规格书编写规范

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1 概述 是一款恒流恒压线性充电芯片, 提供涓流, 恒流, 恒压标准三段式充电, 可提供持续 0.6A 的充电电流 超高输入耐压, 适配器输入端口瞬间可承受 8V 电压冲击, 并且可以在输入 7V 的条件下持续工作, 可以适用于多种复杂或者不确定的充电输入条件 产品具有恒温充电功能, 根据芯片温度反馈调整输出电流, 保证芯片工作在安全的温度范围内 ; 限流值可通过外部电阻调整 ; 达到预设电压并且电流小于设定值的 1/10 后自动停止充电 产品具有输入电压反馈功能, 当输入电压降至设定值时自动减小输出电流以维持输入电压稳定 无输入电压时, 芯片自动进入低功耗模式, 电池流出的电流小于 2uA 无输入适配器或者输入端短路时自动切断功率路径防止电池电流反灌 芯片还具有输入欠压保护, 自动再充电, CHRG 管脚可通过外部 LED 指示充电状态 产品特点 集成 MOS 管, 支持 0.6A 连续电流输出 输入耐压 8V, 可在 7V 下持续工作 涓流 恒流 恒压标准三段式充电 内置温度反馈环路, 保证芯片工作在安全的温度范围内 自动再充电功能 充电状态指示 功率路径反向自动关断 充电电流软启动, 避免电流过冲拉低输入端 应用领域 移动电话 PDA MP3 MP4 移动充电器 移动电源 电动玩具 其他便携式电子设备 SOT235 封装形式 引脚定义 NUM PIN DESCRIPTION 1 CHRG 充电指示, 外接指示灯串联限流电阻到电源 2 GND 地电位 3 VBAT 电池正极 4 VIN 电源输入 5 ISET 电流设置脚, 外接电阻到 GND Page 1 / 6 Rev

2 产品封装信息 原理图 VIN 3.7V Amp gate Tdie Tref TA Control CHRG ISET VREF CA 4.2V VA VBAT Page 2 / 6 Rev

3 极限电气参数 (at TA = 25 C) Characteristics Rating Unit VIN to GND 0.3 to 8 V ISET TO GND 0.3 to VIN0.3 V VBAT TO GND 0.3 to 8 V CHRG TO GND 0.3 to 8 V VBAT PIN CURRENT 1 A ISET PIN CURRENT 1 ma 工作环境温度 40 to 85 C 存储温度 65 to 125 C 电性参数 (VIN=5V, TA=25 C, unless otherwise specified) Characteristics Symbol Conditions Min Typ Max Units 工作电压范围 VIN V 工作电流 I IN Charge mode, RSET=10K 2000 ua 待机电流 I INstb VIN<V UVLO 500 ua 休眠电流 I INsleep VIN<VBAT 50 ua 欠压保护电压 V UV VIN from low to high V 欠压保护迟滞 V UVHYS 0.4 V 输出恒压电压 Vfloat IBAT=40mA V 再充电电压 Vrcg V RSET=2k, 电流模式 ma VBAT 电流 Ibat 待机状态,Vbat=4.2V ua 休眠状态 ua 涓流充电电流 Itrikl Vbat<Vtrikl,RSET=2k ma 涓流充电阈值电压 Vtrikl RSET=10K,Vbat Rising V 涓流充电迟滞电压 Vtrhys RSET=10K 0.14 V 输入电阻补偿电压 VINmin RSET=2K,RIN=1Ω V 充电完成电流阈值 Iterm RSET=2k ma 电流设置端电压 Vprog RSET=2k, Current mode V VCCVBAT 欠压阈值 VBAT=4.2V,VCC rising mv VCC falling mv 输出管阻抗 250 mω 软启动时间 t SS 200 us 再充电延迟时间 t RECHARGE 1.7 ms 充电完成延迟时间 t TERM 0.8 ms PROG 上拉电流 3 ua 指示端口低电压 Vchrg I=5mA V 温度保护点 Tovp 130 温度保护迟滞 Thys 20 Page 3 / 6 Rev

4 应用线路图 VIN 1k 1uF 6 ISET 4 VINCHRG VBAT 1 5 RSET GND 2 10uF Liion GND 功能描述芯片工作模式 VIN 小于 VBAT 时芯片处于休眠状态, 充电器不充电,VIN 及 VBAT 端口仅消耗很小的电流 VIN 高于 VBAT 但低于 VINmin 时, 芯片处于待机状态, 不充电 VIN 高于 VINmin 和 VBAT 后, 芯片才能充电 根据 VBAT 的电平判定充电模式 : VBAT 低于涓流充电阈值时, 芯片处于涓流模式,IBAT=100/RSET( 单位 : 安培, 下同 ); VBAT 高于涓流充电阈值但低于 Vrcg 时, 芯片处于充电模式,IBAT=1000/RSET; VBAT 高于 Vrcg 时, 如果充电电流大于 100/RSET, 则继续充电 ; 否则停止充电, 进入待机状态 当 VBAT 低于 Vrcg 后重新充电 (VCC 上电时, 芯片默认为充电状态 ) 保护芯片温度达到温度保护点会触发温度保护, 输出电流会随温度升高逐渐减小, 最终达到稳定的温度和电流 ; 如果温度继续升高, 功率管会最终关断, 防止芯片过热导致的损坏 所有管脚均设有 ESD 保护电路, 芯片具有一定的 ESD 防护能力, 但是在实际生产 测试过程中, 可能产生高于芯片 ESD 防护能力的静电水平, 对芯片造成损害 因此需要采取良好的接地和屏蔽措施防止 ESD 损伤的发生 状态指示 CHRG 脚可用来进行充电的状态指示 按照应用线路连接 LED 灯和限流电阻即可实现 充电状态时 CHRG 为低电平, 灯亮 ; 未充电或充电完成后 CHRG 为高阻, 灯灭 ; 未接电池时, 如 VBAT 对地有接电容, 则芯片会对该电容反复重新充电, 会导致指示灯闪烁, 实现未接电池的提示功能 Page 4 / 6 Rev

5 封装外框尺寸图 5Pin SOST235 Page 5 / 6 Rev

6 包装信息 P W D Package Type Carrier Width (W) Pitch (P) Reel Size(D) Packing Minimum SOT ±0.1 mm 4.0±0.1 mm 180±1 mm 3000pcs **Note: Carrier Tape Dimension, Reel Size and Packing Minimum Page 6 / 6 Rev

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