Microsoft Word - JW1130H Datasheet_R1.53_CN_

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慎阮
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1 2A Peak, 44V Multi-Topology LED Driver Parameters Subject to Change Without Notice 描述 JW 1130H 是一个单片集成的电流模式控制的 LED 驱动器, 支持模拟调光和 PWM 调光采用高压侧 LED 电流检测模式, 可以配置成 Buck boost buck-boost 拓扑以满足不同规格 LED 驱动的需要内部集成的 44V/2A N-MOSFET 确保芯片高效率运行轻载时, 通过降低频率以维持高效率芯片集成 SW 过压锁定保护, 有效实现 LED 开路保护 ; 集成过温保护, 增强芯片的可靠性提供 SOT23-6 和 ESOP8 两种封装, 所需外围元器件简单, 成本低 Company s Logo is Protected, JW and JOULWATT are Registered 特点 4.6V ~ 44V 输入电压输出 2A 峰值开关电流模拟调光和 PWM 调光恒关断时间控制 SW 过压锁定保护过温保护 SOT23-6 和 ESOP8 封装应用 LED 驱动 Trademarks of technology Inc. 典型应用 Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 1

2 订货信息 Notes: 器件 1) 封装形式丝印 2) SOTB#TRPBF SOT23-6 JWB7X YWLLL ESOP#TRPBF ESOP8 YWLLLLL 管脚排列图俯视图极限参数 1) VIN, EN/DIM, SW 管脚电压 V to 48V ISP, ISN 管脚电压 V to48v ISP - ISN V to6v 结温 2) 3)...150ºC 管脚温度...260ºC 贮存温度 ºC to +150ºC 推荐工作范围 SW GND 电压...3.3V to 44V 工作结温...-40ºC to 125ºC 热阻热阻 4) θ JA θ JC SOT ºC/W ESOP ºC/W Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 2

3 Note: 1) 最大极限值是指超出该工作范围, 芯片有可能损坏 2) 保证了结温从 -40 C 到 150 C 的鲁棒性. 结温范围的规格是由在过程控制中的表征统计确定的 3) 含有热保护, 目的是保护过载情况下的器件当结温超过最大结温时热保护启用当结温超过最大结温时热保护启用在指定的最大结温在指定的最大结温范围之外范围之外连续操作会损坏器件 4) 以上参数在 JESD51-7,4-layer PCB 测得 Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 3

4 电气参数 V IN = 12V, T A = 25ºC, 除非特别说明. 参数 Note: 5) 由设计分析保证符号测试条件最小值典型值最大值 V IN 欠压锁定阈值 V IN_MIN V IN 上升 V V IN 欠压锁定迟滞电压 V IN_MIN_HYST mv 关断电流 I SD V EN/DIM =0V 3 µa 静态电流 I Q V EN/DIM =5V, V FB=2V µa LED 电流采样电压 (ISP-ISN) I LED V EN/DIM =5V mv 内置 MOS 导通电阻 R DS(ON)B 200 mω EN/DIM 欠压锁定阈值 V EN/DIM_TH V EN/DIM 上升 1.2 V EN 欠压锁定迟滞电压 V EN/DIM_HYST 100 mv EN/DIM 输入低电平 V EN/DIM_PLOW PWM 调光 0.3 V EN/DIM 输入高电平 V EN/DIM_PHIGH PWM 调光 3 V EN/DIM 模拟调光低阈值 V EN/DIM_ALOW 模拟调光 1.2 V EN/DIM 模拟调光高阈值 V EN/DIM_AHIGH 模拟调光 2.4 V SW 过压锁定阈值 V SW_TH V 限流 5) I LIMIT 2.3 A 恒定关断时间 T OFF` 2 µs 5) 过温保护阈值 T TSD 140 C 过温保护迟滞 T TSD_HYST 15 C 单位 Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 4

5 管脚说明管脚号 SOT23-6 名称 1 SW SW 是开关节点, 连接电感到此管脚 2 GND 地描述 3 EN/DIM EN/DIM 管脚电压高于 1.1V 芯片可以开始工作, 通过 PWM 脉冲或者 1.2V-2.4V 的模拟电压驱动 EN/DIM 管脚可以达到调光的效果 4 ISN LED 电流采样负极. 在 ISP 管脚和 ISN 管脚之间连接一个电阻用于设置 LED 电流 5 ISP LED 电流采样正极 6 VIN 输入电压管脚, 为 IC 供电内部框架 ISP ISN + Error Amplifier - SW + Current Sensor EN/DIM DIMMING Current Comparator - Logic Control Driver - 3.3V VIN 3.3V LDO GND Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 5

6 典型工作特性除另有说明稳态 Vin = 12V, Io = 350mA, L = 22µH, 7 LEDs Load, TA = +25 C, 除另有说明模拟调光 PWM 调光 ILEDVs EN/DIM Voltage Duty cycle Vs Output Current EN/DIM 启动启动 EN/DIM 关断关断开路 Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 6

7 功能描述是一个单片集成的电流模式控制的 LED 驱动器, 可以配置成 Buck boost buck-boost 拓扑以满足不同 LED 驱动的需要电流模式控制重载时, 采用恒关断时间控制模式 ; 轻载时, 通过延长关断时间以减少芯片的功耗, 维持高效率调光 EN/DIM 管脚兼容模拟调光和 PWM 调光模拟调光的电压范围为 1.2V ~ 2.4V, 其对应的 LED 电流采样电压范围为 0~200mV. 如下调光曲线所示过温保护集成过温保护功能, 当芯片温度高于 140 C 时, 热保护关断, 且当温度降到 130 C 以下时热保护恢复 Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 7

8 应用指导 LED 电流设置输出电流由连接在 ISP 与 ISN 之间的采样电阻 Rsense 决定, 输出电流计算公式如下 : R = sense 200mV I LED 例如, ILED = 1A, Rsense=200mΩ. 模拟调光 EN/DIM 管脚加 1.2V~2.4V 的直流电压以控制输出电流, 并且 DIM 电压与输出电流成比例 PWM 调光当处于 PWM 调光时,LED 电流与 PWM 脉冲的占空比成比例输入电容器输入电容用于减小输入电源产生的浪涌电流, 维持直流输入电压输入电容器可以是电解电容钽介质电容器陶瓷电容如果使用电解电容, 为了减小开关噪声, 推荐将一颗小容值 ( 如 0.1µF) X5R 或者 X7R 的陶瓷电容放在尽可能靠近 IC 的输入端通常情况下可以只采用一颗 10µF 陶瓷电容输出电容器输出电容用来维持直流输出电压, 并且电容值决定了输出纹波电压它可以是低 ESR 电解电容, 钽介质电容器陶瓷电容输出电容也影响着系统的稳定性和瞬态响应, 推荐采用一颗 22µF 的陶瓷电容电感电感用于提供恒定的输出电流, 并且电感值决定了输出纹波电流, 还会影响效率和输出电压纹波纹波电流通常被设计在最大开关电流的 30% 以内重载时, 工作于恒关断时间控制模式, 电感计算公式如下 : 其中, Toff 是 MOSFET 的关断时间 ; ΔI: 电感纹波电流. 电感量确定后, 开启时间可通过以下公式计算 : 频率的计算公式 : 为了得到更高的效率, 推荐采用低直流电阻的电感 SW 吸收电路当功率回路或走线寄生电感较大, 当内部 MOS 关断时,SW 管脚有较大的电压尖峰, 从而导致误触发芯片的过压保护, 甚至导致内部 MOS 出现过压击穿的失效建议在 SW 到 GND 之间就近并联一个 MLCC 电容, 例如 1nF/50V, 作为抑制 SW 上出现的电压过冲的吸收电路 PCB 设计 L ( V OUT V IN ) t off f PCB 在不同的拓扑应用时需要不同的 PCB 布局优化 1. 输入去耦电容应紧靠的 VIN 管脚和 PGND 管脚, 用以消除噪音干扰输入电容和 GND 形成的回路面积尽量小 2. LED 电流采样引脚的布线尽量远离电感, 并将采样电阻尽可能的靠近芯片, 以减小走线上的压降, 保证输出电流精度 3. PCB 的焊盘应尽可能的大可以更好的散热 I ton L I V IN V IN t off V OUT Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 8

9 参考设计升压 LED 驱动应用 : 降压 LED 驱动应用 : Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 9

10 升降压 LED 驱动应用 : Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 10

11 封装外形图 SOT23-6 UNIT: mm Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 11

12 ESOP8 Unit:mm Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 12

13 重要声明杰华特微电子杭州微电子杭州有限公司保留不发布通知而对该产品和服务随时进行更改, 补充, 改进和其它变动的权利用户敬请在购买产品之前获取最新的相关信息并核实该信息是最佳的和完整的所有产品在订单确认后将遵从杰华特微电子杭州微电子杭州有限公司的销售条例进行销售有限公司的销售条例进行销售本资料内容未经杰华特微电子杭州微电子杭州有限公司许可, 严禁以其它目的加以转载或复制等对于未经销售部门咨询使用本产品而发生的损失, 杰华特微电子杭州微电子杭州有限公司不承担其责有限公司不承担其责 Copyright 2015 Incorporated. All rights are reserved by Joulwatt Technology Inc. Rev.1.53 Proprietary Information. Patent Protected. 13

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untitled 0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655