数据表 / Datasheet FF3MR12KM1
|
|
- 托诰 卞
- 1 years ago
- Views:
Transcription
1 62mmC-Series 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC TrenchMOSFET / VDSS = 12V ID nom = 375A / IDRM = 75A 潜在应用 PotentialApplications DC/DC 变换器 DC/DCconverter UPS 系统 UPSsystems 太阳能应用 Solarapplications 高频开关应用 HighFrequencySwitchingapplication 电气特性 ElectricalFeatures 低开关损耗 Lowswitchinglosses 高电流密度 Highcurrentdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.
2 MOSFET/MOSFET 最大额定值 /MaximumRatedValues 漏源极电压 Drain-sourcevoltage 直流漏极电流 DCdraincurrent 脉冲漏极电流 Pulseddraincurrent 栅源峰值电压 Gate-sourcevoltage VDSS 12 V Tvj = 175 C, VGS = 15 V TC = 8 C ID nom 375 A 经设计验证,tp 由 Tvjmax 限定 verifiedbydesign,tplimitedbytvjmax ID pulse 75 A VGSS -1 / 2 V 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 漏源通态电阻 Drain-sourceonresistance ID = 375 A VGS = 15 V RDS on 2,83 3,92 4,33 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage 总的栅极电荷 Totalgatecharge 内部栅极电阻 Internalgateresistor 输入电容 Inputcapacitance 输出电容 Outputcapacitance 反向传输电容 Reversetransfercapacitance ID=168mA,VDS=VGS,Tvj=25 C (testedafter1mspulseatvgs=+2v) mω VGS(th) 3,45 4,5 5,15 V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 8 V QG 1, µc RGint 1, Ω f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V f = 1 MHz, VDS = 25 V, VGS = V COSSstoredenergy VDS = 25 V, VGS = -5 V / 15 V 零栅电压漏极电流 Zerogatevoltagedraincurrent 栅极漏电流 Gate-sourceleakagecurrent 开通延迟时间 ( 电感负载 ) Turnondelaytime,inductiveload 上升时间 ( 电感负载 ) Risetime,inductiveload 关断延迟时间 ( 电感负载 ) Turnoffdelaytime,inductiveload 下降时间 ( 电感负载 ) Falltime,inductiveload 开通损耗 ( 每脉冲 ) Turn-onenergylossperpulse 关断损耗 ( 每脉冲 ) Turn-offenergylossperpulse 结 - 外壳热阻 Thermalresistance,junctiontocase 外壳 - 散热器热阻 Thermalresistance,casetoheatsink 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditions Ciss 29,8 nf Coss 1,65 nf Crss,227 nf Eoss 66 µj VDS = 12 V, VGS = -5 V IDSS 5,4 52 µa VDS = V ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,6 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,6 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V, Lσ = 1 nh di/dt = 7,5 ka/µs () VGS = -5 V / 15 V, RGon = 4,3 Ω ID = 375 A, VDS = 6 V, Lσ = 1 nh du/dt = 7,67 kv/µs () VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,6 Ω VGS = 2 V VGS = -1 V IGSS td on tr td off tf Eon Eoff 79,4 71,6 71, ,3 6,4 6,4 51,5 46,8 46,8 18,5 16, 16, 13, 13,5 13,5 每个 MOSFET/perMOSFET RthJC,113 K/W 每个 MOSFET/perMOSFET λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) 4 na ns ns ns ns mj mj RthCH,32 K/W Tvj op C Bodydiode 最大额定值 /MaximumRatedValues DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175 C, VGS = -5 V TC = 8 C ISD 12 A 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 正向电压 ISD = 375 A, VGS = -5 V 4,6 5,65 Forwardvoltage ISD = 375 A, VGS = -5 V ISD = 375 A, VGS = -5 V VSD 4,35 4,3 V Datasheet 2 V2.
3 模块 /Module 绝缘测试电压 Isolationtestvoltage 模块基板材料 Materialofmodulebaseplate 内部绝缘 Internalisolation 爬电距离 Creepagedistance 电气间隙 Clearance 相对电痕指数 Comperativetrackingindex 相对温度指数 ( 电 ) RTIElec. 杂散电感, 模块 Strayinductancemodule 模块引线电阻, 端子 - 芯片 Moduleleadresistance,terminals-chip 储存温度 Storagetemperature 模块安装的安装扭距 Mountingtorqueformodulmounting 端子联接扭距 Terminalconnectiontorque 重量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 4, kv 基本绝缘 (class1,iec6114) basicinsulation(class1,iec6114) 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal 住房 housing Cu Al2O3 29, 23, 23, 11, CTI > 4 mm mm RTI 14 C min. typ. max. LsCE 2 nh TC=25 C, 每个开关 /perswitch RCC'+EE',475 mω 螺丝 M6 根据相应的应用手册进行安装 ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 螺丝 M6 根据相应的应用手册进行安装 ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg C M 3, 6, Nm M 2,5-5, Nm G 34 g Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.
4 输出特性 MOSFET( 典型 ) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 输出特性 MOSFET( 典型 ) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) Tvj=15 C VGS = 19 V VGS = 17 V VGS = 15 V VGS = 13 V VGS = 11 V VGS = 9 V VGS = 7 V ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VDS [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VDS [V] 传输特性 MOSFET( 典型 ) transfercharacteristicmosfet(typical) ID=f(VGS) VDS=2V 栅极电荷特性 MOSFET( 典型 ) gatechargecharacteristicmosfet(typical) VGS=f(QG) VDS=8V,ID=375A,Tvj=25 C VGS [V] VGS [V] QG [nc] Datasheet 4 V2.
5 电容特性 MOSFET( 典型 ) capacitycharacteristicmosfet(typical) C=f(VDS) VGS=V,Tvj=25 C,f=1MHz 开关损耗 MOSFET( 典型 ) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/+15V,RGon=4,3Ω,RGoff=3,6Ω,VDS=6V 1 Ciss Coss 35 Eon:, Eoff:, Crss C [nf] E [mj] ,1, VDS [V] 开关损耗 MOSFET( 典型 ) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/+15V,ID=375A,VDS=6V 反偏安全工作区 MOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareamosfet(rbsoa) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,RGoff=3,6Ω,VDS=6V,Tvj=15 C Eon:, Eoff:, ID: Modul ID: Chip E [mj] RG [Ω] VDS [V] Datasheet 5 V2.
6 瞬态热阻抗 MOSFET transientthermalimpedancemosfet ZthJC=f(t) 1,1 ZthJC [K/W],1 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,885,317 2,612,286 3,341,115 4,885 1,12,1,1,1,1 1 1 t [s] Datasheet 6 V2.
7 接线图 /Circuitdiagram 封装尺寸 /Packageoutlines Infineon Datasheet 7 V2.
8 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 22InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? 重要提示 本文档所提供的任何信息绝不应当被视为针对任何条件或者品质而做出的保证 ( 质量保证 ) 英飞凌对于本文档中所提及的任何事例 提示或者任何特定数值及 / 或任何关于产品应用方面的信息均在此明确声明其不承担任何保证或者责任, 包括但不限于其不侵犯任何第三方知识产权的保证均在此排除 此外, 本文档所提供的任何信息均取决于客户履行本文档所载明的义务和客户遵守适用于客户产品以及与客户对于英飞凌产品的应用所相关的任何法律要求 规范和标准 本文档所含的数据仅供经过专业技术培训的人员使用 客户自身的技术部门有义务对于产品是否适宜于其预期的应用和针对该等应用而言本文档中所提供的信息是否充分自行予以评估 如需产品 技术 交付条款和条件以及价格等进一步信息, 请向离您最近的英飞凌科技办公室接洽 ( 警告事项 由于技术所需产品可能含有危险物质 如需了解该等物质的类型, 请向离您最近的英飞凌科技办公室接洽 除非由经英飞凌科技授权代表签署的书面文件中做出另行明确批准的情况外, 英飞凌科技的产品不应当被用于任何一项一旦产品失效或者产品使用的后果可被合理地预料到可能导致人身伤害的任何应用领域 IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.
数据表 / Datasheet F4-23MR12W1M1_B11
EasyPACK 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyPACK modulewithcoolsic TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter
More information数据表 / Datasheet FF11MR12W1M1_B11
EasyDUAL 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter
More information数据表 / Datasheet 2A75HB12C1U
CES = IC nom = 7A / ICRM = A 典型应用 工业焊机 TypicalApplications Welding 电气特性 低开关损耗 Tvjop= C 超快速IGBT芯片 ElectricalFeatures Lowswitchinglosses Tvjop= C UltrafastIGBTchips 机械特性 铜基板 标准封装 MechanicalFeatures Copperbaseplate
More information数据表 / Datasheet DD250S65K3
EN: This Datasheet is presented by the manufacturer. Please visit our website for pricing and availability at www.hest ore.hu. 高绝缘等级模块 highinsulatedmodule VCES = 6500V IC nom = 250A / ICRM = 500A 潜在应用
More informationDD500S65K3 高绝缘等级模块 highinsulatedmodule VCES = 6500V IC nom = 500A / ICRM = 1000A 潜在应用 PotentialApplications 中压变流器 Mediumvoltageconverters 牵引变流器 Tracti
高绝缘等级模块 highinsulatedmodule VCES = 65V IC nom = 5A / ICRM = 1A 潜在应用 PotentialApplications 中压变流器 Mediumvoltageconverters 牵引变流器 Tractiondrives 机械特性 MechanicalFeatures 加强绝缘封装,1.4kV 交流 1 第二 Package with enhanced
More information数据表 / Datasheet 2A300HB12C2F
VCES = 2V IC nom = 3 / ICRM = 6 典型应用 Typicalpplications 电机传动 Motordrives 电气特性 ElectricalFeatures 低开关损耗 Lowswitchinglosses Tvjop=5 C Tvjop=5 C 机械特性 MechanicalFeatures 铜基板 Copperbaseplate ModuleLabelCode
More information数据表 / Datasheet DD1000S33HE3
IHM-B 模块 IHM-Bmodule VCES = 3300V IC nom = A / ICRM = 2000A 典型应用 TypicalApplications 中压变流器 Mediumvoltageconverters 电机传动 Motordrives 牵引变流器 Tractiondrives UPS 系统 UPSsystems 风力发电机 Windturbines 电气特性 ElectricalFeatures
More information数据表 / Datasheet FF300R12KT4P
62mmC-Series 模块 采用第四代高速沟槽栅 / 场终止 IGBT 和 HE 型发射极控制二极管 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode / VCES = V IC nom = A / ICRM = A 典型应用 TypicalApplications 大功率变流器 Highpowerconverters
More informationF3L2R2N2H3_B47 IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 集电极电流 Implementedcollectorcurrent 连续集电极直流电流 Con
F3L2R2N2H3_B47 EconoPACK 2 模块 采用第二类中点钳位拓扑 (NPC2) 带有温度检测 NTC EconoPACK 2modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandNTC VCES = 2V IC nom = 5A / ICRM = 3A 潜在应用 PotentialApplications UPS 系统 UPSsystems
More information数据表 / Datasheet FZ1000R33HE3
IHM-B 模块 采用第三代高速沟槽栅 / 场终止 IGBT 和第三代发射极控制二极管 IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = A / ICRM = A 典型应用 TypicalApplications 斩波应用 Chopperapplications 中压变流器 Mediumvoltageconverters
More information数据表 / Datasheet FF300R12ME4P_B11
FF3R12ME4P_B11 EconoDUAL 3 模块 采用第四代沟槽栅 / 场终止 IGBT4 和 HE 型发射极控制二极管带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC/TIM EconoDUAL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC/ TIM VCES = 12V IC nom
More information数据表 / Datasheet FF450R12ME4E_B11
EconoDUAL 3 模块 采用第四代沟槽栅 / 场终止 IGBT4 和 HE 型发射极控制二极管带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EconoDUAL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC VCES = 12V IC nom = 45A / ICRM = A 潜在应用
More information数据表 / Datasheet F3L75R12W1H3_B27
J CES = 2 IC nom = 75 / ICRM = 5 典型应用 Typicalpplications 三电平应用 3-level-applications 太阳能应用 Solarapplications 电气特性 ElectricalFeatures 高速 IGBTH3 HighspeedIGBTH3 低电感设计 Lowinductivedesign 低开关损耗 Lowswitchinglosses
More information数据表 / Datasheet FF300R17KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage
More information技术信息 /TechnicalInformation IGBT- 模块 IGBT-modules DF400R12KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewitht
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlleddiode IGBT, 制动 - 斩波器 /IGBT,Brake-Chopper 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 -
More information数据表 / Datasheet FF300R12KT4
62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT4undundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlledDiode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值
More information数据表 / Datasheet FZ600R12KS4
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage
More information技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData IGBT,逆变器/IGBT,Inverter 最大额定值/MaximumRatedalues 集电极 发射极电压 Collector-emittervoltage CES 连续集电极直流电流
技术信息/TechnicalInformation AHB7CL 初步数据/PreliminaryData CES = 7 IC nom = A / ICRM = A 典型应用 中压变流器 TypicalApplications MediumoltageConverters 电气特性 低CEsat Tvjop= C ElectricalFeatures LowCEsat Tvjop= C 机械特性
More information数据表 / Datasheet FF300R12KE4
FF3R2KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlledDiode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues
More information数据表 / Datasheet FF300R12KS4
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage
More information技术信息 /TechnicalInformation IGBT- 模块 IGBT-modules FZ2400R17KE3 IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage
IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation 栅极 -
More information数据表 / Datasheet FF200R12KE3
FF2R2KE3 IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FD1200R17KE3-K_B2
FDR7KE3-K_B2 IGBT, 制动 - 斩波器 /IGBT,Brake-Chopper 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FS75R12KS4
FSRKS IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FZ1200R33KF2C
IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedalues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation 栅极 - 发射极峰值电压
More information数据表 / Datasheet FF150R12KS4
62mmC-Series 模块 采用第二高速 IGBT 和碳化硅二极管针对高频应用 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = V IC nom = / ICRM = 典型应用 Typicalpplications 高频开关应用 HighFrequencySwitchingpplication 医疗应用 Medicalpplications
More information数据表 / Datasheet FD600R17KE3-K_B5
IGBT, 制动 - 斩波器 /IGBT,Brake-Chopper 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FF300R12MS4
EconoDUL 3ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten EconoDUL 3modulewithfastIGBTforhighswitchingfrequency IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流
More information数据表 / Datasheet FF200R33KF2C
FFR33KF2C IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedalues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FS450R17KE4
FS45R17KE4 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT4undEmitterControlled³Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled³diode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 -
More information数据表 / Datasheet FF225R12ME4
EconoDUL 3 模块 采用第四代沟槽栅 / 场终止 IGBT4 和 HE 型发射极控制二极管 带有温度检测 NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 2V IC nom = 225 / ICRM = 45 典型应用 Typicalpplications 电机传动 MotorDrives
More information数据表 / Datasheet FF450R12ME4
EconoDUL 3 模块 采用第四代沟槽栅 / 场终止 IGBT4 和 HE 型发射极控制二极管 带有温度检测 NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 12V IC nom = / ICRM = 典型应用 Typicalpplications 电机传动 MotorDrives
More information数据表 / Datasheet FS450R12KE3
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极
More informationDatasheet / Datenblatt FD400R33KF2C-K
IGBT, 制动 - 斩波器 /IGBT,Brake-Chopper 最大额定值 /MaximumRatedalues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FF600R12IS4F
PrimePACK 2模块采用第二代高速IGBT和碳化硅二极管针对高频应用带有温度检测NTC PrimePACK 2modulewithfastIGBT2andSiCDiodeforhighfrequencyswitchingandNTC / VCES = 2V IC nom = A / ICRM = 2A 典型应用 高频开关应用 医疗应用 TypicalApplications HighFrequencySwitchingApplication
More information数据表 / Datasheet FF450R06ME3
EconoDUL 3 模块 采用第三代沟槽栅 / 场终止 IGBT3 和第三代发射极控制二极管 带有温度检测 NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = V IC nom = / ICRM = 典型应用 Typicalpplications 大功率变流器 HighPowerConverters
More information数据表 / Datasheet FS200R12KT4R
/ VCES = V IC nom = / ICRM = 典型应用 Typicalpplications 电机传动 MotorDrives 伺服驱动器 ServoDrives 电气特性 ElectricalFeatures 低 VCEsat LowVCEsat 沟槽栅 IGBT4 TrenchIGBT4 Tvjop=5 C Tvjop=5 C 机械特性 MechanicalFeatures 低热阻的三氧化二铝
More information数据表 / Datasheet FF600R06ME3
FF6R6ME3 EconoDUL 3 模块 采用第三代沟槽栅 / 场终止 IGBT3 和第三代发射极控制二极管 带有温度检测 NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = 6V IC nom = 6 / ICRM = 典型应用 Typicalpplications 大功率变流器
More information数据表 / Datasheet FS10R12VT3
FSRVT3 IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More informationDatasheet / Datenblatt FZ1200R17HP4
IHM-B 模块 采用软特性的沟槽栅 IGBT IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 2A / ICRM = A 典型应用 TypicalApplications 大功率变流器 HighPowerConverters 电机传动 MotorDrives 电气特性 ElectricalFeatures 提高工作结温
More information数据表 / Datasheet FZ1500R33HE3
IHM-B 模块 采用第三代高速沟槽栅 / 场终止 IGBT 和第三代发射极控制二极管 IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = 5A / ICRM = A 典型应用 TypicalApplications 斩波应用 ChopperApplications 中压变流器 MediumoltageConverters
More information数据表 / Datasheet FP40R12KT3G
IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation 栅极 -
More information数据表 / Datasheet FP50R12KT3
FP5RKT3 IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedValues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation
More information数据表 / Datasheet FP35R12W2T4_B11
EasyPIM 2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EasyPIM 2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedalues 集电极
More information数据表 / Datasheet FP15R12W1T4_B11
IGBT, 逆变器 /IGBT,Inverter 最大额定值 /MaximumRatedalues 集电极 - 发射极电压 Collector-emittervoltage 连续集电极直流电流 ContinuousDCcollectorcurrent 集电极重复峰值电流 Repetitivepeakcollectorcurrent 总功率损耗 Totalpowerdissipation 栅极 - 发射极峰值电压
More informationCHF300R12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能
CHFR12KC3 SiC MOSFET 功率模块 初步资料 特点 : 低导通电阻 低电容 耐雪崩能力强 更高的系统效率 高温应用 高频率工作 适合并联 无卤, 符合 RoHS 规定 应用 : SMPS / UPS / PFC 充电桩 & 电机驱动 功率逆变器 & DC/DC 变换器 太阳能 / 风能 最大额定值 (TC=25 除非有规定 ) VDSmax 漏极 - 源极间最大电压 1 V VGSmax
More informationN-沟道功率MOS管/ N-CHANNEL POWER MOSFET SIF830
特点 : 热阻低导通电阻低栅极电荷低, 开关速度快输入阻抗高 符合 RoHS 规范 FEATURES FEATURES: LOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO IMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE 应用 : 低压高频逆变电路续流电流保护电流 APPLICATION:
More informationMicrosoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc
Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
More information江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip
DG20N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG20N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
More information江苏东晨电子科技有限公司 JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 A 产品概述 General Descrip
DG12N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号 201603-A 产品概述 General Description DG12N60 是 N 沟道增强型场效应晶体管, 应用了东晨电子的相关专利技术, 采用自对准平面工艺及先进的终端耐压技术, 降低了导通损耗, 提高了开关特性, 增强了雪崩耐量 该产品能应用于多种功率开关电路, 使得电源能效更高,
More informationHTN7G27S010P
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HT647PL 封装 :H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备 各类核磁共振仪器 粒子加速器
More informationSB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
More information绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 28.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 85mΩ Qg-typ 103nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
More information页边距:上3
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.27Ω Qg-typ 50nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
More information绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current -pul
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.15Ω Qg-typ 27.5nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
More informationTONE RINGER
4A 700V N 沟道增强型场效应管 描述 SVF4N70F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 特点 4A,700V,R
More information绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 数值 Value 项 目 符号 C 单位 Parameter Symbol S F Unit 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Current -
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 18.0A 封装 Package VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=10V) 0.18Ω Qg-typ 47nC N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies
More information绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项 目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流 ( 注 1) Drain Current - pu
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 90pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 16A 100
More informationMCU产品规格书
2A 600V N 沟道增强型场效应管 描述 60CN/NF/M/MJ/F/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器, 高压 H 桥 PWM 马达驱动 2 3.
More information页边距:上3
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V) Qg-typ 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 7.0 A 600 V 1.3Ω 32 nc APPLICATIONS High frequency switching mode power supply
More informationMicrosoft Word - HTN7G21P160H_V1.0.docx
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 为通信基站应用设计开发的宽带射频功率晶体管 为适应 Doherty 类功放应用增强了负栅压极限 提供 VBW 改善外接引脚 为适应预失真系统的优化设计 方便功放设计的内匹配设计 增强鲁棒性设计 优异的热稳定性 符合 ROHS 规范 HTN7G21P160H 封装 :H2110S-6L 2. 产品应用 GSM EDGE CDMA W-CDMA TD-SDMA
More informationApplication Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000
More information绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) 项目 Parameter 最高漏极 - 源极直流电压 Drain-Source Voltage 数值 Value 符号 V/R S/B/C F 单位 Symbol Unit V DSS 200 V 连续漏极电流 Drain Curr
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max (@Vgs=0V) 0.4Ω Qg-typ 22nC 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 产品特性 低栅极电荷 低 C rss ( 典型值 22pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt
More informationRP7900 Series Regenerative Power System - Data Sheet
RP7900 RP7931A - RP7936A (200/208 VAC) RP7941A - RP7946A (400/480 VAC) RP7951A - RP7953A (200/208 VAC) RP7961A - RP7963A (400/480 VAC) 12V / HEV/EV 300V RP7900 Keysight RP7900 3U RP7900 950 V 800 A 10
More information<4D F736F F D20B2CECAFDB7FBBAC5BBE3D7DC2E646F63>
Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV) Average
More information4.进度控制(网络计划)0.ppt
全 国 建 筑 类 执 业 资 格 考 试 共 性 案 例 进 度 控 制 网 络 计 划 1 网 络 计 划 常 用 的 工 程 网 络 计 划 类 型 双 代 号 网 络 计 划 双 代 号 时 标 网 络 计 划 单 代 号 网 络 计 划 A 4 B 单 代 号 搭 接 网 络 计 划 1 D 2 4 C 2 E 5 双 代 号 5 F 2 G 4 2 6 1 工 作 A 4 D 2 4 B
More informationSlide 1
egan FET 昂首阔步前进 采用氮化镓场效应晶体管 (egan FET) 的 无线电源传送解决方案 宜普电源转换公司 www.epc-co.com.cn 1 议题 无线电源拓扑概述 每种拓扑所取得的无线电源结果 总结 www.epc-co.com.cn 2 概述 输出功率 < 30 W 松散耦合 根据 A4WP 标准的 6.78 MHz(ISM 频带 ) 探讨不同的拓扑 : D 类放大器 ( 电流及电压模式
More information额定规格 / 性能 单相 标准认证 UL CSA. NO. EN-- 额定规格输入 环境温度 项目电压电平额定电压使用电压范围输入电流型号动作电压复位电压 - B ma 以下 DC~V DC.~V DC.V 以下 DC.V 以上 - BL ma 以下 输出 项目 * 根据环境温度的不同而不同 详情请
加热器用固态继电器 单相 CSM_-Single-phase_DS_C 带纤细型散热器的一体式小型 SSR 备有无过零触发型号, 用途广泛 符合 RoHS 标准 包含无过零触发型号, 产品线齐全 输出回路的抗浪涌电压性能进一步提高 根据本公司的试验条件 小型 纤细形状 除了 DIN 导轨安装, 还可进行螺钉安装 获取 UL CSA EN 标准 TÜV 认证 请参见 共通注意事项 种类 关于标准认证机型的最新信息,
More informationESD.xls
Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)
More informationFGH40T65SPD 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
FGHT65SPD 65 V A 场截止沟道 IGBT 特性 最大结温 :T J =75 C 正温度系数, 易于并联运行 高电流能力 低饱和电压 :V CE(sat) =.85 V ( 典型值 ) @ I C = A 高输入阻抗 快速开关 紧密的参数分布 符合 RoHS 标准 短路耐用性 > 5 μs @ 25 C E C G 概述 飞兆半导体的场截止第 3 代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT
More information非对称型 IGCT 器件产品数据手册 Product Datasheet 版本 :201611( 预研 ) Asymmetric IGCT Device 关键参数 Key Parameters 应用 Applications V DRM 4500 V 直流断路器 DC hybrid circuit
非对称型 IGCT 器产品数据手册 Product Datasheet 版本 :21611( 预研 ) Asymmetric IGCT Device 关键参数 Key Parameters 应用 Applications V DRM 45 V 直流断路器 DC hybrid circuit breaker I TGQM 8 A 脉冲功率电源 Pulsed power application I TSM
More information组合同轴电缆 CK 059/H2F10:RG59BX + 2 x 0.75mm x 0.5mm 2 结构 PVC PE PVC 2 2 PVC 3 3 内导体 1 铜包钢 (CCS) 0.58 mm 绝缘 低密度 PE Φ3.70 ± 0.10 mm 外导体 ( 屏蔽 ) 裸铜 180
组合同轴电缆 CK 059/H2F10:RG59BX + 2 x 0.75mm 2 + 10 x 0.5mm 2 PVC PE PVC 2 2 PVC 3 3 内导体 1 铜包钢 (CCS) 0.58 mm 绝缘 低密度 PE Φ3.70 ± 0.10 mm 外导体 ( 屏蔽 ) 裸铜 180 x 0.10 mm 屏蔽覆盖率 94% 护套 PVC Φ6.20 ± 0.10 mm 内导体 2 裸铜 2x
More informationSpecification of the 13.56MHz RFID card reader/writer
Specification of the 13.56MHz RFID card reader/writer 3.1 RFID RFID card...4 3.2 13.56MHz RFID 13.56MHz RFID card reader/writer...4 4.1...4 4.2...7 4.3...7 4.4...7 4.5...8 4.6...8 4.7...9 4.8...9 4.9...9
More informationPowerPoint 프레젠테이션
为客户提供高可靠性的新一代 MOSFETs (CoolMOS OptiMOS) Super-Semi SJ-MOSFET & Super-Gate-Trench MOSFET Introduction - 上海超致半导体 Shanghai Super Semiconductor Company Limited. 2017 version 超致半导体公司简介 超致半导体有限公司公司成立于 2013 年初
More informationMicrosoft Word - SDWL-C series.doc
绕线片式陶瓷电感 SDWL-C 系列 Wire Wound Chip Ceramic Inductor-SDWL-C Series Operating Temp. : -40 ~ +125 特征 小尺寸, 可表面贴装 陶瓷材料具有高 Q 值 高 高精度 高可靠性用途 通讯设备的高频线路 移动电话如 GSM/CDMA/PDC 等制式 蓝牙, 无线网 FEATURES Small chip suitable
More informationMICROCHIP EVM Board : APP APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pi
MICROCHIP EVM Board : APP001 1-1. APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pin 16 I/O Extension Interface 1-2. APP001 Block_A Block_B
More information德阳市教育局2016年预算公开表0217.xls
表 1 收 支 预 算 总 表 收 入 支 出 2016 年 预 算 2016 年 预 算 一 当 年 财 政 拨 款 收 入 37443.97 一 工 资 及 福 利 支 出 21200.79 二 教 育 收 费 收 入 2746.42 二 商 品 和 服 务 支 出 2344.09 三 事 业 收 入 0 三 对 个 人 和 家 庭 的 补 助 支 出 2049.85 四 事 业 单 位 经 营
More informationHTN7G27S010P
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 1.8 至 0MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 为适应高 VSWR 应用的增强型鲁棒性设计 最高工作 VDD 可达 50V 适用于 28V 至 50V 范围内供电电压, 方便不同功率等级功放设计 优异的功率线性度 优异的热稳定性 内部集成的增强 ESD 设计 符合 RoHS 规范 HTH7G06P500H 封装 :H2110S-4L
More information绯荤粺A4鐗堟湰鍗曢〉
2011 +86-10-60290088 600 690 470 970 670 1000 194 130 294 65 85 150 82 90 +86-10-60290088 +86-10-60290088 +86-10-60290088 +86-10-60290088 +86-10-60290088 +86-10-60290088
More information596.doc
2005596 4 3 2794 2796 51 2800 51 238 238 1. 238 238 1 2. 3 2 2 6 3. 238 238 4. 238 2 238 1. 4 3 2. 3. 1. 2005107 2. 238 1. 238 2. 3. 1 238 2 238 238 238 1. 0.8mm 1.6mm 10 55 Hz 1Hz /min 95±5 min 24 ±4
More informationMicrosoft Word - 参数符号汇总 doc
Diode 普通二极管 (Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC blocking voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS reverse voltage 反向电压有效值 I O Average rectified
More information< B9E2BBFAD7DBBACFCDBCB2E1B6A8B8E52DC7E5CEFAB0E6312E706466>
XYR XYR XYR Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn 99 Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn XYR500 XYR500 XYR000 XYR0000-CH XYmm.5 0 5 z 5 mm 5050 0000 0000 mm 00 00 0000 mm 6.5 76 98 8 Kg 6 8 5 XY/μm 0/5 0XYμm 0.5
More informationHT647PL
LDMOS 射频功率晶体管 1. 产品特性 无内匹配设计, 方便应用于从 HF 至 600MHz 频率范围内的各类窄 宽带功放 增强鲁棒性设计 适用于 20-28V 供电电压 内部集成的增强 ESD 设计 优异的热稳定性 符合 RoHS 规范 HT647PL HT647PLB HT647PL 封装 : H2110S-4L 2. 产品用途 模拟及数字广播 气象及航空雷达 专网通信基站 工业用激光源和等离子设备
More information80 A( Switchgear for Circuit-breakers up to 80 A Load Feeders (Motor protection circuit-breakers) 1 Contactors, Contactor combinations 2 Overload relays 3 Solid-state time relays 4 Contactor relays 5 SIKOSTART
More informationMicrosoft Word - P SDV series.DOC
片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
More informationKZ-PA35C_說明書(0911更新)
使用說明書 聲寶 35 l 雙溫控油切旋風烤箱 聲寶 35 l 雙溫控油切旋風烤箱 (家庭用) KZ-PA35C KZ-PA35C 安全注意事項 1 各部位名稱 5 使用說明 6 簡易食譜 10 若有維修發生時請主動提示本保證書以享受權益 清潔與保養 14 故障檢修與排除 16 烤盤 緊急處理方法 17 規格 18 聲寶產品保證書 19 19 為了防止給使用者和他人造成意外的危害和財產的損害 請務必遵守下述事項
More information第一章 前言
85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1 2 3 110 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 111 1 2 3 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 () () 124 125 126
More informationDaoCiDi2003TC-139-20090301-ct-P293L02-R20120612
菩 提 道 次 第 一 三 九 雪 歌 仁 波 切 講 授 法 炬 法 師 翻 譯 2009/03/01 我 們 聞 思 大 乘 法, 主 要 為 生 起 菩 提 心 學 習 菩 薩 行 故, 因 此 特 別 聞 思 至 尊 仁 波 切 ( 宗 喀 巴 大 師 ) 撰 著 的 道 次 第 論, 所 聞 之 法 是 大 乘 法, 主 要 目 的 是 發 起 菩 提 心 及 學 習 菩 薩 行 所 以,
More information高频电疗法
高 频 电 疗 法 高 频 电 疗 法 频 率 大 于 100kHz 的 交 流 电 属 于 高 频 电 流 应 用 高 频 电 流 作 用 于 人 体 以 治 疗 疾 病 的 方 法, 称 高 频 电 疗 法 ( high frequency electrotherapy ) 高 频 电 疗 法 高 频 电 疗 的 作 用 方 式 有 5 种 共 鸣 火 花 放 电 法 直 接 接 触 法 电 容
More information团 学 要 闻 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 3 月 17 日, 我 校 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 在 行 政 办 公 楼 五 楼 会 议 室 举 行, 校 团 委 委 员 各 院 ( 系 ) 团 委 书 记 校 学 生
共 青 团 工 作 简 报 2011 年 第 1 期 共 青 团 大 连 海 洋 大 学 委 员 会 团 学 要 闻 : 导 读 我 校 召 开 共 青 团 五 届 九 次 全 委 ( 扩 大 ) 会 议 我 校 在 大 连 市 大 学 生 创 新 创 意 作 品 大 赛 中 取 得 佳 绩 校 团 委 召 开 学 生 干 部 思 想 动 态 座 谈 会 校 团 委 组 织 开 展 弘 扬 雷 锋
More information泵站设计规范
(m 3 /s) 10 4 kw (1) 200 3 (2) 20050 31 5010 10.1 (1) 102 0.10.01 (2) 2 0.01 1 3 4 2 3 4 3 4 5 4 5 5 5 5 - 1 100 300 2 50 200 3 30 100 4 20 50 5 10 20 (m) 1 2 3 4.5 0.7 0.5 0.4 0.3 0.5 0.4 0.3 0.2 -
More informationF&B 100%
F&B 100% V3.1 XMRY5000/8000... 1...1...3...4.....23...25 XMRY5000/8000 27 XMRY5000/8000 2.1 2.1.1 2.1.2 / 2.1.3 Pt100 Pt100.0 Pt10 Cu100 Cu50 K E S B J R T N 010mA 420mA 05V 15V 30350 060mV 060mV 05V 2.1.4
More informationPDFᅲᆰᄏ커
TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac
More information所在行政区 南京市浦口区 环评编号:
建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 工 业 类 项 目 名 称 : 建 设 单 位 : 年 产 480 万 套 液 晶 模 组 项 目 苏 州 伟 塑 光 电 科 技 有 限 公 司 编 制 日 期 :2014 年 3 月 江 苏 省 环 境 保 护 厅 制 建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 编 制 说 明 建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 由 具 有 从 事 环 境 影
More information中共绍兴市委办公室 (通 知)
浙 江 农 业 商 贸 职 业 学 院 文 件 浙 农 商 院 办 2015 123 号 关 于 印 发 浙 江 农 业 商 贸 职 业 学 院 固 定 资 产 处 置 管 理 办 法 的 通 知 各 部 门 : 现 将 浙 江 农 业 商 贸 职 业 学 院 固 定 资 产 处 置 管 理 办 法 印 发 给 你 们, 请 遵 照 执 行 附 件 : 浙 江 农 业 商 贸 职 业 学 院 固 定
More informationCOVER.cdr
06 公司要闻 嘉宾观摩中达动力产品 嘉宾参观中达绿色动力展车花絮一 李思贤先生在知识比武大赛中的精彩点评 王其鑫先生给冠军队 北京的 鹏惠组合 颁奖 海英俊先生在知识比武大赛中的精彩点评 知识比武大赛 张明忠先生在知识比武大赛中的精彩点评 蔡文荫博士在知识比武大赛中的精彩点评 突破 拿下了诸多大型项目 如精彩世博 激情亚 展望2011 中达电通对于行业市场的发展信心百 运 都留下了我们的足迹 中达通信电源
More information<5C5C E E332E CB6ADCAC2BBE1B0ECB9ABCAD25C31302DB6A8C6DAB1A8B8E65C C4EAB5DAD2BBBCBEB6C8B1A85C C4EAB5DAD2BBBCBEB6C8B1A8B
2015 2015-043 2015 04 1 2 ( ) 387,159,908.26 346,792,325.03 11.64% 25,671,450.47 31,216,659.85-17.76% -3,348,202.10-159,116,128.71 97.90% / -0.0187-1.7788 98.95% / 0.14 0.18-22.22% / 0.14 0.18-22.22% 2.34%
More information