Fig. 1: Average Current Derating I T(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT(A) P D (W) Fig.2. Maximum On State Power Dissipation I T(AV) AVERAGE ON-STATE CURRENT (A) I GT (ua) Fig.3. Typical Gate Trigger Current versus Junction Temperature I H (ua) Fig.4. Typical Holding Current Versus Junction Temperature V GT (V) Figure 5. Typical Gate Trigger Voltage versus Junction Temperature I L (ua) Fig.6. Typical Latching Current Versus Junction Temperature 注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn

6 2A SCRs : 2A 系列高灵敏度单向可控硅联络信息無鉛産品提供 SGS 環保認證, 符合歐美環保指令標準深圳市浩海电子有限公司 SHENZHEN HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. ADD: 深圳市宝安区 25 区华丰商务大厦 A 座 A502~503 TEL: 公司电话总机八线 FAX: kkg@kkg.com.cn 注冊商標一仿冒必究 kkg@kkg.com.cn

BTA BW

BTA BW 产品特征 PNPN 四层结构硅芯片三象限三端双向可控硅开关双台面玻璃钝化工艺多层金属化电极提高瞬间浪涌电流承受力较高阻断电压较强抗电流冲击能力应用领域自动化电气设备交流 / 直流电源变换电加热控制无功补偿复合开关大功率路灯大功率捕鱼器电机马达调速控制电路 TO-247S TO-247AA Super-247 QUICK REFERENCE 參考特性産品型號工業型號通態電流均方值斷態重復峰值電壓