HT77xxB 5V/100mA PFM 异步升压转换器特性低启动电压 :0.85V ( 典型值 ) 效率高达 85% 超低空载输入电流高输出电压精度 :±2.5% 固定输出电压 : 1.8V/2.2V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/5.0V 超低关机电流 :0.1μA ( 典型值

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曳肃伊
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1 5V/100mA PFM 异步升压转换器特性低启动电压 :0.85V ( 典型值 ) 效率高达 85% 超低空载输入电流高输出电压精度 :±2.5% 固定输出电压 : 1.8V/2.2V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/5.0V 超低关机电流 :0.1μA ( 典型值 ) 封装类型 : 3-pin SOT23 5-pin SOT23 3-pin SOT89 应用领域单节双节三节碱性 / NiMH / NiCd 电池供电的便携式产品便携式装置 / 手持式设备概述系列为 PFM 升压 DC/DC 转换器, 效率高纹波低此系列具有超低启动电压以及高输出电压精度仅需少量外部元器件便可提供固定的 1.8V/2.2V/2.7V/3.0V/ 3.3V/3.7V/5.0V 输出电压 CMOS 技术确保低电源电流, 使得该系列芯片成为单节或多节电池供电应用的理想选择系列内置一个振荡器一个 PFM 控制电路一个驱动晶体管一个参考电压单元以及一个高速比较器采用脉冲频率调制 (PFM) 可实现轻载输出时电源电流以及纹波为最小这些芯片采用节省空间的 3-pin SOT89 3-pin SOT23 和 5-pin SOT23 封装类型 5-pin SOT23 封装包含芯片使能功能, 在关机模式时可减小功耗典型应用电路 D1: 1N5817 V IN L1: 47μH~100μH (Coil Inductor) LX V C1: 47μF OFF ON CE R1* C2: 22μF (Ceramic) * R1=0.15Ω is recommended to improve ripple performance 选型表型号输出电压封装正印 HT7718B 1.8V HT7722B 2.2V HT7727B 2.7V HT7730B 3.0V HT7733B 3.3V HT7737B 3.7V HT7750B 5.0V 注 : xx 表示输出电压 SOT89 SOT23 SOT23-5 "77xxB":SOT89 封装类型 "7xxB":SOT23 和 SOT23-5 封装类型 Rev

2 方框图 V REF LX LX Limiter 115kHz OSC Buffer PFM Control Chip Enable CE 引脚图 SOT23 SOT23-5 SOT89 LX xxB 7xxB 77xxB LX CE NC LX 引脚说明引脚序号 SOT89 SOT23 SOT23-5 引脚名称引脚说明 1 CE 芯片使能引脚, 高有效输出电压引脚 3 NC 未连接接地 LX 开关引脚 Rev

3 极限参数结到环境的热阻,θ JA 参数数值单位 -0.3 ~ +6.0 V LX 和 CE -0.3 ~ +6.0 V 最大结温 +150 C 储存温度范围 -65 ~ +150 C 焊接温度 ( 焊接 10s ) +260 C ESD 敏感性人体模式 5000 V 机器模式 400 V SOT C/W SOT SOT SOT 功耗,PD SOT W SOT 建议工作范围参数数值单位 VIN 0.85 ~ 5 V 工作电压范围 -40 ~ +85 C 注 : 极限参数表示超过此界限可能将对芯片造成损害建议工作范围表示芯片可正常工作的条件, 但不包含特定限制条件 Rev

4 电气特性 VIN=0.6 V,I=10mA,Ta=25 C, 除非另有说明符号参数测试条件最小典型最大单位 VIN 输入电压范围 5.5 V V 输出电压精度 % VST 启动电压 ( 图 1 ) VIN:0V 2V,I=1mA V VHOLD 保持电压 ( 图 1 ) VIN:2V 0V,I=1mA 0.7 V IIN 空载输入电流 ( 图 1 ) I=0mA μa IDD 无开关操作时电流 ( 图 2 ) VDD=V+0.5V,VX= 浮空 5 10 μa ISHDN 关机电流 ( 图 1 ) CE= μa RDS(ON) 接通电阻 ( 图 3 ) VDD=1.7V,ILX=300mA V=1.8V 0.65 VDD=2.1V,ILX=300mA V=2.2V 0.56 VDD=2.6V,ILX=300mA V=2.7V 0.46 VDD=2.9V,ILX=300mA V=3.0V 0.44 VDD=3.2V,ILX=300mA V=3.3V 0.43 VDD=3.6V,ILX=300mA V=3.7V 0.41 VDD=4.85V,ILX=300mA V=5.0V 0.39 VIH CE 高电压阈值 1.6 V VIL CE 低电压阈值 0.4 V ILEAK LX 漏电流 ( 图 2 ) VDD=VX=V+0.5V, 于 LX 引脚测量 1 μa fosc 振荡器最大频率 ( 图 2 ) VDD=0.9 V,VX=5.5V, 于 LX 引脚测量 Ω 115 khz DOSC 振荡器占空比 ( 图 2 ) VDD=0.9 V,VX=5.5V, 于 LX 引脚测量 % η 效率 85 % 注 : 极限参数表示超过此界限可能将对芯片造成损害建议工作范围表示芯片可正常工作的条件, 但不包含特定限制条件表格中的规格仅保证在所列测试条件下有效 L1: 47μH I IN (Coil Inductor) V IN LX V C1: 47μF (Ceramic) D1: 1N5817 CE C2: 22μF (Ceramic) I X 1kΩ I DD V X LX V DD LX CE I LX CE I DD V DD 2 Rev

5 典型性能特性 VIN=0.6 V,CIN=47µF,C=22µF,L=47µH,Ta=25 C, 除非另有说明 HT7733B 效率 vs. 输出电流 HT7750B 效率 vs. 输出电流 HT7733B IDD vs. Ta HT7750B IDD vs. Ta HT7733B 启动 / 保持电压 HT7750B 启动 / 保持电压 RON vs. VDD Rev

6 VIN=0.6 V CIN=47µF C=22µF L=47µH Ta=25 C 除非另有说明 HT7733B 负载瞬态 (1mA~50mA) HT7750B 负载瞬态 (1mA~50mA) HT7733B 负载瞬态 (1mA~100mA) HT7750B 负载瞬态 (1mA~100mA) HT7733B 线性瞬态波形 (1V~2V, I=50mA) HT7750B 线性瞬态波形 (3V~4V, I=200mA) HT7733B 电源 ON/OFF (I=50mA) HT7750B 电源 ON/OFF (I=50mA) Rev

7 VIN=0.6 V,CIN=47µF,C=22µF,L=47µH,Ta=25 C, 除非另有说明 HT7733B 工作 (I=0mA) HT7750B 工作 (I=0mA) HT7733B 工作 (I=100mA) HT7750B 工作 (I=100mA) HT7733B 芯片使能 HT7750B 芯片使能 Rev

元器件选择功率电感器对于大多数应用, 建议使用 47μH 或更大值的电感, 以保持低输出纹波电压增加电感值将产生较低的输出纹波电压建议选择一个典型值小于 1Ω 的 DCR 以降低效率损失否则, 所选择的电感饱和电流典型值应该大于等于 1A, 且高于其峰值电流 PCB 布局注意事项为了减少传导噪声, 关于 PCB 布局的重要注意事项如下 : 输入旁路电容必须放置在靠近 VIN 引脚处

SOT23/SOT23-5 PCB 布局范例输出电容输出电容 C 的选择取决于所允许的最大输出电压纹波使用具有低 ESR 特性的 X5R 或 X7R 电解质陶瓷电容使用 22μF~100μF 范围内的电容, 具有 1Ω 或更小的 ESR 对于大多数应用, 通常建议使用一个 22μF 的电容空载条件下的纹波改善电阻强烈建议加一个纹波改善电阻 R1, 以确保空载情况下开关的稳定性 R1

8 元器件选择功率电感器对于大多数应用, 建议使用 47μH 或更大值的电感, 以保持低输出纹波电压增加电感值将产生较低的输出纹波电压建议选择一个典型值小于 1Ω 的 DCR 以降低效率损失否则, 所选择的电感饱和电流典型值应该大于等于 1A, 且高于其峰值电流 PCB 布局注意事项为了减少传导噪声, 关于 PCB 布局的重要注意事项如下 : 输入旁路电容必须放置在靠近 VIN 引脚处电感肖特基二极管和输出电容的走线应尽可能短, 以减少传导和辐射噪声, 并提高整体效率肖特基二极管二极管的击穿电压额定值应大于最大输出电压二极管额定电流建议等于或大于 1A 输入电容 VIN 和引脚之间需连接一个低 ESR 的陶瓷电容,CIN 使用具有低 ESR 特性以及较小的温度系数的 X5R 或 X7R 电解质陶瓷电容对于大部分应用, 选择一个 47μF 的电容已足够 SOT23/SOT23-5 PCB 布局范例输出电容输出电容 C 的选择取决于所允许的最大输出电压纹波使用具有低 ESR 特性的 X5R 或 X7R 电解质陶瓷电容使用 22μF~100μF 范围内的电容, 具有 1Ω 或更小的 ESR 对于大多数应用, 通常建议使用一个 22μF 的电容空载条件下的纹波改善电阻强烈建议加一个纹波改善电阻 R1, 以确保空载情况下开关的稳定性 R1 值建议为 0.15Ω 注意, 此电阻虽然在空载情况下可提升纹波性能, 但在重载情况下将产生更高的纹波电压 SOT89 PCB 布局范例 D1: 1N5817 L1: 47μH~100μH (Coil Inductor) V IN LX V C1: 47μF OFF ON CE R1* C2: 22μF (Ceramic) * R1=0.15Ω is recommended to improve ripple performance Rev

9 温度注意事项最大功耗取决于 IC 封装的热阻 PCB 布局周围气流速率以及结与环境之间所允许的温差最大功耗可以由下列公式计算 : PD(MAX)=(TJ(MAX) Ta)/θ JA (W) 其中,TJ(MAX) 表示最大结温,Ta 是环境温度,θ JA 是结到环境的热阻最大工作额定条件下的最大结温为 150 C 然而在正常工作下为了确保高稳定性, 建议最大结温不要超过 125 C 结到环境的热阻 θ JA 则取决于布局例如,5-pin SOT23 封装的热阻 θ JA 为 500 C/W Ta=25 C 时的最大功耗可通过下列公式计算 : PD(MAX)=(150 C 25 C)/(500 C/W)=0.25W 当最大结温固定为 150 C 时, 最大功耗取决于工作环境温度以及封装的热阻 θ JA 下面的降额曲线体现了环境温度上升对最大推荐功耗的影响 Maximum Power Dissipation (W) SOT89 SOT23 SOT Ambient Temperature ( o C) Rev

10 应用电路无 CE 引脚 D1: 1N5817 V IN L1: 47μH~100μH (Coil Inductor) LX V C1: 47μF R1* C2: 22μF (Ceramic) 有 CE 引脚 * R1=0.15Ω is recommended to improve ripple performance D1: 1N5817 V IN L1: 47μH~100μH (Coil Inductor) LX V C1: 47μF OFF ON CE R1* C2: 22μF (Ceramic) * R1=0.15Ω is recommended to improve ripple performance 注 :1. 当 CE=0, 芯片内部电路如 Bandgap 参考电压增益方块以及所有反馈和控制电路将关闭 2. 当 CE=0, 输出电压 V 几乎等于 VIN 3. 若未使用 CE 引脚, 该引脚必须从外部连接至引脚 Rev

11 封装信息请注意, 这里提供的封装信息仅作为参考由于这个信息经常更新, 提醒用户咨询 Holtek 网站以获取最新版本的封装信息封装信息的相关内容如下所示, 点击可链接至 Holtek 网站相关信息页面封装信息 ( 包括外形尺寸包装带和卷轴规格 ) 封装材料信息纸箱信息 Rev

12 3-pin SOT23 外形尺寸符号尺寸 ( 单位 :inch ) 最小值正常值最大值 A A A b C D BSC E BSC e BSC e BSC H BSC L BSC θ 0 8 符号尺寸 ( 单位 :mm ) 最小值正常值最大值 A 1.45 A A b C D 2.90 BSC E 1.60 BSC e 0.95 BSC e BSC H 2.80 BSC L BSC θ 0 8 Rev

13 5-pin SOT23 外形尺寸 H 符号尺寸 ( 单位 :inch ) 最小值正常值最大值 A A A b C D BSC E BSC e BSC e BSC H BSC L BSC θ 0 8 符号尺寸 ( 单位 :mm ) 最小值正常值最大值 A 1.45 A A b C D 2.90 BSC E 1.60 BSC e 0.95 BSC e BSC H 2.80 BSC L BSC θ 0 8 Rev

14 3-pin SOT89 外形尺寸 ) * 1 - +, /. 0 符号尺寸 ( 单位 :inch ) 最小值正常值最大值 A B C D E F G H BSC I J 符号尺寸 ( 单位 :mm ) 最小值正常值最大值 A B C D E F G H 1.50 BSC I J Rev

15 Copyright 2018 by HOLTEK SEMICONDUCTOR INC. 使用指南中所出现的信息在出版当时相信是正确的, 然而 Holtek 对于说明书的使用不负任何责任文中提到的应用目的仅仅是用来做说明,Holtek 不保证或表示这些没有进一步修改的应用将是适当的, 也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成危害的地方 Holtek 产品不授权使用于救生维生从机或系统中做为关键从机 Holtek 拥有不事先通知而修改产品的权利, 对于最新的信息, 请参考我们的网址 Rev

HT73xx-7 30V, 250mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 30V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述

HT73xx-7 30V, 250mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 30V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述 3V, 25mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性低功耗低压降较低的温度系数高输入电压 ( 高达 3V) 输出电压精度 :±2% 过流保护过温保护芯片使能 / 除能功能封装类型 :8-pin SOP-EP/TO92-3/SOT89-3 概述系列是一组 CMOS 技术实现的低功耗高电压稳压器 CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性输入电压可高达 3V,

HT77xxB 5V/100mA PFM 异步升压转换器 特性 低启动电压 :0.85V ( 典型值 ) 效率高达 85% 超低空载输入电流 高输出电压精度 :±2.5% 固定输出电压 : 1.8V/2.2V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/5.0V 超低关机电流 :0.1μA ( 典型值

HT77xxB 5V/100mA PFM 异步升压转换器特性低启动电压 :0.85V ( 典型值 ) 效率高达 85% 超低空载输入电流高输出电压精度 :±2.5% 固定输出电压 : 1.8V/2.2V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/5.0V 超低关机电流 :0.1μA ( 典型值