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1 概述 主要是作为 PIR ( Passive Infra-Red ) 的控制器, 利用 PIR 可以感应动作的特性来启动电路功能, 其内部架构采用模拟及数字混合电路的 Mixed-mode 方式来设计, 各种状况下使用皆十分稳定, 输出部份可由使用者选择驱动 或 增加了应用上的灵活度, 实际的应用线路相同简单, 可以大幅降低成本 功能特点 高抗噪声能力. 可驱动可控硅 ( ) 及继电器. 延时时间可调 集成过零检测, 交流电源同步触发 内置两级运放增益可调 外接硫化镉 ( ) 传感器控制线路 16 脚封装. 产品应用 移动感应测器, 家庭 办公室 工厂等保全系统, 自动照明系统, 自动门铃 引脚结构 -L16 -S16 1/

2 引脚功能描述 引脚 名称 功能描述 1 第一级 OP 运放的输出端 2 第一级 OP 运放的正输入端 3 第一级 OP 运放的负输入端 4 稳压电路的电压输出 5 电源负端 6 外接 R.C. 振荡线路, 产生系统频率. 当 PIR 侦测到讯号, 此讯号长度必须要大于 768 个 周期, 系统才会确认此讯号, 当系统确认成立后, 会再延迟 32 个 周期, 然后送出 Pulse 触发 及 当 及 由 Active 转为 Inactive 时, 系统需要再经过 4096 个 周期, 才可再次被触发 可由外接 R.C. 来决定周期, 参考图 1 7 IC 测试用 8 9 外接 R.C. 振荡线路, 可调整 及 Active 的时间长短. 当系统确认被触发后, 及 端会持续 Active 的输出讯号, 此 Active 讯号长度由 TC 来控制, 其总时间为 个 TC 的周期, 因此触发时间长短可由 来决定, 而 的周期可由外接 R.C. 来调整 每当系统被触发后, 如还在 Active 周期内,PIR 再次被触发, 则 TC 将重新开始计数 个周期, 参考图 2. 外接 Sensor 可感应环境亮度变化, 此输入端内接史密特触发器是用来侦测白天或晚上, 当亮度够亮时, 端会维持在低电位, 此时会抑制 PIR 被触发, 反之则 端会维持在高电位, 此时则允许 PIR 被触发 10 TRAIC 当系统被触发后, 此讯号会 Active Low 可驱动可控硅 ( ) 11 当系统被触发后, 此讯号会 Active High 可驱动 12 侦测交流讯号的 Zero Crossing 13 电源正端 14 第二级 OP 运放的负输入端 15 第二级 OP 运放的正输入端 16 第二级 OP 运放的输出端 2/

3 图 1: R C OSCII 图 2: R C OSCII DIVIDER 时序图 : 1.95V Signal on Pin ( T B = 16KHz ) 1.25V < 220ms > 220ms > 220ms < 220ms > 220ms Window detector output Pulse width detector output Pin Pin 220ms Delay time Pin 3/

4 4/ 方块框图 TC1 1.25V DETECTOR VOLTAGE LOGIC OSC SYSTEM CLOCK OSC COUNTER CONTROL DD ON PIR 3.2V WIDTH DETECTOR 1.95V WINDOW REF. + - PULSE V + -

5 极限参数 (TA=25 ) 参数 符号 参数范围 单位 电源电压 V DD - V SS 5.6 V 引脚电压 -0.3 to 5.6 V 工作温度 Top -20 to 70 储存温度 -65 to 150 电气参数 (TA=25 ) 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 工作电压 V DD V 待机电流 I ST ma 工作电流 I DD ma 1.8mA, / 2.5mA, 参考电压 V REF V V DD > 4.2V 参考电压输出电流 I REF 200 ua 参考电压的纹波 0.5 mv 系统频率 F KHz 转态电压 H V T V 转态电压 L V T V 灌电流 I SINK ma 输出延时时间 T OUT C=0.01uF, R=4.7K-1M SEC C=100pF, R=4.7K-1M Relay 输出电流 I RS 10 ma Relay 灌电流 I RSINK 10 ma Relay 工作电流 V RO V 灌电流 I TSINK 15 ma 输出电流 I TSOURCE 50 ua 5/

6 参考应用电路 一. 用于继电器控制 C9 R7 C5 R3 R4 C4 R5 C6 P C8 R6 C7 R12 C12 PIR S D G C3 R9 R10 Lamp L R14 VR1 R2 R1 C2 C1 TRAIC R8 D3 D1 C10 R11 C11 R13 C13 AC ZD2 ZD1 N C1 0.01uF VR1 1MΩ R13 100Ω/ 1/2W C2 100pF R1 4.7KΩ R14 5.6KΩ C3 100uF R2 620KΩ D1 1N4001 C4 0.01uF R3 47KΩ D3 1N4148 C5 33uF R4 15KΩ ZD1 12V C6 0.1uF R5 820KΩ ZD2 5.6V C7 47uF R6 560KΩ C uF R7 15KΩ C9 47uF R8 51KΩ C10 100uF/10V R9 470KΩ C11 220uF/25V R10 1MΩ C uF/400~600V R11 2.4KΩ C uF/400~600V R12 47Ω/ 1/2W 调整控制信号输出延时时间 Capacitor Resistor Frequency Delay time(sec) K 40KHz K 20KHz K 10KHz K 2KHz K 0.8KHz M 0.2KHz 1300 注 : (1) 改变 VR1 的值, 可调整延时时间 ( VR1=1M, 延时时间 10 sec ) (2) 对于不同的 CD, 可调整 R8 的值应进行调整 (3) 以上均是 =4.5V 时的取值 改变电压值, 则电阻和延时时间的对应关系也会有所变化 6/

7 二. 用于可控硅 ( ) 控制 ( A ) C9 R7 C5 R3 R4 C4 R5 C6 P C7 C8 R6 PIR S D G C3 R10 VR1 R2 R1 C2 C1 R13 TRAIC R8 C10 R9 ZD1 L D1 R11 R12 Lamp AC C11 N C1 0.01uF R1 4.7KΩ C2 100pF R2 620KΩ C3 100uF R3 47KΩ C4 0.01uF R4 15KΩ C5 33uF R5 820KΩ C6 0.1uF R6 560KΩ C7 47uF R7 15KΩ C uF R8 51KΩ C9 47uF R9 470KΩ C10 100uF/10V R10 1MΩ C11 0.1uF/400~600V R11 47Ω/ 1/2W D1 1N4004 R12 100KΩ ZD1 5.6V R13 330Ω 调整控制信号输出延时时间 Capacitor Resistor Frequency Delay time(sec) K 40KHz K 20KHz K 10KHz K 2KHz K 0.8KHz M 0.2KHz 1300 注 : (1) 改变 VR1 的值, 可调整延时时间 ( VR1=1M, 延时时间 10 sec ) (2) 对于不同的 CD, 可调整 R8 的值应进行调整 (3) 以上均是 =4.5V 时的取值 改变电压值, 则电阻和延时时间的对应关系也会有所变化 7/

8 ( B ) C9 R7 C5 R3 R4 C4 R5 C6 P C7 C8 R6 PIR S D G C3 R9 R2 C2 R12 TRAIC R8 VR2 R1 C1 C12 VR1 C10 D1 ZD1 R10 R11 AC L C11 Lamp N C1 0.01uF VR1 1MΩ C2 100pF VR2 1MΩ C3 100uF / 16V R1 4.7KΩ C4 0.01uF R2 620KΩ C5 220uF / 10V R3 47KΩ C6 0.1uF R4 47KΩ C7 22uF / 16V R5 220KΩ C8 683 pf R6 470KΩ C9 47uF / 16V R7 56KΩ C10 470uF / 16V R8 800KΩ C uF / 400~600V R9 720KΩ C12 1uF / 50V R10 47Ω/ 1/2W D1 1N4007 R11 100KΩ ZD1 6.2V R12 100Ω 调整控制信号输出延时时间 Capacitor Resistor Frequency Delay time(sec) K 40KHz K 20KHz K 10KHz K 2KHz K 0.8KHz M 0.2KHz 1300 注 : (1) 改变 VR2 的值, 可调整延时时间 ( VR1=1M, 延时时间 10 sec ) (2) 对于不同的 CD, 可调整 VR1 的值应进行调整 (3) 距离 =4 公尺 (4) 以上均是 =4.5V 时的取值 改变电压值, 则电阻和延时时间的对应关系也会有所变化 8/

9 ( C ) C9 R7 C5 R3 R4 C4 R5 C6 P C7 C8 R6 PIR S D G C3 R9 R2 C2 R12 TRAIC R8 VR2 R1 C1 C12 VR1 C10 D1 ZD1 R10 R11 AC L C11 Lamp N C1 0.01uF VR1 1MΩ C2 100pF VR2 1MΩ C3 100uF / 16V R1 4.7KΩ C4 0.01uF R2 620KΩ C5 33uF / 16V R3 47KΩ C uF R4 15KΩ C7 22uF / 16V R5 820KΩ C uf R6 820KΩ C9 33uF / 16V R7 15KΩ C10 470uF / 16V R8 800KΩ C uF / 400~600V R9 720KΩ C12 1uF / 50V R10 47Ω/ 1/2W D1 1N4007 R11 100KΩ ZD1 6.2V R12 100Ω 调整控制信号输出延时时间 Capacitor Resistor Frequency Delay time(sec) K 40KHz K 20KHz K 10KHz K 2KHz K 0.8KHz M 0.2KHz 1300 注 : (1) 改变 VR2 的值, 可调整延时时间 ( VR1=1M, 延时时间 10 sec ) (2) 对于不同的 CD, 可调整 VR1 的值应进行调整 (3) 距离 =4 公尺 (4) 以上均是 =4.5V 时的取值 改变电压值, 则电阻和延时时间的对应关系也会有所变化 9/

10 电路设计和调试注意事项 1 PIR SENSER 到 的连接线要越短越好 2 双面板或者多层板上,PIR SENSER 到 的连接线下方尽量不要走线, 尤其是不能有大电流的走线 3 PIR SENSER 的负极为信号地 A, 包围 PIR SENSER 和到 的连接线, 与电源地 分开, 只在 附近与电源地 相连 4 PCB 板上 应尽量 Layout 宽, 布满 PCB 板, 且多留过孔贯通, 以提高抗干扰性 5 一定要先装上菲涅尔透镜和成品外壳( 传感器的铁壳和引脚不能裸露 ) 才能进行测试, 否则感应效果差 6 每款菲涅尔透镜都有固定的焦距, 安装时一定要注意, 如果焦距没有调好, 感应灵敏度会很差 * 以上电路及规格仅供参考, 本公司得径行修正 10/

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