一、目的：
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- 思 孙
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1 修 平 科 技 大 學 電 機 工 程 系 Hsiuping University of science and technology Department of electrical engineering HSIU-PING INSTITUTE OF TECHNOLOGY 實 務 專 題 報 告 書 具 高 阻 抗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 指 導 老 師 蕭 明 椿 教 授 專 題 製 作 學 生 四 電 四 乙 魏 芃 葦 四 電 四 乙 陳 翊 綸
2 中 華 民 國 101 年 三 月 二 十 九 日 一. 摘 要 本 專 題 提 出 一 種 新 穎 架 構 之 具 通 道 邏 輯 之 SRAM, 其 主 要 包 括 一 記 憶 體 陣 列 複 數 個 控 制 電 路, 而 記 憶 體 陣 列 是 由 複 數 列 記 憶 晶 胞 與 複 數 行 記 憶 晶 胞 所 組 成, 每 一 列 記 憶 晶 胞 設 置 一 個 控 制 電 路, 且 每 一 記 憶 晶 胞 由 一 寫 入 用 選 擇 電 晶 體 M3 二 NMOS 驅 動 電 晶 體 M1 和 M2 二 PMOS 負 載 電 晶 體 P1 和 P2 二 NMOS 讀 取 用 電 晶 體 M4 和 M5 二 控 制 反 相 器 PC1 和 MC1 以 及 PC2 和 MC2 所 組 成 每 一 控 制 單 元 係 連 接 至 對 應 列 記 憶 晶 胞 中 之 每 一 記 憶 晶 胞 的 二 NMOS 驅 動 電 晶 體 的 源 極 端, 以 便 因 應 不 同 操 作 模 式 而 控 制 該 等 源 極 電 壓, 於 寫 入 模 式 時, 將 選 定 晶 胞 中 較 接 近 寫 入 用 位 元 線 WBL 之 驅 動 電 晶 體 M1 的 源 極 電 壓 VL1 設 定 成 較 接 地 電 壓 為 高 之 一 第 一 預 定 電 壓 且 將 選 定 晶 胞 中 另 一 驅 動 電 晶 體 M2 的 源 極 電 壓 VL2 設 定 成 接 地 電 壓, 以 便 防 止 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題 ; 於 待 機 模 式 時, 將 所 有 記 憶 晶 胞 中 之 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 設 定 成 較 接 地 電 壓 為 高 之 一 第 二 預 定 電 壓, 以 便 降 低 漏 電 流 ; 而 於 其 他 模 式 時 則 將 記 憶 晶 胞 中 之 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 設 定 成 接 地 電 壓, 以 便 維 持 讀 取 穩 定 度 再 者, 將 每 一 記 憶 體 晶 胞 中 之 該 驅 動 電 晶 體 M1 的 背 閘 極 (back gate) 連 接 至 該 由 PC1 和 MC1 所 組 成 控 制 反 相 器 之 輸 出 端, 以 及 將 該 驅 動 電 晶 體 M2 與 該 寫 入 用 選 擇 電 晶 體 M3 的 背 閘 極 均 該 連 接 至 該 由 PC2 和 MC2 所 組 成 控 制 反 相 器 之 輸 出 端, 以 便 有 效 提 高 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 之 靜 態 雜 訊 邊 際 (SNM) 另 外, 藉 由 該 待 機 啟 動 電 路 的 設 計, 可 有 效 促 使 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 快 速 進 入 待 機 模 式, 並 因 而 大 幅 提 高 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 之 待 機 效 能 本 專 題 所 提 出 之 具 高 靜 態 雜 訊 邊 際 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 SRAM, 其 經 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 證 實 其 不 但 可 有 效 避 免 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題, 並 能 有 效 降 低 待 機 功 率, 且 具 良 好 的 靜 態 雜 訊 邊 際 (SNM), 再 者, 即 使 將 電 源 供 應 電 壓 下 降 至 1.0V 特, 並 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 仍 能 具 有 良 好 的 性 能 - 2 -
3 二 目 錄 一 摘 要 2 二 目 錄 3 三 專 題 內 容 專 題 動 機 1.2 研 究 方 向 1.3 特 性 與 架 構 1.4 SRAM 操 作 方 式 1.5 SRAM 操 作 時 序 1.6 5T SRAM 無 法 寫 入 之 成 因 1.7 系 統 設 計 1.8 通 道 邏 輯 1.9 寫 入 模 式 1.10 待 機 模 式 1.11 其 他 模 式 四 總 結 24 五 參 考 文 獻 26 六 作 者 介 紹
4 三 專 題 內 容 1.1 專 題 動 機 當 人 類 從 工 業 時 代 進 入 到 資 訊 時 代 時, 訊 息 傳 遞 方 式 以 從 書 信 或 電 報 的 傳 遞 轉 向 網 際 網 路 或 是 衛 星 系 統 甚 至 高 低 階 的 通 訊 設 備 來 獲 取 大 量 資 訊 的 訊 息 傳 遞, 而 引 導 著 人 類 資 訊 時 代 前 進 的 前 端 者 是 電 晶 體 與 積 體 電 路 (integrated circuit, 簡 稱 為 IC) 的 設 計 才 能 發 展 出 快 速 而 有 效 率 的 通 訊 與 網 路, 從 1947 年 巴 丁 (Bardeen) 布 拉 頓 (Brattain) 蕭 克 利 (Shockley) 在 美 國 的 貝 爾 實 驗 室 製 造 出 第 一 個 具 有 放 大 電 流 效 果 的 固 態 三 極 體, 並 將 它 命 名 為 電 晶 體 (transister) 此 一 名 稱 後, 電 晶 體 的 研 究 與 發 展 更 是 屢 屢 創 新 與 突 破 成 為 重 要 的 科 技 技 術 更 成 為 積 體 電 路 設 計 中 的 重 要 一 環 現 今 積 體 電 路 的 應 用 以 擴 展 到 日 常 生 活 中 的 每 一 個 層 面, 例 如 行 動 電 話 衛 星 定 位 系 統 放 影 機 等 都 有 所 應 用, 其 中 最 讓 人 瞠 目 結 舌 的 是 今 日 大 眾 普 遍 的 桌 上 型 電 腦 與 筆 記 型 電 腦, 相 對 的 不 論 在 高 低 階 的 電 腦 運 算 中 記 憶 體 在 電 腦 工 業 中 所 扮 演 著 無 可 或 缺 的 重 要 腳 色 記 憶 體 通 常 可 依 照 是 否 在 電 源 關 閉 後 仍 能 保 存 資 料 來 區 分 為 揮 發 性 記 憶 (volatile memory) 體 與 非 揮 發 性 記 憶 體 (nonvolatile memory) 兩 種 類 型 揮 發 性 記 憶 體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 擁 有 價 格 低 面 積 小 以 及 消 耗 少 許 的 電 力 和 比 較 不 會 有 晶 片 發 熱 的 問 題, 但 是 另 一 方 面 在 操 作 時 必 須 去 不 斷 的 更 新 (refresh) 以 防 止 資 料 因 漏 電 流 的 問 題 而 遺 失 竟 而 導 致 存 在 有 高 速 化 困 難 及 消 耗 功 率 大 等 缺 失 反 觀 非 揮 發 性 記 憶 體 (Static Random Access Memory, SRAM) 的 操 作 比 較 簡 易 SRAM 只 需 少 許 的 電 壓 就 能 運 作 而 且 毋 須 不 斷 更 新 操 作, 因 此 SRAM 具 有 高 速 化 以 及 消 耗 功 率 低 等 優 點, 但 是 由 於 構 成 SRAM 晶 胞 得 需 要 4 個 以 上 的 電 晶 體 來 形 成, 造 成 SRAM 存 在 有 高 集 積 化 困 難 及 價 格 高 等 缺 在 資 訊 時 代 的 現 今, 許 多 電 子 產 品 都 具 備 擁 有 儲 存 大 量 資 料 的 能 力, 在 這 背 後 推 動 這 項 能 力 的 是 來 自 於 半 導 體 的 記 憶 陣 列 邏 輯 運 算, 由 於 必 須 儲 存 大 量 的 資 料 因 此 隨 著 儲 存 能 力 須 不 斷 的 增 加 外, 所 需 的 電 晶 體 的 數 目 相 對 的 也 必 須 4
5 更 多 隨 著 儲 存 容 量 不 斷 的 增 加 與 高 記 憶 體 密 度 的 設 計, 加 上 半 檔 體 製 程 持 續 不 斷 的 進 步, 迫 使 超 大 型 積 體 電 路 (Very-Large-Scale Integration, VLSI) 或 是 極 大 型 積 體 電 路 (Ultra-Large-Scale Integration,ULSI) 也 必 須 朝 向 系 統 整 合 晶 片 化 (System on Chip,SOC), 才 能 不 斷 的 大 幅 提 升 記 憶 體 功 能, 加 上 製 程 不 斷 的 進 步 與 更 新 以 及 可 攜 帶 式 電 子 產 品 系 統 之 所 謂 行 動 運 算 (Mobile Computing) 的 能 力 不 斷 的 增 強, 系 統 的 消 耗 功 率 也 就 越 來 越 大 並 成 為 最 主 要 的 一 部 分, 使 得 產 品 受 到 許 多 的 限 制, 加 上 產 品 的 蓄 電 電 池 始 終 追 趕 不 上 製 程 進 步 的 速 度, 讓 許 多 可 攜 式 的 產 品, 如 行 動 電 話 筆 記 型 電 腦 平 板 電 腦 等 多 項 產 品 的 電 力 耐 久 度 都 不 如 預 期, 嚴 重 受 限 於 電 池 的 蓄 電 力, 即 使 增 強 了 蓄 電 能 力 但 是 相 反 的 其 處 理 運 算 速 度 相 對 的 就 會 降 低 導 致 系 統 作 業 能 力 造 成 緩 慢 的 效 果, 然 而 隨 著 儲 存 資 訊 量 的 增 加 記 憶 體 的 面 積 也 不 斷 的 增 大 以 及 電 子 元 件 的 不 斷 的 縮 小, 次 臨 界 漏 電 流 與 閘 極 漏 電 流 也 將 越 來 越 明 顯, 使 整 個 系 統 內 部 的 電 子 元 件 都 將 受 到 一 定 的 執 行 運 作 的 影 響 為 瞭 解 決 上 述 的 缺 點, 本 論 文 使 用 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Static Random Access Memory, SRAM) 來 作 為 本 專 題 研 究 之 整 體, 其 主 要 因 素 在 於 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 與 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 的 差 別 在 於 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 使 用 的 是 邏 輯 製 程 (Logic Process), 加 上 不 需 要 其 特 殊 製 程 另 一 方 面, 靜 態 隨 機 存 取 記 體 擁 有 栓 鎖 的 功 能, 只 要 電 源 不 中 斷 資 料 就 永 遠 存 在 也 不 需 要 做 重 覆 更 新 的 動 作, 加 上 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 其 存 取 速 度 快 的 優 點 被 廣 泛 應 用 於 微 處 理 器 大 型 電 腦 可 攜 式 電 子 產 品 或 是 工 作 站 等, 功 能 性 相 對 的 也 較 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 來 的 強, 因 此 該 如 何 在 低 工 作 電 壓 下 可 以 順 利 寫 入 降 低 其 功 率 消 耗 來 減 低 漏 電 流 為 本 專 題 之 研 究 重 心 傳 統 6T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (SRAM) 晶 胞 由 於 需 要 6 顆 電 晶 體, 需 設 置 5
6 互 補 位 元 線, 且 驅 動 電 晶 體 與 存 取 電 晶 體 間 的 電 流 驅 動 能 力 比 ( 即 單 元 比 率 cell ratio) 通 常 需 設 定 在 2.2 至 3.5 之 間 [1], 而 導 致 存 在 有 高 集 積 化 困 難 及 價 格 高 等 缺 失 用 來 減 少 6T SRAM 晶 胞 之 電 晶 體 數 之 一 種 方 式 為 具 單 一 位 元 線 之 5T SRAM 晶 胞, 迄 今, 有 許 多 具 單 一 位 元 線 之 SRAM 晶 胞 之 技 術 [2]-[7] 被 提 出 其 中, 如 下 圖 1.2(a) 所 示,M. Ukita 等 人 [2] 所 提 出 具 SCPA(Single-bit-line Cross-Point cell Activation) 結 構 之 SRAM 晶 胞 雖 可 減 少 地 區 解 碼 器 (local decoder) 之 數 量, 惟 須 設 置 二 個 呈 串 聯 連 接 並 用 以 分 別 接 收 行 位 址 與 列 位 址 之 存 取 電 晶 體 PMOS-TFT Load (Bottom Gate) X address N2 N1 Y address Single Bitline Inv.A Inv.B 圖 1.2(a)M. Ukita 等 人 [2] 所 提 出 具 SCPA 結 構 如 下 圖 1.2(b) 所 示,H. Tran [3] 所 提 出 之 5T SRAM 晶 胞 由 於 係 將 所 有 晶 胞 的 左 側 驅 動 電 晶 體 之 源 極 由 原 本 連 接 至 接 地 端 變 更 為 共 同 連 接 至 一 共 同 節 點 SRC, 而 易 造 成 寫 入 時 干 擾 非 選 定 (nonselected) 晶 胞 以 及 無 法 有 效 解 決 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題 6
![Ukita 等 人 [2] 所 提 出 具 SCPA(Single-bit-line Cross-Point cell Activation) 結 構 之 SRAM 晶 胞 雖 可 減 少 地 區 解 碼 器 (local decoder) 之 數 量, 惟 須 設 置 二 個 呈 串 聯 連 接 並 用 以 分 別 接 收 行 位 址 與 列 位 址 之 存 取 電 晶 體 PMOS-TFT](/docs-images/41/22645588/images/page_6.jpg "Load (Bottom Gate) X address N2 N1 Y address Single Bitline Inv.A Inv.B 圖 1.2(a)M. Ukita 等 人 [2] 所 提 出 具 SCPA 結 構 如 下 圖 1.2(b) 所 示,H.")
7 BL SRC SENCE AMP DOUT WLn MP1 MP2 MN1 WL0 MN2 MN3 DIN WE WEX MN5 Csrc 圖 1.2(b)H. Tran [3] 所 提 出 之 5T SRAM 晶 胞 如 下 圖 1.2(c) 所 示,J.B. Kuo [4] 所 提 出 之 具 SBLSRWA 能 力 之 雙 埠 6T SRAM 晶 胞 由 於 係 將 晶 胞 中 的 左 側 驅 動 電 晶 體 之 源 極 由 原 本 連 接 至 接 地 端 變 更 為 連 接 至 一 寫 入 字 元 線 以 有 效 解 決 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題, 而 造 成 無 法 應 用 於 單 埠 晶 胞 中 Vdd Vdd WBL Mp1 Mp2 RBL Mn1 n1 Mn3 Mn4 n2 Mn2 WWL RWL 圖 1.2(c)J.B. Kuo [4] 所 提 出 之 具 SBLSRWA 能 力 之 雙 埠 6T SRAM 1.2 研 究 方 向 1.21 RAM 及 5T SRAM 無 法 順 利 寫 入 之 解 決 研 究 方 向 7
![Kuo [4] 所 提 出 之 具 SBLSRWA 能 力 之 雙 埠 6T SRAM 晶 胞 由 於 係 將 晶 胞 中 的 左 側 驅 動 電 晶 體 之 源 極 由 原 本 連 接 至 接 地 端 變 更 為 連 接 至 一 寫 入](/docs-images/41/22645588/images/page_7.jpg "字 元 線 以 有 效 解 決 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題, 而 造 成 無 法 應 用 於 單 埠 晶 胞 中 Vdd Vdd WBL Mp1 Mp2 RBL Mn1 n1 Mn3 Mn4 n2 Mn2 WWL RWL 圖 1.")
8 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Static Random Access Memory, SRAM) 的 基 本 組 成 是 由 六 顆 電 晶 體 所 組 成 的 如 下 圖 (a) 所 示, 組 成 的 方 式 則 是 一 個 互 相 對 稱 式 的 結 構, 而 這 個 互 相 對 稱 式 的 結 構 則 是 由 兩 個 交 互 偶 合 連 接 的 反 向 器 (inverter) 及 存 取 電 晶 體 (write selection transistor) 所 構 成, 並 且 還 包 括 了 記 憶 體 單 元 輸 入 暫 存 器 預 充 電 路 寫 入 電 路 行 與 列 解 碼 器 等 但 是 由 於 SRAM 的 晶 胞 需 要 6 個 電 晶 體, 且 驅 動 電 晶 體 (driver transistors) 與 存 取 電 晶 體 (access transistor) 間 的 電 流 驅 動 能 力 比 及 單 元 率 (cell ratio) 通 常 設 定 在 2.2 至 3.5 之 間, 而 導 致 存 在 有 高 集 積 化 困 難 及 價 格 高 等 缺 失 V DD Load transistor P1 P2 Access transistor M3 A B Access transistor M4 M1 M2 Driving transistor Bit Line Complementary Bit Line 圖 (a) 6T SRAM 晶 胞 電 路 拓 撲 用 來 減 少 6T 靜 態 隨 機 存 取 記 體 晶 胞 之 電 晶 體 數 量 之 ㄧ 種 方 式 為 5T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 如 下 圖 (b) 所 示, 但 卻 會 衍 生 出 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 所 在, 起 因 在 於 5T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 比 6T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 少 了 一 個 存 取 電 晶 體 及 少 了 一 條 位 元 線 (Bit Line), 竟 而 存 在 了 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 8
9 V DD Load transistor P1 P2 Access transistor M3 A B M1 M2 Driving transistor Bit Line Word Line 圖 (b) 5T SRAM 晶 胞 電 路 拓 撲 然 而 隨 著 工 作 電 壓 不 斷 的 再 降 低, 與 製 程 不 斷 的 再 進 步 和 簡 化 其 系 統 周 邊 的 電 路 與 減 少 記 憶 體 晶 胞 內 的 電 晶 體, 最 重 要 的 目 標 是 如 何 在 減 少 電 晶 體 效 能 繼 續 完 成 改 善 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題, 並 且 在 有 效 的 降 低 工 作 電 壓 是 本 專 題 研 究 重 心 之 方 向 本 專 題 目 標 是 利 用 工 作 電 壓 製 程 (TSMC 0.90um, Working Voltage 1.2V), 依 然 能 使 系 統 再 較 低 工 作 電 壓 下 仍 然 可 以 改 善 邏 輯 1 寫 入 困 難 之 問 題, 並 提 出 藉 由 寫 入 模 式 時 將 選 定 記 憶 體 晶 胞 中 較 接 近 位 元 線 (BL) 之 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 設 定 成 較 接 地 電 壓 來 的 高, 且 另 將 記 憶 體 晶 胞 中 另 一 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 設 定 成 接 地 電 壓, 以 有 效 避 免 習 之 具 單 一 位 元 線 之 ( 單 / 雙 ) 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 存 在 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 解 決 研 究 方 向 改 善 傳 統 雙 埠 靜 態 隨 機 隨 取 記 憶 體 之 研 究 方 向 9
10 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Static Random Access Memory, SRAM) 與 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 都 只 有 單 埠 的 存 取 功 能, 無 法 達 到 同 時 寫 入 與 讀 取, 也 因 為 記 憶 體 也 必 須 運 用 在 影 像 加 速 或 是 整 合 顯 示 技 術 裡 讓 影 像 顯 示 可 以 達 到 更 流 暢 來 避 免 出 現 停 格 的 現 象, 也 就 是 如 此 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 它 擁 有 讀 與 寫 同 時 的 功 能 性, 因 此 在 視 訊 效 能 的 這 方 面 相 對 的 就 格 外 顯 得 特 別 重 要, 逐 漸 的 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 就 應 用 在 視 訊 記 憶 體 (Video RAM,VRAM), 它 主 要 的 目 的 是 用 來 儲 存 圖 形 顯 示 裏 的 圖 元 值, 面 板 上 的 控 制 單 元 會 不 斷 地 從 記 憶 體 裡 讀 取 資 料 來 更 新 顯 示 資 料 其 主 要 目 的 除 了 提 供 比 標 準 影 像 卡 更 快 的 視 訊 效 能 相 對 的 還 降 低 對 CPU 的 需 求, 其 原 因 在 於 它 的 記 憶 體 晶 胞 內 擁 有 兩 個 存 取 埠, 一 個 用 來 不 斷 地 更 新 顯 示 資 料, 另 一 個 則 是 用 來 改 變 將 會 顯 示 的 資 料, 其 意 義 在 於 雙 埠 的 頻 寬 加 倍 能 擁 有 更 快 的 效 能 1.3 特 性 與 架 構 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 之 特 性 半 導 體 記 憶 體 是 以 對 資 料 的 儲 存 和 擷 取 的 方 法 來 分 類 可 做 讀 與 寫 地 記 憶 體 須 要 允 許 記 憶 體 陣 列 內 的 資 料 位 元 來 做 擷 取 ( 讀 ) 和 修 改 ( 寫 ) 的 動 作, 而 資 料 的 儲 存 又 可 分 為 可 揮 發 性 與 非 揮 發 性 記 憶 體 兩 種 類 型 以 及 依 照 資 料 儲 存 晶 胞 (cell) 的 工 作 方 式, 隨 機 讀 寫 的 記 憶 體 有 可 區 分 為 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Dynamic Random Access Memory, DRAM) 與 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (Static Random Access Memory, SRAM) 其 揮 發 性 記 憶 體 即 是 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (DRAM) 當 電 源 關 閉 時 內 部 所 儲 存 的 資 料 立 即 就 會 消 失 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 包 含 了 一 個 電 容 來 儲 存 資 料 (0 表 示 為 低 電 位,1 表 示 10
11 為 高 電 位 ), 及 一 個 電 晶 體 來 連 接 電 容 進 行 存 取 動 作, 而 在 儲 存 晶 胞 內 的 資 料 值 會 因 為 電 壓 而 對 儲 存 端 而 有 所 差 異, 也 就 如 此 即 使 記 憶 體 並 沒 有 存 取 的 需 求, 儲 存 在 晶 包 內 的 資 料 就 必 須 以 固 定 的 週 期 來 做 重 新 讀 寫 或 更 新 的 動 作 在 另 一 方 面 非 揮 發 性 記 憶 體 即 是 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (SRAM) 其 內 部 有 一 個 拴 鎖, 在 電 源 不 關 閉 下 資 料 則 會 永 遠 的 存 在 更 不 需 要 做 重 新 讀 寫 或 更 新 的 動 作 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 因 為 成 品 低 密 度 高 被 廣 泛 的 運 用 在 個 人 電 腦 或 是 工 作 站 的 主 記 憶 體 而 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 則 是 因 為 高 速 度 與 低 消 耗 功 率 的 因 素 被 廣 泛 應 用 於 大 型 微 處 理 器 伺 服 器 可 攜 式 型 電 腦 裝 置 等 記 憶 體 的 儲 存 陣 列 面 積 會 決 定 總 體 儲 存 能 力 的 關 鍵 因 素, 加 上 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 與 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 的 消 耗 功 率 也 有 所 不 同 如 下 圖 表 1 所 示 即 能 看 出 其 兩 者 的 特 性 差 異 表 1 SRAM 與 DRAM 比 較 表 記 SRAM 特 憶 性 體 揮 發 性 是 是 DRAM 晶 胞 密 度 低 高 寫 入 速 率 ~40ns ~5/40ns 讀 取 速 率 ~50ns ~10/70ns 記 憶 體 晶 胞 架 構 6T 1T-1C 資 料 更 新 動 作 否 需 要 功 率 消 耗 高 / 低 高 電 壓 提 供 單 一 單 一 系 統 寫 入 能 力 是 是 成 本 高 低 耐 久 性 高 高 11
12 如 下 圖 所 表 示 為 記 憶 體 晶 胞 之 等 效 電 路 如 圖 2.1.1(a) 為 SRAM 記 憶 晶 胞 所 組 成 的 架 構 而 如 圖 2.1.1(b) 為 DRAM 的 記 憶 晶 胞 所 組 成 的 架 構 Word Line BL VDD BLB P1 P2 M3 A M1 M2 B M4 C WL (a) Bit Line V p (b) 圖 記 憶 體 晶 胞 之 等 效 電 路 (a)sram;( b)dram 1.4 SRAM 操 作 方 式 如 下 圖 2.2(a) 所 示, 在 未 寫 入 1 任 何 動 作 前 電 晶 體 P1 與 M2 為 截 止 區, 而 電 晶 體 P2 與 M1 操 作 在 線 性 模 式, 傳 送 電 晶 體 M3 與 M4 為 截 止 其 內 部 節 點 A 為 邏 輯 0 而 節 點 B 為 邏 輯 1 位 元 線 則 儲 存 邏 輯 1, 反 向 位 元 線 則 儲 存 邏 輯 0 BL cut-off VDD linear BLB cut-off M3 P1 A 0 P2 1 B cut-off M4 1 M1 linear M2 cut-off 0 圖 2.2(a)SRAM 寫 入 前 操 作 狀 態 假 設 存 取 電 晶 體 導 通 之 後, 行 電 壓 位 元 線 大 約 保 持 在 電 源 供 應 電 壓 所 以 M3 操 作 在 飽 和 區 而 M1 操 作 在 線 性 區 12
13 W M 3 L M 2 V 1.5V V 3 2 M W 1 VDD 2VT, n L M1 結 合 方 程 式 計 算 後 可 得 到 M DD T, n T, n W W : M : 2 ~ 3.5 L L M M (2.2.1) (2.2.2) 如 果 滿 足 (2.2.1) 條 件 則 M 3 與 M 1 晶 胞 倍 率 比 需 維 持 2~3.5 倍 之 間 才 能 使 SRAM 在 設 計 的 過 程 中 不 會 讓 儲 存 資 料 產 生 變 化 當 SRAM 寫 入 1 操 作, 假 設 一 開 始 邏 輯 0 儲 存 在 SRAM 單 元 如 下 圖 2.2(b) 所 示 SRAM 在 資 料 寫 入 操 作 時 的 邏 輯 位 準, 行 電 壓 位 元 線 (BL) 倍 資 料 寫 入 其 電 路 強 迫 到 邏 輯 1 位 準 ; 因 此, 可 以 假 設 位 元 線 大 約 等 於 電 壓 位 準 一 旦 存 取 電 晶 體 M3 和 M4 被 選 取 電 路 導 通 時, 節 點 A 電 壓 需 保 持 在 M2 臨 界 電 壓 之 下 ( 因 為 M1 與 M3 依 據 (2.2.1) 條 件 設 計 ), 總 之 P2 與 M1 的 電 壓 位 準 將 不 夠 去 導 通 M2 電 晶 體 若 要 改 變 儲 存 資 訊, 需 將 節 點 A 寫 入 邏 輯 1 及 節 點 B 寫 入 邏 輯 0, 所 以 節 點 B 電 壓 必 須 下 降 至 M1 的 臨 界 電 壓 以 下, 所 以 首 先 M1 關 閉 電 晶 體 M3 操 作 在 線 性 區 而 P1 操 作 在 線 性 區 如 果 滿 足 下 面 (2.2.3) 條 件, 則 電 晶 體 M1 在 寫 入 邏 輯 1 操 作 時 將 被 強 迫 進 入 關 閉 模 式, 將 保 證 M2 隨 後 導 通, 且 改 變 了 儲 存 資 訊 完 成 寫 入 動 作 13
14 BL linear VDD cut-off BLB linear M3 P1 A 1 0 P2 B 1 0 linear M4 1 M1 cut-off M2 linear 0 圖 2.2(b) 在 寫 入 操 作 時 SRAM 單 元 邏 輯 位 準 當 VGS-VT>VDS ucow 2 I D 2 VGS VT VDS VDS 2L 1 I D ucow ucow g V V V r V L L ds GS T DS ds DS (2.2.3) 1.5 SRAM 操 作 時 序 如 下 圖 2.3(a) 所 示,SRAM 再 寫 入 時 其 字 元 線 共 分 為 五 個 寫 入 週 期, 第 一 個 週 期 為 未 寫 入 前 所 保 持 在 邏 輯 0 態, 第 二 個 週 期 為 邏 輯 0 寫 入 邏 輯 0 的 狀 態, 第 三 個 週 期 為 邏 輯 0 順 利 寫 入 邏 輯 1 的 狀 態, 第 四 個 週 期 為 邏 輯 1 寫 入 邏 輯 1 時 所 維 持 的 狀 態, 第 五 個 週 期 為 邏 輯 1 寫 入 邏 輯 0 而 結 束 時 的 狀 態, 而 一 個 SRAM 如 果 能 順 利 寫 入 這 五 個 週 期 代 表 著 其 記 憶 體 晶 胞 在 寫 入 過 程 中 能 順 利 的 完 成 寫 入 動 作 14
15 圖 2.3(a)SRAM 字 元 線 五 個 週 期 分 佈 如 下 圖 2.3(b) 所 示,SRAM 再 寫 入 邏 輯 0 寫 入 邏 輯 1 時, 位 元 線 必 須 在 SRAM 未 存 取 資 料 前 先 達 到 穩 態 得 狀 態, 才 能 確 保 在 SRAM 再 寫 入 時 不 會 造 成 資 料 存 取 錯 誤 的 問 題 圖 2.3(b)SRAM 位 元 線 穩 態 之 態 狀 如 下 圖 2.3(c) 所 示,SRAM 由 邏 輯 0 順 利 寫 入 邏 輯 1 至 邏 輯 1 寫 入 邏 輯 0 而 結 束 時 的 節 點 A 狀 態 時 序, 其 時 序 代 表 著 資 料 順 利 完 成 寫 入 且 無 誤 15
16 圖 2.3(c)SRAM 順 利 寫 入 時 之 操 作 時 序 狀 態 SRAM 經 由 時 序 圖 統 整 結 合 後 整 體 寫 入 過 程 狀 態, 如 下 圖 2.3(d) 所 示, 位 元 線 必 須 在 邏 輯 0 寫 入 邏 輯 1 之 前 達 到 穩 態 方 能 使 節 點 A 能 完 成 順 利 寫 入 的 動 作, 而 節 點 A 則 是 由 邏 輯 0 順 利 寫 入 邏 輯 1 開 始, 並 且 在 邏 輯 1 寫 入 邏 輯 1 時 穩 定 保 持 在 寫 入 時 的 狀 態 直 到 邏 輯 1 寫 入 邏 輯 0 而 結 束 來 完 成 整 個 SRAM ㄧ 個 完 整 的 寫 入 時 序 狀 態 圖 2.3(d)SRAM 整 體 寫 入 過 程 操 作 時 序 狀 態 16
17 1.6 5T SRAM 無 法 寫 入 之 成 因 如 下 圖 1.5(a) 所 示,5T SRAM 其 組 成 架 構 為 一 條 位 元 線 及 一 條 字 元 線, 並 且 包 含 了 M3 存 取 電 晶 體 M1 與 M2 驅 動 電 晶 體 P1 與 P2 負 載 電 晶 體 及 一 電 源 供 應 電 壓 V DD, 但 是 位 了 用 來 減 少 6T SRAM 晶 胞 之 電 晶 體 數 量 所 衍 生 出 5T SRAM 晶 胞, 但 卻 會 造 成 其 出 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 所 在, 而 其 寫 入 困 難 其 原 因 有 三 點 要 素 V DD Load transistor P1 P2 Access transistor M3 A B M1 M2 Driving transistor Bit Line Word Line 圖 1.5(a)5T SRAM 晶 胞 組 成 架 構 其 一, 如 圖 1.5(b) 所 示,5T SRAM 其 構 造 再 於 減 少 了 圖 中 虛 線 的 部 份 即 一 存 取 電 晶 體 M4 與 一 條 反 相 位 元 線, 造 成 讀 取 與 寫 入 狀 態 時 無 法 讓 晶 胞 正 常 的 存 取 資 料, 使 得 讓 節 點 A 無 法 順 利 達 到 所 要 的 電 壓 準 位 而 讓 讀 取 與 寫 入 造 成 失 敗 的 結 果 17
18 V DD P1 P2 M3 A B M1 M2 M4 Bit Line BLB Line Word Line 圖 1.5(b)5T SRAM 晶 胞 所 減 小 之 虛 線 部 分 電 晶 體 其 二, 如 圖 1.5(c) 所 示,5T SRAM 晶 胞 中 的 M3 存 取 電 晶 體 與 M1 的 驅 動 電 晶 體 兩 者 之 間 存 在 著 驅 動 能 力 比 值 為 2~3.5 倍, 加 上 其 分 壓 因 素 1 M M M BL 3 1 小 於 M1 驅 動 電 晶 體 的 等 效 電 阻, 也 因 為 M1 驅 動 電 晶 體 的 等 效 電 阻 太 小 導 致 M2 驅 動 電 晶 體 無 法 順 利 導 通, 讓 晶 胞 無 法 順 利 完 成 寫 入 的 動 作 V DD P1 P2 M3 A B 2~3.5 倍 M1 M2 M4 Bit Line BLB Line Word Line 圖 1.5(c)M1 驅 動 電 晶 體 的 等 效 電 阻 太 小 導 致 M2 驅 動 電 晶 體 無 法 順 利 導 通 其 三, 如 圖 1.5(d) 所 示,5T SRAM 晶 胞 中 的 M3 存 取 電 晶 體 工 作 於 飽 和 區,M1 的 驅 動 電 晶 體 工 作 於 線 性 區, 也 因 為 M3 存 取 電 晶 體 工 作 於 飽 和 區 的 關 係 其 等 效 電 阻 來 的 比 較 大, 導 致 分 壓 時 造 成 M1 的 驅 動 電 晶 體 因 工 作 於 線 性 區 而 18
19 所 能 分 到 的 電 阻 相 對 的 就 變 的 很 小, 不 足 以 讓 M2 驅 動 電 晶 體 導 通, 讓 晶 胞 無 法 順 利 完 成 寫 入 的 動 作 V DD P1 P2 saturation M3 A B M1 linear M2 M4 Bit Line BLB Line Word Line 圖 1.5(d) 分 壓 時 造 成 M1 的 電 晶 體 所 能 分 到 的 電 阻 相 對 的 變 小 不 足 以 讓 M2 電 晶 體 導 通 圖 1.5(e) 5T SRAM 時 序 圖 19
20 1.7 系 統 設 計 根 據 1.1 節 所 提 出 的 各 項 先 前 系 統 技 術 雖 然 都 可 以 解 決 寫 入 困 難 及 降 低 帶 機 功 率 之 問 題 但 仍 有 些 不 足 的 缺 失, 而 於 1.5 節 所 敘 述 之 5T 無 法 寫 入 原 因, 為 了 改 善 其 問 題 所 在, 因 此 本 專 題 基 於 上 述 原 因 作 為 本 論 文 系 統 設 計 的 條 件 本 專 題 系 統 設 計 是 藉 由 選 定 記 憶 體 晶 胞 中 較 接 近 位 元 線 (BL) 之 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 提 高, 且 另 將 記 憶 體 晶 胞 中 另 一 驅 動 電 晶 體 的 源 極 電 壓 設 定 成 接 地 電 壓, 以 有 效 避 免 習 之 具 單 一 位 元 線 之 ( 單 / 雙 ) 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 存 在 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 更 進 一 步 本 專 題 系 統 設 計 共 分 為 二 個 電 路 設 計 區 塊, 分 別 為 記 憶 體 晶 胞 電 路 系 統 區 塊 控 制 電 路 系 統 區 塊 而 二 個 電 路 系 統 區 塊 又 可 在 細 分 為 三 個 模 式, 分 別 為 寫 入 模 式 待 機 模 式 其 他 模 式 而 於 寫 入 模 式 時 可 避 免 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題 ; 待 機 模 式 時 可 降 低 低 待 機 電 流 本 專 題 所 提 出 之 低 待 機 功 率 消 耗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 整 體 設 計 主 要 包 括 一 個 記 憶 體 陣 列 (memory array) 以 及 複 數 個 控 制 電 路 以 及 待 機 啟 動 電 路, 記 憶 體 陣 列 是 由 複 數 列 記 憶 晶 胞 (a plurality of rows of memory cells) 與 複 數 行 記 憶 晶 胞 (a plurality of columns of memory cells) 所 組 成, 每 一 列 記 憶 晶 胞 設 置 一 個 控 制 電 路, 且 每 一 列 記 憶 晶 胞 與 每 一 行 記 憶 晶 胞 各 包 括 有 複 數 個 記 憶 晶 胞, 其 中 每 一 記 憶 晶 胞 更 包 括 一 寫 入 用 選 擇 電 晶 體 M3 二 顆 NMOS 驅 動 電 晶 體 M1 和 M2 二 顆 PMOS 負 載 電 晶 體 P1 和 P2 讀 取 用 選 擇 電 晶 體 M4 以 及 反 相 電 晶 體 M5 如 圖 1.6(a) 20
21 圖 1.6(a) 如 圖 1.6(a) 所 示, 此 種 設 計 形 式 為 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 而 表 2 為 具 通 道 電 晶 體 邏 輯 之 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 各 種 工 作 模 式 下 之 電 壓 位 準 表 2 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 各 工 作 模 式 下 電 壓 位 準 WL S Y VL1 VL2 註 0 0 VDD-Max (VTM28, VTM27 ) 0 0 其 他 模 式 0 VDD 0 VTM21 VTM21 待 機 模 式 VDD 0 0 VGS(M21) 或 0 0 寫 入 模 式 21
22 1.8 通 道 邏 輯 圖 1.7(a) 1.9 寫 入 模 式 22
23 1.10 待 機 模 式 1.1 其 他 模 式 23
24 四 總 結 本 專 題 所 提 出 之 具 電 晶 體 通 道 邏 輯 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 具 有 下 列 幾 項 優 點 : 1. 避 免 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題 : 本 專 題 於 寫 入 操 作 時, 可 藉 由 寫 入 邏 輯 1 之 初 始 期 間 提 高 低 電 壓 節 點 VL1 之 電 壓 位 準 以 有 效 避 免 習 知 具 單 一 位 元 線 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 存 在 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 2. 低 待 機 電 流 : 由 於 本 專 題 可 藉 由 呈 導 通 狀 態 之 NMOS 電 晶 體 M23, 以 使 得 低 電 壓 節 點 VL1 之 電 壓 位 準 相 等 於 低 電 壓 節 點 VL2 之 電 壓 位 準, 並 使 得 該 等 電 壓 位 準 均 等 於 該 NMOS 電 晶 體 M21 及 NMOS 電 晶 體 M24 之 臨 界 電 壓 的 總 和 之 位 準, 因 此 本 專 題 所 提 出 之 具 高 效 能 之 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 亦 具 備 低 待 機 電 流 之 功 效 本 專 題 所 提 出 的 具 通 道 電 晶 體 邏 輯 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 操 作 模 擬 皆 使 用 HSPICE 做 暫 態 分 析 模 擬 結 果, 其 是 以 level 49 模 型 且 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 由 該 模 擬 結 果 可 証 實, 本 論 文 提 出 之 新 穎 架 構 的 具 高 靜 態 雜 訊 邊 際 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 能 藉 由 寫 入 邏 輯 1 時 提 高 該 第 一 低 電 壓 節 點 VL1 之 電 壓 位 準, 以 有 效 避 免 習 知 具 單 一 位 元 線 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 晶 胞 存 在 寫 入 邏 輯 1 相 當 困 難 之 問 題 再 者, 即 使 於 電 源 供 應 電 壓 VDD 下 降 至 1.0V 特, 並 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 仍 能 維 持 良 好 的 性 能 如 表 3 所 示, 本 專 題 所 提 出 之 具 通 道 電 晶 體 邏 輯 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 與 傳 統 SRAM 於 待 機 模 式 下 之 漏 電 流 比 較, 在 製 程 TT SS 以 及 FF 時 分 別 減 少 90.7% 31.5% 及 87.3% 的 漏 電 流 24
25 五 參 考 文 獻 [1] Y. H. Chan et al., Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line, U.S. pat , Oct., [2] M. Ukita et al., A single-bit-line cross-point cell activation (SCPA) architecture for ultra-low-power SRAM's, IEEE JSSC, vol.28, pp ,1993. [3] H. Tran, Demonstration of 5T SRAM and 6T dual-port RAM cell arrays, VLSI Circuits Digest of Technical Papers., 1996 Symposium, pp.68-69,1996. [4] J.B. Kuo et al., A novel two-port 6T CMOS SRAM cell structure for low-voltage VLSI SRAM with single-bit-line simultaneous read-and-write access (SBLSRWA) capability, IEEE Symposium on Circuits and Systems, pp ,2000. [5] I. Carlson et al., A high density, low leakage, 5T SRAM for embedded caches, Solid-State Circuits Conference, ESSCIRC Proceeding of the 30th European, pp ,2004. [6] M. Wieckowski et al., A novel five-transistor (5T) sram cell for high performance cache, IEEE Conference on SOC, pp ,2005. [7] M. C. Shiau et al., Single port SRAM having a lower power supply in writing operation, TW pat. M358390, June, [8] H. Ankur Goel, 8-T SRAM cell circuit, system and method for low leakage current, U.S. pat , Nov., [9] 蕭 明 椿, 張 恩 誌, 5T 單 埠 SRAM 中 華 民 國 專 利 [10] 張 恩 誌, 蕭 明 椿 5T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 2010 ILT 勤 益 科 技 大 學 第 五 屆 智 慧 生 活 科 技 積 體 電 路 設 計 組 [11] 蕭 明 椿, 張 恩 誌, 5T 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 中 華 民 國 專 利 [12] 張 恩 誌, 蕭 明 椿 具 高 效 能 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, 2011 CECA 高 雄 應 用 科 技 大 學 [13] 蕭 明 椿, 張 恩 誌, 具 高 效 能 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 中 華 民 國 專 利 [14] 蕭 明 椿, 張 恩 誌, 具 高 效 能 之 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 中 華 民 國 專 利 [15] 張 恩 誌, 蕭 明 椿 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體, pp , 2010 C META 高 雄 海 洋 科 技 大 學 第 八 屆 微 電 子 技 術 發 展 與 應 用 系 統 設 計 組 [16] 蕭 明 椿, 張 恩 誌, 雙 埠 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 中 華 民 國 專 利 25
26 六 作 者 簡 介 魏 芃 葦 四 電 四 乙 BD97061 陳 翊 綸 四 電 四 乙 BD
27 附 件 一 修 平 技 術 學 院 專 題 報 告 全 文 電 子 檔 著 作 權 授 權 書 本 授 權 書 所 授 權 之 專 題 報 告 為 授 權 人 於 修 平 技 術 學 院 電 機 工 程 系 系 ( 科 ) 100 學 年 度 第 1 學 期 修 習 專 題 製 作 課 程 之 報 告 題 目 : 通 道 邏 輯 之 隨 機 存 取 記 憶 體 指 導 教 師 : 蕭 明 椿 同 意 不 同 意 ( 僅 開 放 專 題 典 藏 資 料 表 內 相 關 資 訊 ) 本 人 茲 將 本 著 作, 以 非 專 屬 無 償 授 權 修 平 技 術 學 院 圖 書 館 ; 基 於 推 動 讀 者 間 資 源 共 享 互 惠 合 作 之 理 念, 與 回 饋 社 會 與 學 術 研 究 之 目 的, 修 平 技 術 學 院 圖 書 館 得 不 限 地 域 時 間 與 次 數, 以 紙 本 光 碟 或 數 位 化 等 各 種 方 法 收 錄 重 製 與 利 用 ; 於 著 作 權 法 合 理 使 用 範 圍 內, 讀 者 得 進 行 線 上 檢 索 閱 覽 下 載 或 列 印 指 導 教 師 :_ 蕭 明 椿 ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 授 權 人 學 號 :BD97061 學 生 姓 名 : 魏 芃 葦 ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 學 號 :BD97075 學 生 姓 名 : 陳 翊 綸 ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 學 號 : 學 生 姓 名 : ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 學 號 : 學 生 姓 名 : ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 學 號 : 學 生 姓 名 : ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 學 號 : 學 生 姓 名 : ( 請 親 筆 正 楷 簽 名 ) 中 華 民 國 年 3 月 27 日 27
28 附 件 二 修 平 技 術 學 院 專 題 報 告 全 文 電 子 檔 典 藏 資 料 表 題 目 具 高 阻 抗 之 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 作 者 魏 芃 葦 陳 翊 綸 發 表 日 期 所 屬 系 科 電 機 工 程 系 100 年 12 月 7 日 語 言 中 文 關 鍵 字 高 阻 抗 SARM 靜 態 隨 機 記 憶 體 HSPICE 詞 摘 要 : 本 專 題 所 提 出 之 具 高 靜 態 雜 訊 邊 際 及 低 待 機 功 率 消 耗 之 SRAM, 其 經 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 證 實 其 不 但 可 有 效 避 免 寫 入 邏 輯 1 困 難 之 問 題, 並 能 有 效 降 低 待 機 功 率, 且 具 良 好 的 靜 態 雜 訊 邊 際 (SNM), 再 者, 即 使 將 電 源 供 應 電 壓 下 降 至 1.0V 特, 並 使 用 TSMC 90 奈 米 CMOS 製 程 參 數 加 以 模 擬, 仍 能 具 有 良 好 的 性 能 指 導 教 師 蕭 明 椿 ( 一 ) 本 表 所 有 欄 位 請 務 必 確 實 填 寫 ( 二 ) 填 寫 完 成 後 請 列 印 一 份, 並 將 本 表 電 子 檔 案 一 併 置 於 專 題 全 文 電 子 檔 案 光 碟 內 ( 三 ) 請 將 本 表 授 權 書 全 文 電 子 檔 案 光 碟 與 書 面 報 告 兩 份, 送 交 系 科 助 理 填 表 人 : 魏 芃 葦 系 科 辦 公 室 : 圖 書 館 出 版 組 : 28
6-1-1極限的概念
選 修 數 學 (I-4 多 項 式 函 數 的 極 限 與 導 數 - 導 數 與 切 線 斜 率 定 義. f ( 在 的 導 數 : f ( h 對 實 函 數 f ( 若 極 限 存 在 h h 則 稱 f ( 在 點 可 微 分 而 此 極 限 值 稱 為 f ( 在 的 導 數 以 f ( 表 示 f ( f ( 函 數 f ( 在 的 導 數 也 可 以 表 成 f ( 註 : 為 了
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臺 灣 集 中 保 管 結 算 所 股 份 有 限 公 司 辦 理 認 購 ( 售 ) 權 證 帳 簿 劃 撥 作 業 配 合 事 項 部 分 條 文 修 正 條 文 對 照 表 附 件 1 修 正 條 文 現 行 條 文 說 明 第 五 章 認 購 ( 售 ) 權 證 之 權 利 行 使 第 一 節 認 購 權 證 採 證 券 給 付 或 以 證 券 給 付 之 認 購 權 證 發 行 人 得 選
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第 四 章 - 試 分 別 說 明 組 合 邏 輯 電 路 與 序 向 邏 輯 電 路 之 定 義 解 : 組 合 邏 輯 電 路 由 基 本 邏 輯 閘 所 組 成 的 此 種 邏 輯 電 路 之 輸 出 為 電 路 所 有 輸 入 的 組 合 因 此 輸 出 狀 態 可 完 全 由 目 前 之 輸 入 來 決 定 而 組 合 邏 輯 電 路 之 示 意 圖 如 圖 所 a 示 ; 而 序 向 邏
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95 年 訂 定 96 年 11 月 修 正 97 年 10 月 修 正 100 年 2 月 修 正 101 年 4 月 修 正 102 年 1 月 修 正 103 年 4 月 修 正 103 學 年 度 入 學 新 生 適 用, 舊 生 可 比 照 適 用 1. 研 究 生 須 於 入 學 後 第 二 學 期 開 學 前 選 定 指 導 教 授, 經 課 程 委 員 會 認 定 後 方 得 繼 續
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有 機 農 產 品 及 有 機 農 產 加 工 品 驗 證 管 理 辦 法 (101.06.07 修 正 ) 第 一 條 本 辦 法 依 農 產 品 生 產 及 驗 證 管 理 法 ( 以 下 簡 稱 本 法 ) 第 五 條 第 二 項 規 定 訂 定 之 第 二 條 本 辦 法 用 詞, 定 義 如 下 : 一 生 產 廠 ( 場 ): 指 在 國 內 生 產 加 工 分 裝 或 流 通 有 機
章節
試 題 阿 財 每 年 年 初 存 入 銀 行 0000 元, 年 利 率 %, 每 年 計 息 一 次, () 若 依 單 利 計 息, 則 第 0 年 年 底 的 本 利 和 多 少? () 若 依 複 利 計 息, 則 第 0 年 年 底 的 本 利 和 約 為 多 少?( 近 似 值 :0 0 計 ) 編 碼 0044 難 易 中 出 處 高 雄 中 學 段 考 題 解 答 ()000 元
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有 關 登 載 事 宜 的 電 子 呈 交 系 統 簡 易 參 考 指 南 2016 年 5 月 1.4 版 本 第 1 頁 目 錄 1 登 入 前 要 準 備 的 資 料... 4 2 登 入 電 子 呈 交 系 統... 5 2.1 輸 入 使 用 者 編 號 及 密 碼... 5 2.2 接 受 免 責 聲 明 的 版 頁... 5 2.3 從 主 項 目 單 中 選 擇... 5 3 一 次
PROSPECT EXPLORATION 壹 前 言 20 90 066 第 9 卷 第 2 期 中 華 民 國 100 年 2 月
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檔 號 : (20) in EDB(SCR) 25/58/11 Pt.4 教 育 局 通 告 第 3/2012 號 2012 年 教 育 ( 修 訂 ) 規 例 2012 年 教 育 ( 豁 免 )( 提 供 非 正 規 課 程 的 私 立 學 校 )( 修 訂 ) 令 2012 年 香 港 考 試 及 評 核 局 條 例 ( 修 訂 附 表 1) 令 [ 注 意 : 本 通 告 應 交 ( a )
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摘 要 魔 術 師 讀 心 術 背 後 到 底 藏 了 多 少 祕 密? 一 般 觀 眾 心 裡 常 有 著 這 句 話 本 研 究 我 們 破 解 了 魔 術 師 透 過 數 學 規 律 加 上 置 中 手 法 完 成 一 連 串 騙 人 撲 克 牌 遊 戲, 也 學 會 了 如 何 透 過 整 理 表 格 方 式, 來 找 出 數 學 規 律, 也 更 懂 得 如 何 把 簡 單 數 學 技 巧
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綠 野 仙 蹤 繪 本 創 意 教 案 教 案 設 計 / 朱 秀 芳 老 師 28 寫 作 背 景 導 讀 [98] L Lyman Frank Baum 1856-1919 1882 1886 1900 1939 故 事 簡 介 綠 野 仙 蹤 心 得 分 享 [99] 處 處 有 仙 蹤 繪 本 創 意 教 案 設 計 者 : 朱 秀 芳 適 用 年 級 : 授 課 時 間 :200 教 學
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附 件 一 公 務 員 資 歷 組 別 I. 資 歷 組 別 及 名 稱 資 歷 組 別 名 稱 1 無 需 中 學 會 考 五 科 及 格 2 中 學 會 考 證 書 第 一 組 : 需 要 香 港 中 學 會 考 五 科 及 格 的 第 二 組 : 需 要 香 港 中 學 會 考 五 科 及 格 並 具 相 當 經 驗 的 3 高 級 文 憑 及 文 憑 第 一 組 : 高 級 文 憑 第 二
課 程 簡 介 第 一 章 基 本 電 路 理 論 第 二 章 半 導 體 物 理 與 pn 接 面 二 極 體 元 件 分 析 第 三 章 二 極 體 電 路 分 析
電 子 學 ( 一 ) 課 程 簡 介 第 一 章 基 本 電 路 理 論 第 二 章 半 導 體 物 理 與 pn 接 面 二 極 體 元 件 分 析 第 三 章 二 極 體 電 路 分 析 第 四 章 雙 載 子 接 面 電 晶 體 第 五 章 雙 載 子 接 面 電 晶 體 之 直 流 偏 壓 分 析 第 六 章 雙 載 子 接 面 電 晶 體 之 交 流 小 訊 號 分 析 基 本 電 路
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第 直 流 迴 路 章 4-1 節 點 電 壓 法 4-2 迴 路 電 流 法 4-3 重 疊 定 理 4-4 戴 維 寧 定 理 4-5 最 大 功 率 轉 移 4-6 諾 頓 定 理 4-7 戴 維 寧 與 諾 頓 之 轉 換 重 點 掃 描 習 題 探 討 熟 練 節 點 電 壓 法 的 解 題 技 巧 熟 練 迴 路 電 流 法 的 解 題 技 巧 熟 練 重 疊 定 理 的 解 題 技 巧
2 2.1 A H 2.2 601288 1288 12 360001 360009 69 100005 86-10-85109619 86-10-85108557 ir@abchina.com 2
AGRICULTURAL BANK OF CHINA LIMITED 1288 2016 2016 3 31 571 XIVA 13.09(2) 13.10B 1 1.1 1.2 2016 4 28 2016 5 2016 1414 1.3 1.4 1 2 2.1 A H 2.2 601288 1288 12 360001 360009 69 100005 86-10-85109619 86-10-85108557
二 兒 歌 選 用 情 形 ( ) 2 ( ) ( ) 1. 158 2.
兒 歌 內 容 分 析 ~ 以 台 灣 省 教 育 廳 發 行 之 大 單 元 活 動 設 計 內 之 兒 歌 為 例 ~ 摘 要 82 76 158 一 兒 歌 類 目 的 分 布 情 形 ( ) 26 23 22 16 61 38.6 16.5 ( ) 二 兒 歌 選 用 情 形 ( ) 2 ( ) ( ) 1. 158 2. 第 一 章 緒 論 第 一 節 研 究 動 機 79 第 二 節 研
支 持 機 構 : 社 會 文 化 司 主 辦 機 構 : 澳 門 學 聯 澳 門 青 年 研 究 協 會 電 話 : 傳 真 : 網 址 : 報 告 主 筆 : 李 略 博 士 數 據 錄
家 長 對 澳 門 中 小 學 教 育 現 狀 的 意 見 調 查 報 告 主 辦 機 構 : 澳 門 中 華 學 生 聯 合 總 會 澳 門 青 年 研 究 協 會 2009.3 支 持 機 構 : 社 會 文 化 司 主 辦 機 構 : 澳 門 學 聯 澳 門 青 年 研 究 協 會 電 話 : 00853-28365314 28526255 傳 真 : 00853-28526937 網 址 :
一、 資格條件：
臺 灣 港 務 股 份 有 限 公 司 新 進 人 員 甄 選 規 範 交 通 部 民 國 102 年 7 月 22 日 交 人 字 第 1025010095 號 函 核 定 交 通 部 民 國 103 年 8 月 4 日 交 授 港 總 人 字 第 10300564431 號 函 核 定 修 正 交 通 部 民 國 104 年 2 月 13 日 交 授 港 總 人 字 第 10401620891
128 提 示 樞 紐 分 析 表 的 用 途 樞 紐 分 析 表 是 指 可 以 用 來 快 速 合 併 和 比 較 大 量 資 料 的 互 動 式 表 格, 透 過 它 可 以 詳 細 分 析 數 值 資 料, 特 別 適 用 於 下 列 情 況 : 需 要 從 含 有 大 量 資 料 的 清
Chapter 06 使 用 樞 紐 分 析 表 快 速 分 組 資 料 127 學 習 要 點 認 識 樞 紐 分 析 表 建 立 樞 紐 分 析 表 調 整 樞 紐 分 析 表 的 版 面 配 置 顯 示 群 組 小 計 的 合 計 折 疊 與 展 開 明 細 資 料 篩 選 與 排 序 樞 紐 分 析 表 資 料 新 增 計 算 欄 位 本 章 結 構 什 麼 是 樞 紐 分 析 表 適 用
LP5-102072電腦週邊設備用品_第一組印表機規範書
1. 印 表 機 1-1 (14~25 頁 ) Host Based(GDI) 印 表 機 1 2 項 ) 第 一 組 印 表 機 規 範 書 及 答 標 單 1-1-1. 可 用 紙 張 : 標 準 A4/Letter 紙 張 1-1-2. 列 印 速 度 :A4 紙 張 每 分 鐘 14~25 頁 1-1-3. 輸 出 格 式 : 黑 白 輸 出 1-1-4. 解 析 度 :600dpi( 含
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主 任 導 師 一 年 級 導 師 系 學 會 導 師 二 年 級 導 師 教 育 專 業 課 26 學 分 教 師 資 格 檢 定 考 試 ( 每 年 3 月 ) 中 等 學 校 教 師 證 書 學 習 護 照 ( 實 地 實 習 研 習 服 務 時 數 心 霊 美 學 與 藝 術 人 文 活 動 ) 修 畢 師 資 職 前 教 育 證 明 書 教 師 甄 試 專 門 課 程 ( 任 教 類
自 動 行 車 監 控 系 統 除 能 提 供 捷 運 系 統 全 自 動 化 無 人 駕 駛 環 境 外, 更 扮 演 著 確 保 行 車 安 全 及 服 務 品 質, 提 升 系 統 運 能 的 重 要 角 色 自 動 行 車 保 護 系 統 2014 4 496 61
大 眾 捷 運 系 統 的 靈 魂 自 動 行 車 監 控 系 統 核 心 系 統 3 60 2014 4 496 自 動 行 車 監 控 系 統 除 能 提 供 捷 運 系 統 全 自 動 化 無 人 駕 駛 環 境 外, 更 扮 演 著 確 保 行 車 安 全 及 服 務 品 質, 提 升 系 統 運 能 的 重 要 角 色 自 動 行 車 保 護 系 統 2014 4 496 61 PID,
答客問
強 積 金 網 上 查 詢 服 務 答 客 問 第 一 部 份 : 登 入 版 面 Q1. 計 劃 編 號 (Scheme No) 是 什 麼? A1. 每 一 個 參 加 強 積 金 計 劃 的 僱 主 或 成 員 均 有 一 個 計 劃 編 號, 您 可 於 交 通 銀 行 強 積 金 計 劃 的 函 件 上 找 到 Q1. 登 入 名 稱 (Login ID) 是 什 麼? A2. 如 果 您
認可人士、註冊結構工程師及註冊岩土工程師作業備考 ADM-6
屋 宇 署 認 可 人 士 註 冊 結 構 工 程 師 及 註 冊 岩 土 工 程 師 作 業 備 考 ADM-6 結 構 及 岩 土 設 計 使 用 的 電 腦 程 式 認 可 人 士 註 冊 結 構 工 程 師 或 註 冊 岩 土 工 程 師 可 以 使 用 電 腦 程 式 作 計 算 分 析 來 輔 助 其 設 計, 或 使 用 電 腦 程 式 製 備 呈 交 予 建 築 事 務 監 督 的
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綠 河 股 份 有 限 公 司 董 事 會 議 事 規 則 制 訂 及 修 正 紀 錄 一 本 規 則 初 版 於 2012 年 7 月 21 日 制 訂 二 本 規 則 第 一 次 修 訂 於 2013 年 6 月 29 日 三 本 規 則 第 二 次 修 訂 於 2014 年 6 月 25 日 綠 河 股 份 有 限 公 司 董 事 會 議 事 規 則 第 1 條 本 董 事 會 議 事 規 則
本 題 各 點 彼 此 均 有 相 互 關 聯, 作 答 不 完 整, 將 影 響 各 評 分 點 之 得 分, 請 注 意 檔 名 儲 存 錯 誤, 該 題 一 律 0 分 計 算 1. 1. 深 淺 圖 表.xlsx 請 依 下 方 題 目 敘 述 操 作 ( 佔 總 分 :) 儲 存 格 範
2012 世 界 盃 電 腦 應 用 技 能 競 賽 全 國 總 決 賽 競 賽 試 題 暨 評 分 彙 總 表 競 賽 項 目 文 書 處 理 文 書 處 理 Word 2007 Word 2010 電 子 試 算 表 電 子 試 算 表 Excel 2007 電 腦 簡 報 電 腦 簡 報 PowerPoint 2007 PowerPoint 2010 試 題 攜 出 試 場, 一 律 零 分
二零零六至零七年施政報告
1 3 4 13 14 34 17 19 20 24 2 5 26 27 28 29 3 0 31 32 3 3 3 4 35 50 36 42 43 45 46 48 49 50 51 66 52 57 58 60 61 65 6 6 67 76 1. 2. 3. 1 4. 5. 6. CEPA 7. 8. 9. 2 10. 11. 12. 13. 3 14. 15. 16. 17. 4 18.
2 飲 料 調 製 丙 級 技 術 士 技 能 檢 定 必 勝 寶 典 Beverage Modulation Preparation 應 考 綜 合 注 意 事 項 A1 A2 A3 A4 A5 A6 B7 B8 B9 B10 B11 B12 C13
1Part BEVERAGE MODULATION PREPARATION 2 飲 料 調 製 丙 級 技 術 士 技 能 檢 定 必 勝 寶 典 Beverage Modulation Preparation 應 考 綜 合 注 意 事 項 1. 980301 980302 980303 A1 A2 A3 A4 A5 A6 B7 B8 B9 B10 B11 B12 C13 C14 C15 C16
桃園市104年國民中學新進教師甄選各校複試方式及需求表
桃 園 市 105 年 國 民 中 學 新 進 教 師 甄 選 各 校 複 試 方 式 及 需 求 表 編 號 校 名 教 評 會 審 查 方 式 及 學 校 需 求 備 註 1 2 桃 園 青 溪 ( 一 ) 口 試 80% 是 否 符 合 學 校 需 求 度 20% 具 數 學 專 長 者 為 佳 ( 一 ) 口 試 70% 是 否 符 合 學 校 需 求 度 30 % 需 擔 任 資 源 班
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序 1 16 序 2 KK KK KK KK KK KK 溫 溫 KK KK 周 婉 芬 博 士 2016 年 5 月 前 言 平 安 健 康 便 好 了 16 10 ICU ICU 26 300 26 10 ICU ICU 曾 錦 強 2016 年 5 月 目 錄 Chapter 1 家 庭 親 子 關 係 1.1 多 存 款 入 關 係 戶 口 2 1.2 不 傷 關 係 管 學 業 12 1.5
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陸 港 通 龍 卡 常 遇 問 題 一 般 問 題 o 甚 麼 是 陸 港 通 龍 卡? o 陸 港 通 龍 卡 具 有 哪 些 特 點? o 陸 港 通 龍 卡 適 合 甚 麼 客 戶 使 用? 陸 港 通 龍 卡 申 請 須 知 o 陸 港 通 龍 卡 的 發 卡 對 象 是 甚 麼? o 聯 名 賬 戶 或 公 司 客 戶 可 以 申 請 陸 港 通 龍 卡 嗎? o 現 時 哪 一 個 建
基 金 配 息 資 訊 聯 博 境 外 基 金 2016 AA/AD/AT/BA/BD/BT 月 份 除 息 日 2016 年 01 月 01 月 28 日 01 月 29 日 2016 年 02 月 02 月 26 日 02 月 29 日 2016 年 03 月 03 月 30 日 03 月 31
基 金 配 息 資 訊 聯 博 基 金 歷 史 配 息 及 報 酬 率 資 訊 境 外 基 金 ( 本 基 金 有 相 當 比 重 投 資 於 非 投 資 等 級 之 高 風 險 債 券 且 配 息 來 源 可 能 為 本 金 ) ( 本 基 金 主 要 係 投 資 於 非 投 資 等 級 之 高 風 險 債 券 且 配 息 來 源 可 能 為 本 金 ) ( 基 金 之 配 息 來 源 可 能 為
(3) 澳 門 特 別 行 政 區 之 稅 務 知 識 及 (4) 商 法 典 ( 二 ) 重 新 批 准 註 冊 為 註 冊 會 計 師 / 專 業 會 計 員 之 筆 試 科 目 如 下 : (1) 澳 門 特 別 行 政 區 之 稅 務 知 識 及 (2) 商 法 典 ( 三 ) 考 試 範
核 數 師 暨 會 計 師 註 冊 委 員 會 首 次 註 冊 為 註 冊 會 計 師 / 專 業 會 計 員 及 重 新 批 准 註 冊 為 註 冊 會 計 師 / 專 業 會 計 員 之 考 試 規 章 根 據 十 一 月 一 日 第 72/99/M 號 法 令 核 准 之 會 計 師 通 則 第 四 條 第 三 款 之 規 定, 申 請 首 次 註 冊 為 註 冊 會 計 師 / 專 業 會
業 是 國 家 的 根 本, 隨 著 科 技 的 進 步 與 社 會 的 富 裕, 增 加 肥 料 的 施 用 量 與 農 病 蟲 害 防 治 方 法 的 提 升, 使 得 糧 食 產 量 有 大 幅 的 增 長, 但 不 當 的 農 業 操 作, 如 過 量 的 肥 料 農 藥 施 用 等, 對
業 是 國 家 的 根 本, 隨 著 科 技 的 進 步 與 社 會 的 富 裕, 增 加 肥 料 的 施 用 量 與 農 病 蟲 害 防 治 方 法 的 提 升, 使 得 糧 食 產 量 有 大 幅 的 增 長, 但 不 當 的 農 業 操 作, 如 過 量 的 肥 料 農 藥 施 用 等, 對 生 態 環 境 產 生 很 嚴 重 的 傷 害, 為 確 保 農 業 的 永 續 發 展 與 安 全
虛擬交易所97年GVE3簡易版.doc
目 錄 一 台 灣 上 市 / 上 櫃 股 票...2 二 台 灣 期 貨...4 三 台 灣 選 擇 權...5 四 台 灣 上 市 / 櫃 權 證...7 五 投 組 清 單...8 六 現 金 帳 戶 轉 移...9 七 掛 單 追 蹤... 11 八 歷 史 交 易 記 錄...13 九 投 組 分 析...15 十 新 舊 版 本 差 異...16 1 一 台 灣 上 市 / 上 櫃 股
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觀 念 篇 關 係 式 描 述 兩 個 變 數 x 與 y 之 間 關 係 的 數 學 式 子 例 題 練 習 1. 時 速 60 (km/h) 前 進, 求 距 離 y ( 公 里 ) 與 時 間 x ( 小 時 ) 的 關 係 式 關 係 式 就 是 描 述 兩 個 變 數 x 與 y 之 間 關 係 的 數 學 式 子 例 如 :y=60x 2. 媽 媽 的 年 齡 (x 歲 ) 比 女 兒
篇 考 績 察 事 條 例 有 關 額 外 給 與 考 績 獎 金 之 規 定 待 遇 俸 給 現 行 俸 給 及 各 項 加 給 危 勞 降 齡 退 休 具 有 危 險 及 勞 力 等 特 殊 性 質 職 務 降 低 退 休 年 齡 規 定 察 陞 遷 資 積 計 分 察 局 內 部 請 調 或 陞 職, 資 積 計 分 作 業 察 定 期 請 調 作 業 基 層 定 期 請 調 及 特 殊 困
人 們 在 為 生 活 空 間 中 的 物 品 選 擇 色 彩 時, 不 自 覺 地 會 反 應 出 大 腦 對 色 彩 的 解 釋, 設 計 師 若 能 掌 握 色 彩 所 隱 藏 的 訊 息, 便 可 以 充 分 利 用 並 創 造 出 極 具 魅 力 的 產 品 視 覺 對 知 覺 的 影 響
色 彩 是 人 的 視 覺 機 制 所 創 造 出 來 用 以 探 究 環 境 的 工 具, 它 不 僅 能 提 供 辨 識 的 作 用, 還 具 有 知 覺 與 文 化 上 的 意 涵, 並 能 引 發 強 烈 到 超 越 理 智 的 情 緒 反 應, 對 人 類 的 生 活 影 響 十 分 深 遠 2120 21 3 30 20109453 人 們 在 為 生 活 空 間 中 的 物 品 選 擇
( 二 ) 輔 導 員 除 有 特 殊 情 形 外, 同 時 間 以 輔 導 一 人 為 原 則, 至 多 不 得 超 過 二 人 ( 三 ) 實 務 訓 練 機 關 ( 構 ) 學 校 於 實 務 訓 練 期 間 對 由 資 深 人 員 擔 任 之 輔 導 員 得 酌 減 業 務 五 輔 導 重
公 務 人 員 考 試 錄 取 人 員 實 務 訓 練 輔 導 要 點 中 華 民 國 九 十 年 十 一 月 十 五 日 保 訓 會 公 訓 字 第 九 六 四 四 七 號 函 發 布 中 華 民 國 九 十 一 年 十 月 二 十 一 日 保 訓 會 公 訓 字 第 九 一 六 二 四 號 函 修 正 發 布 中 華 民 國 九 十 三 年 三 月 八 日 保 訓 會 公 訓 字 第 九 三 一
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得 分 : 101 學 年 度 第 2 學 期 Ch2-5 數 字 系 統 與 資 料 表 示 法 命 題 教 師 : 範 圍 : 年 班 號 姓 名 一 單 選 題 : ( 1 ) 1. 通 常 PC 上 採 用 2 的 補 數 法 表 示 負 整 數, 所 使 用 的 整 數 範 圍 為 -32768 到 +32767, 請 問 此 情 況 下, 一 個 整 數 佔 用 多 少 Bytes? (1)2
75 叁 積 木 遊 戲 的 教 學 功 能 一 促 進 體 能 發 展 二 發 展 社 會 技 巧 Ramsey 1991 Beaty 1995 ( ) ( ) ( ) 三 學 習 情 緒 處 理 國 教 之 友 第 59 卷 第 3 期 19
75 叁 積 木 遊 戲 的 教 學 功 能 一 促 進 體 能 發 展 二 發 展 社 會 技 巧 Ramsey 1991 Beaty 1995 ( ) ( ) ( ) 三 學 習 情 緒 處 理 國 教 之 友 第 59 卷 第 3 期 19 四 增 進 認 知 體 驗 五 提 升 語 言 層 次 六 激 發 創 造 力 發 展 88 肆 幼 兒 在 積 木 遊 戲 上 的 發 展 過 程 86
HSBC Holdings plc Interim Report 2015 - Chinese
聯 繫 客 戶 創 先 機 助 握 商 情 百 五 載 HSBC Holdings plc 滙 豐 控 股 有 限 公 司 2015 年 中 期 業 績 報 告 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
國中數學基本學習內容補救教材 第二冊
五 -1 單 元 五 比 與 比 例 式 主 題 1 比 與 比 值 及 其 應 用 一 比 : 兩 個 數 量 以 : 區 隔, 藉 以 呈 現 兩 個 數 量 的 關 係 稱 為 比 例 如 : 一 年 四 班 有 15 個 男 生,18 個 女 生, 則 男 生 人 數 : 女 生 人 數 =15:18 練 習 大 小 兩 個 正 方 形 的 邊 長 各 為 3 公 分 與 2 公 分, 請
教 師 相 關 ( 升 等, 依 業 務 需 002 交 通 管 科 評 鑑, 評 量, 徵,C031, 聘, 各 項 考 試 委 C051,C054, 員, 通 訊 錄 等 ),C057, C058,C063 各 項 會 議 紀 錄 依 業 務 需 C001,, 002,130 交 通 管 科 (
個 資 檔 案 名 稱 保 有 依 據 個 資 類 別 特 定 目 的 保 有 單 位 教 職 員 業 務 聯 絡 資 料 ( 含 教 職 員 工 通 訊 錄 校 安 中 心 通 訊 錄 文 康 活 動 名 冊 ) 電 子 郵 件 管 業 務 需 C001 002 工 業 與 資 訊 管 各 類 申 請 表 相 關 資 料 ( 含 門 禁 磁 卡 申 請 表 汽 機 車 通 行 證 申 請 資 料
行政院金融監督管理委員會全球資訊網-行政院金融監督管理委員會
發 行 人 證 券 商 證 券 交 易 所 會 計 主 管 資 格 條 件 及 專 業 進 修 辦 法 暨 發 行 人 證 券 商 證 券 交 易 所 會 計 主 管 進 修 機 構 審 核 辦 法 問 答 集 105 年 5 月 修 訂 一 會 計 主 管 之 定 義 ( 會 計 主 管 資 格 條 件 及 專 業 進 修 辦 法 第 2 條 ) ( 一 ) 何 謂 會 計 主 管? 證 券 交
期交所規則、規例及程序
黃 金 期 貨 合 約 細 則 下 述 合 約 細 則 適 用 於 黃 金 期 貨 合 約 : 相 關 資 產 合 約 單 位 交 易 貨 幣 合 約 月 份 報 價 最 低 價 格 波 幅 立 約 成 價 立 約 價 值 持 倉 限 額 成 色 不 少 於 995 的 黃 金 100 金 衡 安 士 美 元 現 貨 月 及 下 兩 個 曆 月 集 團 行 政 總 裁 與 證 監 會 會 商 後 可
【100年諮商輔導所應考科目】
( ) 13 年 類 師 在 職 進 修 專 錄 組 別 別 考 試 科 目 考 試 規 定 及 資 格 限 制 取 人 數 台 北 市 立 大 心 諮 商 位 1. 筆 試 9% 心 ( 含 測 驗 評 量 ) 輔 導 諮 商 2. 服 務 年 資 積 分 1% ( 須 繳 交 服 務 經 歷 證 明 文 件 ) 持 有 國 民 小 或 稚 園 合 格 師 證 書, 並 符 合 下 列 任 一 條