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1 dspic33f/pic24h 闪存编程规范 1.0 器件概述 本文档定义了 dspic33f 16 位数字信号控制器 (Digital Signal Controller, DSC) 和 PIC24H 16 位单片机 (MCU) 系列的编程规范 本编程规范仅供为 dspic33f/ PIC24H 系列开发编程支持的人员使用 仅使用这些器件的客户应该采用支持器件编程的开发工具 本文档包括下列器件的编程规范 : dspic33fj64gp206 dspic33fj64gp306 dspic33fj64gp310 dspic33fj64gp706 dspic33fj64gp708 dspic33fj64gp710 dspic33fj128gp206 dspic33fj128gp306 dspic33fj128gp310 dspic33fj128gp706 dspic33fj128gp708 dspic33fj128gp710 dspic33fj256gp506 dspic33fj256gp510 dspic33fj256gp710 dspic33fj64mc506 dspic33fj64mc508 dspic33fj64mc510 dspic33fj64mc706 dspic33fj64mc710 dspic33fj128mc506 dspic33fj128mc510 dspic33fj128mc706 dspic33fj128mc708 dspic33fj128mc710 dspic33fj256mc510 dspic33fj256mc710 PIC24HJ64GP206 PIC24HJ64GP210 PIC24HJ64GP506 PIC24HJ64GP510 PIC24HJ128GP206 PIC24HJ128GP210 PIC24HJ128GP306 PIC24HJ128GP310 PIC24HJ128GP506 PIC24HJ128GP510 PIC24HJ256GP206 PIC24HJ256GP210 PIC24HJ256GP dspic33f/pic24h 编程概述 在本编程规范中将讨论两种对 dspic33f/pic24h 系列器件编程的方法 它们是 : 在线串行编程 (In-Circuit Serial Programming, ICSP ) 功能 增强型在线串行编程 ICSP 编程方法是对器件编程最直接的方法, 但也是两种方法中较慢的一种方法 它提供固有的低级编程功能来擦除 编程和校验芯片 增强型 ICSP 协议采用一种较快的方法, 该方法利用了如图 2-1 中说明的编程执行程序 编程执行程序通过一个小的命令集提供擦除 编程和校验芯片所必需的所有功能 该命令集使得编程器对 dspic33f/pic24h 器件的编程无需处理芯片的低级编程协议 图 2-1: 编程器 增强型 ICSP 编程系统概览 dspic33f/pic24h 编程执行程序 片上存储器 本规范有两个主要部分, 分别对上述两种编程方法进行了说明 第 3.0 节 器件编程 增强型 ICSP 说明了增强型 ICSP 方法, 第 5.0 节 器件编程 ICSP 说明了 ICSP 方法 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 1 页

2 2.1 电源要求 dspic33f/pic24h 系列中的所有器件采用的都是双电源设计 : 一个电源为内核供电, 而另一个电源为外设和 I/O 引脚供电 片内提供了一个稳压器从而减少了对外部两个电源的需求 所有 dspic33f/pic24h 器件中内核数字逻辑供电电压的标称值都为 2.5V 对于需要工作在较高的典型电压 ( 如 3.3V) 的设计中, 这可能会产生问题 为了简化系统设计,dsPIC33F/PIC24H 系列中的所有器件都在芯片内部集成了稳压器, 以允许器件内核逻辑通过 来运行 该稳压器通过另外的 引脚为内核供电 必须在 CORE 引脚上连接一个低 ESR 的电容 ( 如钽电容 ) ( 见图 2-2) 这有助于保持稳压器稳定 第 8.0 节 交流 / 直流特性和时序要求 中列出了内核电压和电容的规范 2.2 程序存储器写 / 擦除要求 为了使 dspic33f/pic24h 器件正常工作, 必须严格遵守对这些器件的闪存程序存储器进行写 / 擦除的要求 规则如下 : 在没有擦除将要写入给定字的存储页之前, 不能将任何字写入闪存程序存储器 因此, 遵守该规则最简单的方法就是在一个写周期内写入一个编程块中的所有数据 本文档中指定的编程方法就符合这一要求 注 : 一个程序存储字可以在擦除之前被编程两次, 但仅限于 (a) 两次编程操作采用相同的数据或 (b) 包含 1 的位被设置为 0, 但为 0 的位不能被设置为 1 图 2-2: 片内稳压器连接图 3.3V dspic33f/pic24h CF CORE 注 1: 这些是典型的工作电压 请参见第 8.0 节 交流 / 直流特性和时序要求 了解 和 CORE 的完整工作范围 DS70152C_CN 第 2 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

3 2.3 引脚图 下面各图显示了 dspic33f/pic24h 系列器件的引脚配置 表 2-1 中列出了编程所需的引脚 图中 MCLR PGC1 PGD1 PGC2 PGD2 PGC3 和 PGD3 引脚以粗体显示 请参见相应器件的数据手册了解完整的引脚说明 表 2-1: 引脚说明 ( 编程中用到的引脚 ) 引脚名称 编程期间 引脚名称引脚类型引脚说明 MCLR MCLR P 编程使能 和 A (1) P 电源 和 A (1) P 地 CORE CORE P 为内核供电的稳压电源 PGC1 PGC1 I 主编程引脚对 : 串行时钟 PGD1 PGD1 I/O 主编程引脚对 : 串行数据 PGC2 PGC2 I 次编程引脚对 : 串行时钟 PGD2 PGD2 I/O 次编程引脚对 : 串行数据 PGC3 PGC3 I 第三编程引脚对 : 串行时钟 PGD3 PGD3 I/O 第三编程引脚对 : 串行数据 图注 : I = 输入,O = 输出, P = 电源 注 1: 所有电源和地引脚都必须连接, 包括模拟电源 (A) 和模拟地 (A) 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 3 页

4 DS70152C_CN 第 4 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 64 引脚 TQFP PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB0 OC8/CN16/RD7 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 CORE RG1 RF1 RG0 OC2/RD1 OC3/RD2 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 SDA1/RG SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 IC3/INT3/RD10 RF0 OC4/RD3 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 dspic33fj64gp206 dspic33fj128gp206

5 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP dspic33fj64gp dspic33fj128gp COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 RG0 RG1 RF1 RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 5 页

6 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP dspic33fj256gp COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 RG0 RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 DS70152C_CN 第 6 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

7 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP dspic33fj64gp dspic33fj128gp COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 C2RX/RG0 C2TX/RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 7 页

8 DS70152C_CN 第 8 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) 80 引脚 TQFP dspic33fj64gp IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 CSCK/RG14 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 C2RX/RG0 C2TX/RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CSDO/RG13 CSDI/RG12 OC8/CN16/RD7 OC6/CN14/RD5 OC1/RD0 IC4/RD11 IC2/RD9 IC1/RD8 IC3/RD10 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2RX/CN17/RF4 IC8/U1RTS/CN21/RD15 U2TX/CN18/RF5 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/CN11/RG9 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 TDO/AN21/INT2/RA13 TMS/AN20/INT1/RA12 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 CORE OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 SDA1/RG3 SDI1/RF7 SDO1/RF8 AN5/CN7/RB5 OSC2/CLKO/RC15 OC7/CN15/RD6 SCK1/INT0/RF6 IC7/U1CTS/CN20/RD14 SDA2/INT4/RA3 SCL2/INT3/RA2 dspic33fj128gp708

9 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 9 页 dspic33f/pic24h 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj64gp310 dspic33fj128gp

10 DS70152C_CN 第 10 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 C1TX/RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj256gp

11 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 11 页 dspic33f/pic24h 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 C2RX/RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 C2TX/RG1 C1TX/RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj128gp dspic33fj256gp710 dspic33fj64gp710

12 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP dspic33fj64mc PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 PWM4H/RE7 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/QEB/IC8/CN7/RB5 AN4/QEA/IC7/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/U1CTS/FLTB/INT2/RD9 IC1/FLTA/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/CN17/RF4 U2TX/CN18/RF PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 PWM2L/RE2 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CORE OC8/UPDN/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 DS70152C_CN 第 12 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

13 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP dspic33fj128mc dspic33fj64mc dspic33fj128mc PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 PWM4H/RE7 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/QEB/IC8/CN7/RB5 AN4/QEA/IC7/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/U1CTS/FLTB/INT2/RD9 IC1/FLTA/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 PWM2L/RE2 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CORE OC8/UPDN/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 13 页

14 DS70152C_CN 第 14 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) 80 引脚 TQFP IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 PWM2L/RE2 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 CRX2/RG0 C2TX/RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 OC8/CN16/UPDN/RD7 OC6/CN14/RD5 OC1/RD0 IC4/RD11 IC2/RD9 IC1/RD8 IC3/RD10 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2RX/CN17/RF4 IC8/U1RTS/CN21/RD15 U2TX/CN18/RF5 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 PWM4H/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/CN11/RG9 AN4/QEA/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 TDO/FLTB/INT2/RE9 TMS/FLTA/INT1/RE8 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 CORE OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 SDA1/RG3 SDI1/RF7 SDO1/RF8 AN5/QEB/CN7/RB5 OSC2/CLKO/RC15 OC7/CN15/RD6 SCK1/INT0/RF6 IC7/U1CTS/CN20/RD14 INT4/RA3 INT3/RA2 dspic33fj64mc508

15 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 15 页 dspic33f/pic24h 引脚图 ( 续 ) 80 引脚 TQFP IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 PWM2L/RE2 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 CRX2/RG0 C2TX/RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 OC8/CN16/UPDN/RD7 OC6/CN14/RD5 OC1/RD0 IC4/RD11 IC2/RD9 IC1/RD8 IC3/RD10 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2RX/CN17/RF4 IC8/U1RTS/CN21/RD15 U2TX/CN18/RF5 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 PWM4H/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/CN11/RG9 AN4/QEA/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 TDO/FLTB/INT2/RE9 TMS/FLTA/INT1/RE8 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 CORE OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 SDA1/RG3 SDI1/RF7 SDO1/RF8 AN5/QEB/CN7/RB5 OSC2/CLKO/RC15 OC7/CN15/RD6 SCK1/INT0/RF6 IC7/U1CTS/CN20/RD14 SDA2/INT4/RA3 SCL2/INT3/RA2 dspic33fj128mc708

16 DS70152C_CN 第 16 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 PWM2L/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 RG0 PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 RA3 RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 PWM4H/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/FLTA/INT1/RE8 AN21/FLTB/INT2/RE9 AN5/QEB/CN7/RB5 AN4/QEA/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 C1TX/RF1 OC8/UPDN//CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj64mc510

17 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 17 页 dspic33f/pic24h 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 PWM2L/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 RG0 PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 PWM4H/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/FLTA/INT1/RE8 AN21/FLTB/INT2/RE9 AN5/QEB/CN7/RB5 AN4/QEA/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 C1TX/RF1 OC8/UPDN/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj128mc510 dspic33fj256mc510

18 DS70152C_CN 第 18 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 PWM2L/RE2 CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 PWM1H/RE1 PWM1L/RE0 C2RX/RG0 PWM3L/RE4 PWM2H/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 PWM3H/RE5 PWM4L/RE6 PWM4H/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/FLTA/INT1/RE8 AN21/FLTB/INT2/RE9 AN5/QEB/CN7/RB5 AN4/QEA/CN6/RB4 AN3/INDX/CN5/RB3 AN2/SS1/LVDIN/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 COFS/RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 C2TX/RG1 C1TX/RF1 OC8/UPDN/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP dspic33fj64mc710 dspic33fj128mc710 dspic33fj256mc710

19 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP PIC24HJ64GP PIC24HJ128GP PIC24HJ256GP RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/CN17/RF4 U2TX/CN18/RF RG13 RG12 RG14 RG0 RG1 RF1 RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 注 : PIC24HJ64GP2 器件不具有 SCL2 和 SDA2 引脚 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 19 页

20 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP PIC24HJ128GP RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF RG13 RG12 RG14 RG0 RG1 RF1 RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 DS70152C_CN 第 20 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

21 引脚图 ( 续 ) 64 引脚 TQFP PIC24HJ64GP PIC24HJ128GP COFS/RG15 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 SCK2/CN8/RG6 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 MCLR SS2/T5CK/CN11/RG9 AN5/IC8/CN7/RB5 AN4/IC7/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 PGC3/EMUC3/AN1/VREF-/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/VREF+/CN2/RB PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 PGD2/EMUD2/SOSCI/T4CK/CN1/RC13 OC1/RD0 IC4/INT4/RD11 IC3/INT3/RD10 IC2/FLTB/INT2/RD9 IC1/INT1/RD8 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SDA1/RG3 U1RTS/SCK1/INT0/RF6 U1RX/SDI1/RF2 U1TX/SDO1/RF3 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 A A U2CTS/AN8/RB8 AN9/RB9 TMS/AN10/RB10 TDO/AN11/RB11 TCK/AN12/RB12 TDI/AN13/RB13 U2RTS/AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 U2RX/SDA2/CN17/RF4 U2TX/SCL2/CN18/RF CSDO/RG13 CSDI/RG12 CSCK/RG14 RG0 RG1 C1TX/RF1 C1RX/RF0 CORE OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 OC6/IC6/CN14/RD5 OC5/IC5/CN13/RD4 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 21 页

22 DS70152C_CN 第 22 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 RG13 RG12 RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP PIC24HJ64GP210 PIC24HJ128GP PIC24HJ128GP310 PIC24HJ256GP210

23 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 23 页 dspic33f/pic24h 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 RG13 RG12 RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 RG1 C1TX/RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP PIC24HJ64GP PIC24HJ128GP510

24 DS70152C_CN 第 24 页初稿 2007 Microchip Technology Inc. 引脚图 ( 续 ) OC6/CN14/RD5 OC5/CN13/RD4 IC6/CN19/RD13 IC5/RD12 OC4/RD3 OC3/RD2 OC2/RD1 AN23/CN23/RA7 AN22/CN22/RA6 AN26/RE2 RG13 RG12 RG14 AN25/RE1 AN24/RE0 C2RX/RG0 AN28/RE4 AN27/RE3 C1RX/RF0 CORE PGD2/EMUD2/SOSCI/CN1/RC13 OC1/RD0 IC3/RD10 IC2/RD9 IC1/RD8 IC4/RD11 SDA2/RA3 SCL2/RA2 OSC2/CLKO/RC15 OSC1/CLKIN/RC12 SCL1/RG2 SCK1/INT0/RF6 SDI1/RF7 SDO1/RF8 SDA1/RG3 U1RX/RF2 U1TX/RF3 PGC2/EMUC2/SOSCO/T1CK/CN0/RC14 VREF+/RA10 VREF-/RA9 A A AN8/RB8 AN9/RB9 AN10/RB10 AN11/RB11 U2CTS/RF12 U2RTS/RF13 IC7/U1CTS/CN20/RD14 IC8/U1RTS/CN21/RD15 PGC1/EMUC1/AN6/OCFA/RB6 PGD1/EMUD1/AN7/RB7 U2TX/CN18/RF5 U2RX/CN17/RF4 AN29/RE5 AN30/RE6 AN31/RE7 AN16/T2CK/T7CK/RC1 AN17/T3CK/T6CK/RC2 AN18/T4CK/T9CK/RC3 AN19/T5CK/T8CK/RC4 SCK2/CN8/RG6 TMS/RA0 AN20/INT1/RA12 AN21/INT2/RA13 AN5/CN7/RB5 AN4/CN6/RB4 AN3/CN5/RB3 AN2/SS1/CN4/RB2 SDI2/CN9/RG7 SDO2/CN10/RG8 PGC3/EMUC3/AN1/CN3/RB1 PGD3/EMUD3/AN0/CN2/RB0 RG15 SS2/CN11/RG9 MCLR AN12/RB12 AN13/RB13 AN14/RB14 AN15/OCFB/CN12/RB15 C2TX/RG1 C1TX/RF1 OC8/CN16/RD7 OC7/CN15/RD6 TDO/RA5 INT4/RA15 INT3/RA14 TDI/RA4 TCK/RA1 100 引脚 TQFP 100 PIC24HJ256GP610

25 2.4 存储器映射 程序存储空间从 0x00 延伸到 0xFFFFFE 代码存储在存储空间的最低地址部分, 支持最多 88K 指令字 ( 约 256 KB) 表 2-2 给出了每个器件中程序存储器的容量以及擦除和编程块的数量 每个擦除块或页包含 512 个指令字, 而每个编程块或行包含 64 个指令字 地址从 0x80 至 0x800FFE 的存储单元保留用于存储执行程序代码 该区域存储编程执行程序和调试执行程序 编程执行程序用于器件编程, 而调试执行程序用于在线调试 存储器中的该区域不能用于存储用户代码 地址从 0xF8 至 0xF80017 的存储单元保留用作器件配置寄存器区 地址为 0xFF 和 0xFF0002 的两个存储单元保留用作器件 ID 字寄存器区 编程人员可使用这些位来标识要编程的器件的类型 这将在第 7.0 节 器件 ID 中进行说明 即使使用了代码保护也可正常读出器件 ID 图 2-3 给出了 dspic33f/pic24h 系列的存储器映射 表 2-2: dspic33f/pic24h 器件 代码存储区容量 用户存储区地址限制 ( 指令字 ) 写块 擦除块 dspic33fj64gp206 0x00ABFE (22K) dspic33fj64gp306 0x00ABFE (22K) dspic33fj64gp310 0x00ABFE (22K) dspic33fj64gp706 0x00ABFE (22K) dspic33fj64gp708 0x00ABFE (22K) dspic33fj64gp710 0x00ABFE (22K) dspic33fj128gp206 0x0157FE (44K) dspic33fj128gp306 0x0157FE (44K) dspic33fj128gp310 0x0157FE (44K) dspic33fj128gp706 0x0157FE (44K) dspic33fj128gp708 0x0157FE (44K) dspic33fj128gp710 0x0157FE (44K) dspic33fj256gp506 0x02ABFE (88K) dspic33fj256gp510 0x02ABFE (88K) dspic33fj256gp710 0x02ABFE (88K) dspic33fj64mc506 0x00ABFE (22K) dspic33fj64mc508 0x00ABFE (22K) dspic33fj64mc510 0x00ABFE (22K) dspic33fj64mc706 0x00ABFE (22K) dspic33fj64mc710 0x00ABFE (22K) dspic33fj128mc506 0x0157FE (44K) dspic33fj128mc510 0x0157FE (44K) dspic33fj128mc706 0x0157FE (44K) dspic33fj128mc708 0x0157FE (44K) dspic33fj128mc710 0x0157FE (44K) dspic33fj256mc510 0x02ABFE (88K) dspic33fj256mc710 0x02ABFE (88K) PIC24HJ64GP206 0x00ABFE (22K) PIC24HJ64GP210 0x00ABFE (22K) PIC24HJ64GP506 0x00ABFE (22K) PIC24HJ64GP510 0x00ABFE (22K) PIC24HJ128GP206 0x0157FE (44K) PIC24HJ128GP210 0x0157FE (44K) PIC24HJ128GP306 0x0157FE (44K) PIC24HJ128GP310 0x0157FE (44K) PIC24HJ128GP506 0x0157FE (44K) PIC24HJ128GP510 0x0157FE (44K) PIC24HJ256GP206 0x02ABFE (88K) PIC24HJ256GP210 0x02ABFE (88K) PIC24HJ256GP610 0x02ABFE (88K) Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 25 页

26 图 2-3: 程序存储器映射 0x00 用户闪存代码存储区 (87552 x 24 位 ) 0x02ABFE 0x02AC00 配置存储空间 用户存储空间 保留 执行程序代码存储区 (2048 x 24 位 ) 0x7FFFFE 0x80 0x800FFE 0x 保留 0xF7FFFE 配置寄存器 0xF8 (12 x 8 位 ) 0xF xF80018 保留 器件 ID (2 x 16 位 ) 保留 0xFEFFFE 0xFF 0xFF0002 0xFF0004 0xFFFFFE 注 : 用户闪存代码存储区的地址边界随器件不同而不同 DS70152C_CN 第 26 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

27 3.0 器件编程 增强型 ICSP 本章讨论通过增强型 ICSP 和编程执行程序对器件编程 编程执行程序存放在执行程序存储区 ( 独立于代码存储区 ) 中, 当进入增强型 ICSP 编程模式时执行编程执行程序 编程执行程序使用一个简单的命令集和通信协议为编程器 ( 主设备 ) 提供了对 dspic33f/pic24h 系列器件进行编程和校验的机制 编程执行程序可提供以下几种基本功能 : 读存储器 擦除存储器 对存储器编程 空白检查 读执行程序固件版本编程执行程序件执行擦除 编程和校验器件所要求的低级任务, 这允许编程器通过发出相应的命令和数据来对器件编程 表 3-1 总结了这些命令 关于每条命令的详细说明请参见第 4.2 节 编程执行程序命令 表 3-1: 命令 SCHECK READC READP PROGC PROGP PROGW ERASEB ERASEC ERASEP QBLANK QVER ERASES ERASEG 命令集汇总 工作状态检查 描述 读配置寄存器或器件 ID 寄存器 读代码存储区 对配置寄存器进行编程并校验 对代码存储区中的一行进行编程并校验 对代码存储区中的一个字进行编程并校验 批量擦除整个芯片 擦除配置寄存器 擦除代码存储区中的一页 查询代码存储区是否空白 查询软件版本 批量擦除安全段和 FSS 配置寄存器 批量擦除通用段和 FGS 配置寄存器 编程执行程序使用器件的数据 RAM 来存放变量和执行程序 运行了编程执行程序后, 数据 RAM 中的内容就无法确定了 3.1 编程过程的概述 图 3-1 高度概括了编程的过程 在进入增强型 ICSP 模式后, 对编程执行程序进行校验 接下来, 擦除器件 然后, 编程代码存储区并紧接着编程非易失性器件配置寄存器 最后, 对代码存储区 ( 包括配置寄存器 ) 进行校验以确保编程成功 一旦验证了编程执行程序存在于存储区中 ( 或者如果不存在也已装入 ), 则可使用表 3-1 中给出的命令集对 dspic33f/pic24h 器件编程 图 3-1: 高级增强型 ICSP 编程流程图 开始 进入增强型 ICSP 模式 执行批量擦除 对存储器编程 对编程进行校验 编程配置位 校验配置位 退出增强型 ICSP 模式 完成 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 27 页

28 3.2 确认编程执行程序的存在 在开始编程之前, 编程人员必须确认执行程序存储区中存放了编程执行程序 图 3-2 给出了该任务的流程 首先进入 ICSP 模式, 然后读取存储在执行程序存储区中的惟一应用程序 ID 字 如果编程执行程序已位于执行程序存储区中 ( 应用程序 ID 字为 0xBB), 表示可以进行常规编程 但是, 如果应用程序 ID 字不为 0xBB, 则必须通过使用第 6.0 节 将编程执行程序烧写到存储区中 中描述的方法将编程执行程序烧写到执行程序代码存储区中 第 5.0 节 器件编程 ICSP 说明了 ICSP 编程方法的执行过程 第 5.11 节 读应用程序 ID 字 说明了在 ICSP 模式下读取应用程序 ID 字的过程 图 3-2: 确认编程执行程序的存在 开始 进入 ICSP 模式 从地址 0x805BE 中读取应用程序 ID 3.3 进入增强型 ICSP 模式 如图 3-3 所示, 进入增强型 ICSP 编程 / 校验模式需要三个步骤 : 1. 将 MCLR 引脚短暂地驱动为高电压, 然后再驱动为低电压 2. 将 32 位的密钥序列在时钟控制下移入到 PGD 引脚 3. 然后将 MCLR 驱动为高电压并保持一段指定的时间 加到 MCLR 的编程电压为 VIH, 对于 dspic33f/pic24h 器件, 该电压实际就是 对于 VIH 没有最小保持时间要求 在 VIH 移除后, 必须经过至少 P16 时间间隔才能将密钥序列移入到 PGD 引脚 该密钥序列为一个特定的 32 位模式 ( 以其 16 进制格式 0x4D 记忆更为简便 ) 只有在密钥序列有效时才能进入编程 / 校验模式 首先将移入高 16 位的最高有效位 (Most Significant bit, MSb) 一旦密钥序列完全移入, 就必须将 VIH 加到 MCLR 并保持该电压直到进入编程 / 校验模式 必须经过至少 P17 和 P7 时间间隔才能将数据移入到 PGD 引脚 在 P7 之前出现在 PGD 引脚上的信号被认定为无效 一旦成功进入编程 / 校验模式, 就能以串行的方式访问程序存储器并对其编程了 在编程 / 校验模式下, 所有未用的 I/O 引脚都被置于高阻态 应用程序 ID 为 0xBB 吗? 否 是 编程执行程序位于存储区中 必须将编程执行程序烧写到执行程序存储区中 完成 DS70152C_CN 第 28 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

29 图 3-3: 进入增强型 ICSP 模式 MCLR P6 P12 VIH VIH P17 P7 PGD PGC P16 编程 / 校验进入码 = 0x4D b31 b30 b29 b28 b27 b3 b2 b1 b0 P2B P2A 3.4 芯片擦除 必须先将芯片擦除才能对其进行编程 批量擦除命令 ERASEB 用于执行此任务 执行此命令会擦除所有代码存储区, 包括代码保护配置位 注 : 3.5 安全段和通用段擦除 单独擦除各个段的功能是 dspic33f/pic24h 器件 CodeGuard 安全特性的重要组成部分 可单独擦除一个代码段而不影响其他段 此外, 与被擦除的代码段相对应的配置寄存器也会被擦除 例如, 用户可以擦除通用段中的代码而不擦除位于引导段中的自举程序 ERASES 命令用于擦除安全段和 FSS 配置寄存器 ERASEG 命令用于擦除通用段和 FGS 配置寄存器, 它只有在使能引导段或安全段时才有效 注 : 3.6 空白检查 器件 ID 存储单元为只读的, 不能将其擦除 因此, 芯片擦除对这些存储单元没有影响 只能使用批量擦除命令擦除引导段和 FBS 配置寄存器 术语 空白检查 的含义是校验器件是否已被成功擦除且没有已编程的存储单元 空白或已擦除的存储单元始终读为 1 器件 ID 寄存器 (0xFF:0xFF0002) 将被空白检查忽略, 因为此区域存储了不可擦除的器件信息 器件配置寄存器也会被空白检查忽略 另外, 所有未实现的存储空间都应该被空白检查忽略 QBLANK 命令用于空白检查 该命令通过检测代码存储区, 确定这些存储区是否已被擦除 将返回 BLANK ( 空白 ) 或 NOT BLANK ( 非空白 ) 作为响应 如果确定器件非空白, 则必须在尝试对芯片进行编程前先将其擦除 ( 见第 3.4 节 芯片擦除 ) 3.7 代码存储区编程 编程方法 使用 PROGP 命令对代码存储区进行编程 PROGP 命令对在命令中指定存储地址处的代码存储区的一行进行编程 对器件编程所需的 PROGP 命令数取决于器件中应该被编程的写块数 对代码存储区编程的流程图如图 3-4 所示 在此示例中, 对 dspic33f/pic24h 器件中的所有 88K 指令字进行编程 首先, 将要发送的命令数 ( 在流程图中称为 RemainingCmds ) 设置为 1368, 将目标地址 ( 称为 BaseAddress ) 设置为 0 接着, 使用 PROGP 命令对器件中的一个写块进行编程 每条 PROGP 命令包含将写入 dspic33f/pic24h 代码存储区中一行的数据 在成功处理第一条命令后, RemainingCmds 将递减 1 并与 0 作比较 由于还有 PROGP 命令需要发送, BaseAddress 将递增 0x80 以指向存储区的下一行 执行第二条 PROGP 命令时, 将对第二行进行编程 将重复执行此过程直到整个器件都被编程为止 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 29 页

30 图 3-4: 对代码存储区编程的流程图 编程校验 BaseAddress = BaseAddress + 0x80 开始 BaseAddress = 0x0 RemainingCmds = 1368 发送 PROGP 命令对 BASEADDRESS 处的一行代码存储区编程 PROGP 的响应是 PASS 吗? 是 RemainingCmds = RemainingCmds - 1 否 一旦代码存储区编程完毕, 就可以对存储区的内容进行校验以确保编程成功 校验需要对代码存储区执行读回操作, 并将读回的数据与保存在编程器的缓冲区中的副本作比较 READP 命令可对整个已编程的代码存储区执行读回操作 或者, 也可以在对整个器件编程完毕后, 让编程器通过计算校验和执行校验 校验和计算 检验和值是在假设配置寄存器也被擦除的条件下计算得到的 请参见表 2-2 判断代码存储区的结束地址 公式 3-1: 校验和 校验和 = CFGB + SUM (1: 代码存储区结束地址 ), 其中 : CFGB = ((FBS & 0xCF) + (FSS & 0xCF) + (FGS & 0x07) + (FOSCSEL & 0xA7) + (FOSC & 0xC7) + (FWDT & 0xDF) + (FPOR & 0xE7) + (FICD & 0xE3)) 的字节和 否 RemainingCmds 是否为 0? 完成 是 故障报告错误 但是, 当使能代码保护时, 将采用适合代码保护模式 ( 标准或高安全性 ) 的 FGS 寄存器值, 并且只有配置寄存器参与校验和的计算 校验和计算中不包含部件 ID 3.8 配置位编程 概述 dspic33f/pic24h 将配置位存储在 12 个 8 位配置寄存器中, 它们在偶数配置存储地址边界对齐 可以将这些位置 1 或清零来选择各种器件配置 具有三种不同类型的配置位 : 系统操作位 代码保护位和部件 ID 位 系统操作位决定系统组件 ( 如振荡器和看门狗定时器 ) 的上电设置 代码保护位防止程序存储器被读写 对 FBS FSS FGS FOSCSEL FOSC FWDT FPOR 和 FICD 配置寄存器的描述显示在表 3-2 中 表 3-3 中显示了配置寄存器映射 DS70152C_CN 第 30 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

31 表 3-2: dspic33f/pic24h 配置位描述 位域 寄存器 描述 RBS<1:0> FBS 引导段数据 RAM 代码保护 11 = 没有为引导段保留数据 RAM 10 = 小容量引导 RAM [ 为引导段保留 128 字节的 RAM ] 01 = 中等容量引导 RAM [ 为引导段保留 256 字节的 RAM ] 00 = 大容量引导 RAM [ 为引导段保留 1024 字节的 RAM ] BSS<2:0> FBS 引导段程序存储区代码保护 111 = 无引导段 110 = 标准安全性 ; 小容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x0007FF] 101 = 标准安全性 ; 中等容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x001FFF] 100= 标准安全性 ; 大容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x003FFF] 011 = 无引导段 010 = 高安全性 ; 小容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x0007FF] 001 = 高安全性 ; 中等容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x001FFF] 000 = 高安全性 ; 大容量引导程序闪存 [ 引导段结束于 0x003FFF] BWRP FBS 引导段程序存储区写保护 1 = 引导段程序存储区无写保护 0 = 引导段程序存储区有写保护 RSS<1:0> FSS 安全段数据 RAM 代码保护 11 = 没有为安全段保留数据 RAM 10 = 小容量安全 RAM [ 为安全段保留 (256 - N) 字节的 RAM ] 01 = 中等容量安全 RAM [ 为安全段保留 ( N) 字节的 RAM ] 00 = 大容量安全 RAM [ 为安全段保留 ( N) 字节的 RAM ] 其中 N = 为引导扇区保留的 RAM 字节数 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 31 页

32 表 3-2: dspic33f/pic24h 配置位描述 ( 续 ) 位域寄存器描述 SSS<2:0> FSS 安全段程序存储区代码保护 111 = 无安全段 110 = 标准安全性 ; 小容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x001FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x003FFF] 101 = 标准安全性 ; 中等容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x003FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x007FFF] 100 = 标准安全性 ; 大容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x007FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x00FFFF] 011 = 无安全段 010 = 高安全性 ; 小容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x001FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x003FFF] 001 = 高安全性 ; 中等容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x003FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x007FFF] 000 = 高安全性 ; 大容量安全程序闪存 [ 对于 dspic33fj64gpxxx/dspic33fj64mcxxx/pic24hj64gpxxx 器件安全段结束于 0x007FFF, 而对于其他器件安全段结束于 0x00FFFF] SWRP FSS 安全段程序存储区写保护 1 = 安全段程序存储区无写保护 0 = 安全段程序存储区有写保护 GSS<1:0> FGS 通用段代码保护位 11 = 禁止代码保护 10 = 标准安全性代码保护使能 0x = 高安全性代码保护使能 GWRP FGS 通用段写保护位 1 = 通用段程序存储区无写保护 0 = 通用段程序存储区有写保护 IESO FOSCSEL 双速振荡器启动使能位 1 = 使用 FRC 启动器件, 然后当用户选择的振荡器就绪后自动切换到该振荡器 0 = 使用用户选择的振荡器启动器件 TEMP FOSCSEL 温度保护使能位 1 = 禁止温度保护 0 = 使能温度保护 FNOSC<2:0> FOSCSEL 初始振荡器源选择位 111 = 内部快速 RC (FRC) 振荡器 110 = 保留 101 = LPRC 振荡器 100 = 辅助 (LP) 振荡器 011 = 带有 PLL 的主 (XT HS 和 EC) 振荡器 010 = 主 (XT HS 和 EC) 振荡器 001 = 带有 PLL 的内部快速 RC (FRC) 振荡器 000 = 保留 DS70152C_CN 第 32 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

33 表 3-2: dspic33f/pic24h 配置位描述 ( 续 ) 位域寄存器描述 FCKSM<1:0> FOSC 时钟切换模式位 1x = 禁止时钟切换, 禁止故障保护时钟监视器 01 = 使能时钟切换, 禁止故障保护时钟监视器 00 = 使能时钟切换, 使能故障保护时钟监视器 OSCIOFNC FOSC OSC2 引脚功能位 (XT 和 HS 模式除外 ) 1 = OSC2 为时钟输出 0 = OSC2 为通用数字 I/O 引脚 POSCMD<1:0> FOSC 主振荡器模式选择位 11 = 禁止主振荡器 10 = HS 晶振模式 01 = XT 晶振模式 00 = EC ( 外部时钟 ) 模式 FWDTEN FWDT 看门狗使能位 1 = 看门狗始终使能 ( 不能禁止 LPRC 振荡器 清零 RCON 寄存器中的 SWDTEN 位将不起作用 ) 0 = 由用户软件使能或禁止看门狗 ( 可以通过清零 RCON 寄存器中的 SWDTEN 位禁止 LPRC) WINDIS FWDT 看门狗定时器窗口使能位 1 = 看们狗定时器处于非窗口模式 0 = 看们狗定时器处于窗口模式 WDTPRE FWDT 看门狗定时器预分频比位 1 = 1:128 0 = 1:32 WDTPOST FWDT 看门狗定时器后分频比位 1111 = 1:32, = 1:16, = 1:2 = 1:1 PWMPIN FPOR 电机控制 PWM 模块引脚模式 1 = 器件复位时, PWM 模块引脚由 PORT 寄存器控制 ( 三态 ) 0 = 器件复位时,PWM 模块引脚由 PWM 模块控制 ( 配置为输出引脚 ) HPOL FPOR 电机控制 PWM 高端极性位 1 = PWM 模块高端输出引脚的极性为高电平有效 0 = PWM 模块高端输出引脚的极性为低电平有效 LPOL FPOR 电机控制 PWM 低端极性位 1 = PWM 模块低端输出引脚的极性为高电平有效 0 = PWM 模块低端输出引脚的极性为低电平有效 FPWRT<2:0> FPOR 上电延时定时器的定时时间选择位 111 = PWRT = 128 ms 110 = PWRT = 64 ms 101 = PWRT = 32 ms 100 = PWRT = 16 ms 011 = PWRT = 8 ms 010 = PWRT = 4 ms 001 = PWRT = 2 ms 000 = 禁止 PWRT 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 33 页

34 表 3-2: dspic33f/pic24h 配置位描述 ( 续 ) 位域寄存器描述 BKBUG FICD 后台调试使能位 1 = 器件将复位到用户模式 0 = 器件将复位到调试模式 COE FICD 调试器 / 仿真器使能位 1 = 器件将复位到工作模式 0 = 器件将复位到 Clip-on 仿真模式 JTAGEN FICD JTAG 使能位 1 = 使能 JTAG 0 = 禁止 JTAG ICS<1:0> FICD ICD 通信通道选择位 11 = 通过 PGC1/EMUC1 和 PGD1/EMUD1 进行通信 10 = 通过 PGC2/EMUC2 和 PGD2/EMUD2 进行通信 01 = 通过 PGC3/EMUC3 和 PGD3/EMUD3 进行通信 00 = 保留, 不要使用 - 所有 未实现 ( 读为 0, 写为 0) DS70152C_CN 第 34 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

35 表 3-3: dspic33f/pic24h 器件配置寄存器映射 地址 名称 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 0xF8 FBS RBS<1:0> - BSS<2:0> BWRP 0xF80002 FSS RSS<1:0> - SSS<2:0> SWRP 0xF80004 FGS - GSS<1:0> GWRP 0xF80006 FOSCSEL IESO - TEMP - FNOSC<2:0> 0xF80008 FOSC FCKSM<1:0> - OSCIOFNC FWPSA<1:0> 0xF8000A FWDT FWDTEN WINDIS - WDTPRE WDTPOST<3:0> 0xF8000C FPOR PWMPIN (1) HPOL (1) LPOL (1) - FPWRT<2:0> 0xF8000E FICD BKBUG COE JTAGEN - ICS<1:0> 0xF80010 FUID0 用户部件 ID 字节 0 0xF80012 FUID1 用户部件 ID 字节 1 0xF80014 FUID2 用户部件 ID 字节 2 0xF80016 FUID3 用户部件 ID 字节 3 注 1: 在 dspic33f 通用系列器件 (dspic33fjxxxgpxxx) 和 PIC24H 器件中, 这些位保留 ( 读为 1 且必须被编程为 1) 编程方法 使用 PROGC 命令对配置位进行编程, 一次可编程一个字节 该命令指定配置数据和配置寄存器的地址 当对配置位进行编程时, 任何未实现位必须编程为 0, 任何保留位必须编程为 1 需要 12 条 PROGC 命令来对所有配置位进行编程 配置位编程的流程图如图 3-5 所示 注 : 如果通用代码段代码保护 (GCP) 位被编 程为 0, 则代码存储区被代码保护, 不能被 读取 在使能读保护之前, 必须对代码存 储区进行校验 如需了解更多有关代码保 护配置位的信息, 请参见第 节 CodeGuard 安全配置位 编程校验 一旦配置位编程完毕, 就应对存储区的内容进行校验以确保编程成功 校验需要对配置位执行读回操作, 并将读回的数据与保存在编程器的缓冲区中的副本作比较 READC 命令读回编程的配置位以验证编程是否成功 CODEGUARD 安全配置位 FBS FSS 和 FGS 配置寄存器是特殊的配置寄存器, 它们分别控制引导段 安全段和通用段的大小和代码保护级别 对于每个段, 提供两种主要的代码保护形式 一种形式阻止写入代码存储区 ( 写保护 ), 而另一种形式阻止读取代码存储区 ( 读保护 ) BWRP SWRP 和 GWRP 位控制写保护,BSS<2:0> SSS<2:0> 和 GSS<1:0> 位控制读保护 芯片擦除命令 ERASEB 将所有代码保护位置为 1, 从而允许对器件编程 当使能写保护时, 对代码存储区的任何编程操作都将失败 当使能读保护时, 对代码存储区的任何读操作都将导致读到的值为 0x0, 而无论代码存储区的实际内容如何 由于编程执行程序始终对其编程的内容进行校验, 因此尝试对使能了读保护的代码存储区进行编程也将失败 当正在对器件进行编程和校验时, 所有代码保护位都必须为 1 只有在对器件进行编程和校验之后才能将上述任何位编程为 0 任何未实现的配置位为只读且读为 0, 保留位为只读且读为 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 35 页

36 除了代码存储区保护外, 还可以将数据 RAM 的一部分配置为仅允许被引导段和 / 或安全段中的代码访问 用户可使用 RBS<1:0> 和 RSS<1:0> 位配置这些 保留 部分的大小 注 : FBS FSS 和 FGS 配置寄存器中的所有位只能被编程为 0 ERASEB 命令是将代码保护位从使能 (0) 再编程为禁止 (1) 的惟一方法 用户部件 ID dspic33f/pic24h 器件提供了 4 个 8 位配置寄存器 (FUID0 至 FUID3) 供用户存储产品的特定信息, 如部件序列号和产品的其他生产数据 图 3-5: 配置位编程流程 开始 ConfigAddress = 0xF8 发送 PROGC 命令 PROGC 的响应是 PASS 吗? 否 是 ConfigAddress = ConfigAddress + 2 否 ConfigAddress 是 0xF80018 吗? 是 完成 故障报告错误 3.9 退出增强型 ICSP 模式 通过将 VIH 从 MCLR 引脚移除可退出编程 / 校验模式, 如图 3-6 所示 退出操作的唯一要求是在 PGC 和 PGD 引脚上的最后一个时钟和编程信号结束后与移除 VIH 前要有 P9b 的时间 图 3-6: MCLR 退出增强型 ICSP 模式 P9b P15 VIH PGD VIH PGC PGD = 输入 DS70152C_CN 第 36 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

37 4.0 编程执行程序 4.1 编程器和编程执行程序之间的通信 编程器和编程执行程序存在主从关系, 其中编程器是主编程设备, 而编程执行程序处于从动地位 所有通信都是由编程器以命令形式发起的 每次只能将一条命令发送给编程执行程序 而当编程执行程序接收到命令并对其进行处理后, 将只发送一个响应给编程器 第 4.2 节 编程执行程序命令 中说明了编程执行程序命令集 第 4.3 节 编程执行程序响应 中说明了响应集 通信接口和协议 ICSP/ 增强型 ICSP 接口是使用 PGC 和 PGD 引脚实现的双线 SPI 接口 PGC 引脚用作时钟输入引脚, 而时钟源必须由编程器提供 PGD 引脚用于向编程执行程序发送命令, 以及从其接收响应数据 所有串行数据在 PGC 的下降沿发送, 在 PGC 的上升沿锁存 所有数据发送都使用 16 位模式, 首先发送最高有效位 (MSb) ( 见图 4-1) 图 4-1: PGC PGD 编程执行程序串行时序 P1b P1a P1 P2 P3 MSb LSb 编程执行程序处理完命令之后, 会将 PGD 拉为低电平并保持 15 µs 以通知编程器可以在时钟控制下接收响应 编程器将在 PGD 拉低 20 µs 后开始接收响应, 并且必须提供必需的时钟脉冲数以从编程执行程序接收整个响应 一旦接收到整个响应, 编程器应该终止 PGC 上的时钟直到向编程执行程序发送另一条命令为止 该协议如图 4-2 所示 SPI 速率 在增强型 ICSP 模式下,dsPIC33F/PIC24H 系列器件使用快速内部 RC 振荡器作为时钟源工作, 其标称频率为 MHz 该振荡器频率产生 MHz 的有效系统时钟频率 为了确保编程器的时钟速度不至于太快, 建议由编程器提供 1 MHz 的时钟 超时 在向编程器发送响应的过程中, 编程执行程序不使用看门狗定时器或超时 如果编程器不遵守第 节 通信接口和协议 中所述的使用 PGC 的流控制机制, 在尝试向编程器发送响应时, 编程执行程序可能会表现异常 由于编程执行程序没有超时, 所以编程器必须正确地遵守所述的通信协议 作为安全措施, 编程器应该使用表 4-1 中标识的命令超时 如果命令超时结束, 编程器应该将编程执行程序复位并再次开始对器件编程 由于使用双线 SPI 接口, 且数据发送是双向的, 因而可使用一个简单的协议来控制 PGD 的方向 当编程器完成命令发送时, 它会释放 PGD 线, 并允许编程执行程序将此线驱动为高电平 编程执行程序将 PGD 线保持为高电平以表示它正在处理命令 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 37 页

38 图 4-2: 编程执行程序 编程器通信协议 主编程器发送最后一个命令字 编程执行程序处理命令 主编程器接收响应 PGC PGD MSB X X X LSB 1 0 MSB X X X LSB MSB X X X LSB P8 P9a P9b P10 P11 PGC = 输入 PGC = 输入 ( 空闲 ) PGD = 输入 PGD = 输出 PGC = 输入 PGD = 输出 4.2 编程执行程序命令 表 4-1 中显示了编程执行程序的命令集 该表包含每条命令的操作码 助记符 长度 超时和描述 在命令描述 ( 第 节 命令描述 ) 中详细描述了每条命令的功能 命令格式 所有编程执行程序命令都具有由 16 位头和该命令所需的所有数据组成的通用格式 ( 见图 4-3) 16 位头由用于标识命令的 4 位操作码字段和随后的 12 位命令长度字段组成 图 4-3: 命令格式 操作码长度命令数据的第一个字 ( 如果需要 ) 命令数据的最后一个字 ( 如果需要 ) 命令操作码必须与命令集中的一个命令匹配 接收到任何与表 4-1 中列出的命令不匹配的命令将返回 NACK 响应 ( 见第 操作码字段 ) 由于 SPI 在 16 位模式下工作, 所以命令长度以 16 位字表示 编程执行程序使用命令长度字段来确定要从 SPI 端口读取的字数 如果该字段的值不正确, 编程执行程序将无法正确地接收命令 数据打包格式 当通过 16 位 SPI 接口传输 24 位指令字时, 会使用图 4-4 中所示的格式将这些指令打包以节省空间 该格式最大限度地降低了通过 SPI 的通信量, 并为编程执行程序提供了正确对齐以供执行表写操作的数据 图 4-4: 指令字的打包格式 LSW1 MSB2 LSW2 LSWx: 指令字的低 16 位 MSBx: 指令字的最高有效字节 注 : 当传输的指令字数为奇数时,MSB2 为零, 且 LSW2 不能发送 编程执行程序错误处理 MSB1 编程执行程序将不应答 (NACK) 所有不支持的命令 另外, 编程执行程序由于存储空间的限制, 所以将不对包含在编程器命令中的数据执行校验 由编程器负责向编程执行程序发送带有有效命令参数的命令, 如果命令参数无效则可能导致编程操作失败 第 节 QE_Code 字段 中提供了有关错误处理的更多信息 DS70152C_CN 第 38 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

39 表 4-1: 编程执行程序命令集 操作码 助记符 长度 (16 位字 ) 超时 描述 0x0 SCHECK 1 1 ms 工作状态检查 0x1 READC 3 1 ms 从指定配置寄存器或器件 ID 寄存器中读取一个 8 位字 0x2 READP 4 1 ms/ 行 从指定地址开始读取代码存储区的 N 个 24 位指令字 0x3 RESERVED N/A N/A 该命令是保留的 它将返回 NACK 0x4 PROGC 4 5 ms 将一个 8 位字写入指定的配置寄存器 0x5 PROGP 99 5 ms 对位于指定地址的代码存储区的一行进行编程, 然后校验 0x6 PROGW 5 5 ms 对位于指定地址的代码存储区的一个指令字进行编程, 然后校验 0x7 ERASEB 1 5 ms 批量擦除整个芯片, 包括配置寄存器 0x8 ERASEC 3 5 ms 擦除指定的配置寄存器 0x9 ERASEP 3 5 ms/ 行 从指定的地址擦除代码存储区的一页 0xA QBLANK 3 TBD 查询代码存储区是否空白 0xB QVER 1 1 ms 查询编程执行程序的软件版本 0xC ERASES 1 5 ms 擦除安全段和 FSS 配置寄存器 0xD ERASEG 1 5 ms 擦除通用段和 FGS 配置寄存器 图注 : 注 : TBD = 待定 代码存储区的一行由 (64 个 ) 24 位字组成 请参见表 2-2 以获取特定于器件的信息 命令描述 第 节 SCHECK 命令 至第 节 QVER 命令 描述了编程执行程序支持的所有命令 SCHECK 命令 操作码长度 SCHECK 命令指示编程执行程序仅产生响应而不执行其他操作 该命令用作 工作状态检查 以验证编程执行程序是否正常工作 预期的响应 ( 双字 ): 0x1000 0x0002 注 : 该指令不是编程必需的, 但提供了这条命令来仅供开发使用 字段 描述 操作码长度 0x0 0x Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 39 页

40 4.2.6 READC 命令 READP 命令 操作码 长度 操作码 长度 N Addr_MSB N Addr_LS 保留 Addr_MSB Addr_LS 字段 操作码长度 N Addr_MSB Addr_LS 0x1 0x3 描述 要读取的 8 位配置寄存器或器件 ID 寄存器的数量 ( 最大为 256) 24 位源地址的 MSB 24 位源地址的低 16 位 READC 命令指示编程执行程序从由 Addr_MSB 和 Addr_LS 指定的 24 位地址开始读取 N 个配置寄存器或器件 ID 寄存器 该命令只能用于读取 8 位或 16 位数据 当使用该命令读取配置寄存器时, 编程执行程序返回的每个数据字的高字节为 0x00, 低字节包含配置寄存器的值 预期的响应 (4 + 3 * (N 1) / 2 个字, 其中 N 为奇数 ): 0x N 配置寄存器或器件 ID 寄存器 1... 配置寄存器或器件 ID 寄存器 N 注 : 读取未实现存储区将导致编程执行程序复位 请确保只访问在特定器件中存在的存储单元 字段 操作码长度 N 保留 Addr_MSB Addr_LS 0x2 0x4 描述 要读取的 24 位指令字数 ( 最大为 32768) 0x0 24 位源地址的 MSB 24 位源地址的低 16 位 READP 命令指示编程执行程序从由 Addr_MSB 和 Addr_LS 指定的 24 位地址开始读取代码存储区的 N 个 24 位字 该命令只能用于读取 24 位数据 作为对该命令的响应返回的所有数据使用在第 节 数据打包格式 中说明的数据打包格式 预期的响应 (2 + 3 * N / 2 个字, 其中 N 为偶数 ): 0x * N / 2 最低有效程序存储字 1... 最低有效数据字 N 预期的响应 (4 + 3 * (N 1) / 2 个字, 其中 N 为奇数 ): 0x * (N 1) / 2 最低有效程序存储字 1... 程序存储字 N 的 MSB ( 补零 ) 注 : 读取未实现存储区将导致编程执行程序复位 请确保只访问在特定器件中存在的存储单元 DS70152C_CN 第 40 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

41 4.2.8 PROGC 命令 操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS 数据 字段 操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS 数据 0x4 0x4 0x0 描述 24 位目标地址的 MSB 24 位目标地址的低 16 位 8 位数据字 PROGC 命令指示编程执行程序对位于指定存储地址的一个配置寄存器进行编程 当指定数据字被编程到配置寄存器之后, 编程执行程序将对照命令中的数据对已编程的数据进行校验 预期的响应 ( 双字 ): 0x1400 0x PROGP 命令 操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS D_1 D_2... D_N 字段 描述 操作码 0x5 长度 0x63 保留 0x0 Addr_MSB 24 位目标地址的 MSB Addr_LS 24 位目标地址的低 16 位 D_1 16 位数据字 1 D_2 16 位数据字 位数据字 3 至 95 D_96 16 位数据字 96 PROGC 命令指示编程执行程序对位于指定存储地址的代码存储区的一行 (64 个指令字 ) 进行编程 编程从命令中指定的行地址开始 目标地址应该是 0x80 的倍数 要编程到存储区中的数据位于命令字 D_1 至 D_96 中, 且必须使用图 4-4 给出的指令字打包格式对它们进行编排 当所有数据被编程到代码存储区之后, 编程执行程序将对照命令中的数据对已编程的数据进行校验 预期的响应 ( 双字 ): 0x1500 0x0002 注 : 请参见表 2-2 以获取有关代码存储区容量的信息 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 41 页

42 PROGW 命令 ERASEB 命令 操作码 长度 操作码 长度 保留 Addr_MSB 保留 Addr_LS Data_LS Data_MSB 字段操作码长度 0x7 0x1 描述 字段操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS Data_MSB Data_LS 描述 0x5 0x5 0x0 24 位目标地址的 MSB 24 位目标地址的低 16 位 24 位数据的 MSB 24 位数据的低 16 位 ERASEB 命令执行批量 ( 芯片 ) 擦除 在批量擦除操作中, 以下存储区域将被擦除 : 所有代码存储区 ( 即使有代码保护 ) 所有器件配置寄存器批量擦除后, 只有执行程序代码存储区和器件 ID 保持不变 预期的响应 ( 双字 ): 0x1700 0x0002 PROGW 命令指示编程执行程序将一个代码字 (3 个字节 ) 编程到指定的存储地址 当代码字被编程到代码存储区之后, 编程执行程序将对照命令中的数据对已编程的数据进行校验 预期的响应 ( 双字 ): 0x1600 0x ERASEC 命令 操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS 字段描述 操作码长度保留 Addr_MSB Addr_LS 0x8 0x3 0x0 24 位基地址的 MSB 24 位基地址的低 16 位 ERASEC 命令从指定地址擦除单个配置寄存器 指定的基地址必须位于配置存储空间中 预期的响应 ( 双字 ): 0x1800 0x0002 DS70152C_CN 第 42 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

43 ERASEP 命令 QBLANK 命令 操作码 长度 操作码 长度 Num_Pages Addr_MSB PSize Addr_LS 保留 DSize 字段 描述 字段 描述 操作码长度 Num_Pages Addr_MSB Addr_LS 0x9 0x3 要擦除的页数 24 位基地址的 MSB 24 位基地址的低 16 位 ERASEP 命令从指定的基地址开始擦除代码存储区中指定数目的页 该指定的基地址必须是 0x400 的倍数 执行擦除后, 代码存储区的所有目标字将包含 0xFFFFFF 预期的响应 ( 双字 ): 0x1900 0x0002 操作码长度 PSize 保留 DSize 0xA 0x3 要检查的程序存储区的长度 ( 用 24 位字数表示 ), 最大为 x0 要检查的数据存储区的长度 ( 用 16 位字数表示 ), 最大为 2048 QBLANK 查询编程执行程序以确定代码存储区和代码保护配置位 (GCP 和 GWRP) 的内容是否为空白 ( 包含全 1) 必须在命令中指定要检查的代码存储区的大小 代码存储区的空白检查始于 0x0, 并朝着地址更大的方向检查指定数目的指令字 如果指定的代码存储区和代码保护位为空白,QBLANK 将返回 QE_Code:0xF0 ; 否则, QBLANK 将返回 QE_Code:0x0F 预期的响应 ( 空白器件的双字 ): 0x1AF0 0x0002 预期的响应 ( 非空白器件的双字 ): 0x1A0F 0x0002 注 : QBLANK 不会对系统操作配置位进行检查, 因为这些位在执行芯片擦除时不会被置 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 43 页

44 QVER 命令 操作码长度 字段 操作码长度 0xB 0x1 QVER 命令查询存储在测试存储空间中的编程执行程序软件的版本 在响应的 QE_Code 中返回 版本. 修订版 信息, QE_Code 使用一个以下格式的字节 : 主版本由高半字节表示, 修订版本由低半字节表示 ( 例如, 0x23 表示编程执行程序软件的版本为 2.3) 预期的响应 ( 双字 ): 0x1BMN ( 其中 MN 代表版本 M.N) 0x ERASES 命令 描述 操作码长度 字段 操作码长度 0xC 0x1 描述 ERASES 命令执行擦除安全段的操作 在安全段擦除操作中, 以下存储区域将被擦除 : 安全段中的所有代码存储区 FSS 配置寄存器预期的响应 ( 双字 ): 0x1C00 0x0002 预期的响应 ( 双字 ): 0x1D00 0x 编程执行程序响应 每接收到一条命令编程执行程序就会向编程器发送一个响应 该响应指示命令是否已被正确处理, 其中包含任何必需的响应数据或错误数据 编程执行程序响应集显示在表 4-2 中 该表包含每个响应的操作码 助记符以及描述 响应格式在第 节 响应格式 中有所说明 表 4-2: 响应格式 编程执行程序响应集 操作码 助记符 描述 0x1 PASS 命令已成功处理 0x2 FAIL 命令未成功处理 0x3 NACK 命令未知 所有编程执行程序响应都具有由双字响应头和该命令所需的所有数据组成的通用格式 操作码 Last_Cmd QE_Code 长度 D_1 ( 如果适用 )... D_N ( 如果适用 ) ERASEG 命令 字段 描述 操作码 长度 字段 描述 操作码 0xD 长度 0x1 ERASEG 命令执行擦除通用段的操作 操作码 响应操作码 Last_Cmd 产生该响应的编程器命令 QE_Code 查询代码或错误代码 长度 以 16 位字数表示的响应长度 ( 包含 两个字的响应头 ) D_1 第一个 16 位数据字 ( 如果适用 ) D_N 最后一个 16 位数据字 ( 如果适用 ) 在通用段擦除操作中, 以下存储区域将被擦除 : 通用段中的所有代码存储区 FGS 配置寄存器 DS70152C_CN 第 44 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

45 操作码字段 操作码是响应的第一个字中的 4 位字段 操作码表示命令的处理情况 ( 见表 4-2) 如果命令已成功处理, 响应操作码是 PASS 如果在处理命令过程中发生错误, 那么响应操作码是 FAIL, 而且 QE_Code 将表明故障的原因 如果发送给编程执行程序的命令未被识别, 那么编程执行程序将返回 NACK 响应 Last_Cmd 字段 Last_Cmd 是响应的第一个字中的 4 位字段, 该字段表明编程执行程序处理的命令 由于编程执行程序每次只能处理一条命令, 所以从技术角度而言不需要此字段 然而, 它可以用来验证编程执行程序是否已正确地接收了编程器发送的命令 QE_Code 字段 QE_Code 是响应的第一个字中的一个字节 该字节用于为查询命令返回数据, 为所有其他命令返回错误代码 当编程执行程序处理两种查询命令 (QBLANK 或 QVER) 之一时, 返回的操作码总是 PASS, 并且 QE_Code 将保留查询响应数据 表 4-3 显示了两种查询的 QE_Code 的格式 表 4-4: 0x0 0x1 0x2 QE_Code 响应长度 针对非查询命令的 QE_Code 无错误 校验失败 其他错误 描述 响应长度表示编程执行程序的响应的长度, 以 16 位字数表示 该字段包含双字响应头 除了对 READP 命令的响应外, 对其他命令的响应的长度都只有两个字 对 READP 命令的响应使用第 节 数据打包格式 中说明的指令字打包格式 当读取奇数个程序存储字 (N 为奇数 ) 时, 对 READP 命令的响应是 (3 * (N + 1) / 2 + 2) 个字 当读取偶数个程序存储字 (N 为偶数 ) 时, 对 READP 命令的响应是 (3 * N / 2 + 2) 个字 表 4-3: 查询 QBLANK QVER 针对查询命令的 QE_Code QE_Code 0x0F = 代码存储区非空白 0xF0= 代码存储区空白 0xMN, 其中编程执行程序软件版本 = M.N ( 例如, 0x32 表示软件版本为 3.2) 当编程执行程序处理除查询外的任何命令时, QE_Code 代表一个错误代码 支持的错误代码显示在表 4-4 中 如果命令被成功处理, 返回的 QE_Code 将设置为 0x0, 这表明在处理命令过程中没有发生错误 如果对 PROGP 或 PROGC 命令的编程进行校验时失败, 那么 QE_Code 将被设置为 0x1 对于所有其他编程执行程序错误, QE_Code 为 0x Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 45 页

46 5.0 器件编程 ICSP ICSP 模式是允许您对 dspic33f/pic24h 器件系列的存储器进行读写操作的一种特殊编程协议 ICSP 模式是对器件编程采用的最直接的方法, 但要注意增强型 ICSP 速度更快 ICSP 模式还具有读执行程序存储区以确定编程执行程序是否存在的功能 通过使用 PGC 和 PGD 引脚向器件串行发送控制代码和指令可实现该功能 在 ICSP 模式下, 系统时钟始终来自 PGC 引脚, 而无论器件的振荡器配置位的设置如何 首先, 所有指令会串行移入内部缓冲区, 然后载入指令寄存器并执行 不会从内部存储器执行程序取操作 一次送入 24 位指令 PGD 用来移入数据, PGC 既用作串行移位时钟又用作 CPU 执行时钟 注 : 在 ICSP 操作中, PGC 的工作频率不能超过 5MHz 5.1 编程过程的概述 图 5-1 高度概括了编程的过程 进入 ICSP 模式后, 首先执行的操作是对器件进行批量擦除 然后, 对代码存储区编程, 并接着对器件配置寄存器编程 随后, 对代码存储区 ( 包括配置寄存器 ) 进行校验以确保编程成功 最后, 如果需要, 编程代码保护配置位 图 5-1: 高度概括的 ICSP 编程流程图 开始 进入 ICSP 模式 执行批量擦除 对存储器编程 对编程进行校验 编程配置位 校验配置位 退出 ICSP 模式 完成 5.2 ICSP 工作原理 进入 ICSP 模式时,CPU 为空闲 CPU 执行由内部状态机控制 使用 PGC 和 PGD 引脚在时钟控制下移入 4 位用来命令 CPU 的控制代码 ( 见表 5-1) SIX 控制代码用于发送指令给 CPU 执行, 而 REGOUT 控制代码用于通过 VISI 寄存器从器件中读数据 表 5-1: ICSP 模式的 CPU 控制代码 4 位控制代码 助记符 描述 b SIX 移入 24 位指令并执行 0001b REGOUT 移出 VISI 寄存器 0010b-1111b N/A 保留 DS70152C_CN 第 46 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

47 5.2.1 SIX 串行指令执行 SIX 控制代码允许执行 dspic33f/pic24h 的汇编指令 当接收到 SIX 代码时,CPU 暂停 24 个时钟周期, 在这段时间指令被移入内部缓冲区 一旦移入指令, 状态机就允许其在接下来的 4 个时钟周期内执行 当执行接收到的指令时, 状态机会同时移入下一条 4 位命令 ( 见图 5-2) 注 1: 复位后, 第一个 4 位控制代码总是被强制为 SIX, 并强制 CPU 执行一条 指令 起振时需要三个额外的 PGC 时钟, 因此会产生一个 7 位的 SIX 命令, 而不是通常情况下的 4 位 SIX 命令 一旦移入强制的 SIX 命令, ICSP 操作就会恢复正常 ( 在接下来的 24 个时钟周期内将第一个指令字装入 CPU) 2:TBLRDH TBLRDL TBLWTH 和 TBLWTL 指令后必须跟 指令 REGOUT 串行指令执行 REGOUT 控制代码允许在 ICSP 模式下从器件中读取数据 它用于通过 PGD 引脚在时钟控制下移出器件中 VISI 寄存器的内容 接收到 REGOUT 控制代码后, CPU 在 8 个周期内保持空闲 经过这 8 个周期后, 还需要额外的 16 个周期将数据移出 ( 见图 5-3) REGOUT 指令的独特之处在于当将控制代码发送到器件时,PGD 引脚为输入引脚 但是, 一旦控制代码处理完毕, PGD 引脚就会变成输出引脚移出 VISI 寄存器中的数据 注 : 在 PGC 的下降沿发送数据, 而在上升沿锁存数据 对于所有的数据发送, 都是最先发送最低有效位 (LSb) 图 5-2: PGC P2 PGD SIX 串行指令执行 P P3 P4 P1b P4a P1a LSB X X X X X X X X X X X X X X MSB 执行 PC - 1, 取 SIX 控制代码 仅用于程序存储器入口 PGD = 输入 取 24 位指令执行 24 位指令, 取下一个控制代码 图 5-3: REGOUT 串行指令执行 PGC P4 P P4a PGD LSb MSb 执行上一条指令, CPU 保持在空闲状态 移出 VISI 寄存器 <15:0> 取 REGOUT 控制代码 不执行代码, 取下一个控制代码 PGD = 输入 PGD = 输出 PGD = 输入 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 47 页

48 5.3 进入 ICSP 模式 如图 5-4 所示, 进入 ICSP 编程 / 校验模式需要三个步骤 : 1. MCLR 引脚短暂地驱动为高电压, 然后再驱动为低电压 2. 将 32 位的密钥序列在时钟控制下移入到 PGD 引脚 3. 然后将 MCLR 驱动为高电压并保持一段指定的时间 加到 MCLR 的编程电压为 VIH, 对于 dspic33f/pic24h 器件, 该电压实际就是 对于 VIH 没有最小保持时间要求 在 VIH 移除后, 必须经过至少 P16 时间间隔才能将密钥序列移入到 PGD 引脚 图 5-4: 进入 ICSP 模式 该密钥序列为一个特定的 32 位模式 ( 以其 16 进制格式 0x4D 记忆更为简便 ) 只有在密钥序列有效时才能进入编程 / 校验模式 首先将移入高 16 位的最高有效位 (MSb) 一旦密钥序列完全移入, 就必须将 VIH 加到 MCLR 并保持该电压直到进入编程 / 校验模式 必须经过至少 P17 和 P7 时间间隔才能将数据移入到 PGD 引脚 在 P7 之前出现在 PGD 引脚上的信号被认定为无效 一旦成功进入编程 / 校验模式, 就能以串行的方式访问程序存储器并对其编程了 在编程 / 校验模式下, 所有未用的 I/O 引脚都被置于高阻态 MCLR P6 P12 VIH VIH P17 P7 PGD PGC P16 编程 / 校验进入代码 = 0x4D b31 b30 b29 b28 b27 b3 b2 b1 b0 P2B P2A 5.4 在 ICSP 模式下对闪存编程 编程操作 对闪存执行的写和擦除操作是通过 NVMCON 寄存器控制的 编程的执行过程如下 : 设置 NVMCON 选择擦除操作 ( 表 5-2) 或写操作 ( 表 5-3) 的类型, 并通过将 WR (NVMCON<15>) 控制位置 1 启动编程 在 ICSP 模式下, 所有编程操作都采用自定时方式 在用户将 WR 控制位置 1 及其自动清零之间存在一段内部延时, 延时结束后编程操作完成 欲知有关与各种编程操作相关的延时的信息, 请参见第 8.0 节 交流 / 直流特性和时序要求 表 5-2: NVMCON 值 0x404F 0x404D 0x404C 0x4042 0x4040 NVMCON 擦除操作 擦除操作 擦除所有代码存储区 执行程序存储区和配置寄存器 ( 不擦除部件 ID 或器件 ID 寄存器 ) 擦除通用段和 FGS 配置寄存器 擦除安全段和 FSS 配置寄存器 擦除代码存储区或执行程序存储区中的一页 擦除配置寄存器字节 表 5-3: NVMCON 值 0x4001 0x4000 0x4003 NVMCON 写操作 写操作 对代码存储区或执行程序存储区的 1 行 (64 个指令字 ) 进行编程 写配置寄存器字节 编程一个代码字 DS70152C_CN 第 48 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

49 5.4.2 启动和停止编程 WR 位 (NVMCON<15>) 用于启动擦除周期或写周期 将 WR 位置 1 启动编程 所有擦除和写周期都是自定时的 应查询 WR 位以确定擦除或写周期是否已完成 启动编程的方法如下 : BSET NVMCON, #WR 图 5-5: 批量擦除流程图 开始 将 0x404F 写入 NVMCON SFR 5.5 擦除程序存储器 擦除程序存储器 ( 所有的代码存储区 数据存储器 执行程序存储区和代码保护位 ) 的步骤包括将 NVMCON 设置为 0x404F, 并随后执行编程周期 对于段擦除操作, 应根据表 5-2 适当修改 NVMCON 的值 图 5-5 给出了批量擦除程序存储器的 ICSP 编程过程 该过程包括 ICSP 命令代码, 对于每条指令必须首先使用 PGC 和 PGD 引脚发送命令代码的最低位 ( 见图 5-2) 注 : 在向程序存储器写入任何数据之前必须先将其擦除 将 WR 位置 1 启动擦除 延迟 P11 + P10 时间 完成 如果需要执行段擦除操作, 则在步骤 3 中必须根据表 5-2 相应地修改 NVMCON 的值 表 5-4: 命令 ( 二进制 ) 批量擦除代码存储区的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 第 2 步 : 设置 NVMCON 以擦除所有程序存储器 2404FA MOV #0x404F, W10 883B0A MOV W10, NVMCON 第 3 步 : 启动擦除周期 A8E761 BSET NVMCON, #WR 00 第 4 步 : 重复读取 NVMCON 寄存器并查询 WR 位是否清零 GOTO 0x MOV #VISI, W MOV NVMCON, W MOV W2, [W1] <VISI> Clock out contents of the VISI register. Repeat the above 7-instruction loop until WR (bit 15) is clear. 描述 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 49 页

50 5.6 写代码存储区 写代码存储区的过程与写配置寄存器类似, 只不过它一次编程 64 个指令字 为了便于操作, 使用工作寄存器 W0:W5 用作存放待编程数据的临时保存寄存器 表 5-5 详细介绍了 ICSP 编程, 包括 ICSP 命令代码的串行模式, 必须使用 PGC 和 PGD 引脚先发送命令代码的最低位 ( 见图 5-2) 第 1 步, 退出复位向量 第 2 步, 初始化 NVMCON 寄存器, 以对代码存储区进行编程 第 3 步, 将 24 位的编程起始目标地址装入 TBLPAG 寄存器和 W7 寄存器 起始目标地址的高字节存储到 TBLPAG, 而该目标地址的低 16 位存储到 W7 为了使编程时间最短, 将使用与编程执行程序相同的指令打包格式 ( 见图 4-4) 第 4 步, 使用 MOV 指令将 4 个打包的指令字存储到工作寄存器 W0:W5, 并初始化读指针 W6 保存打包指令字的 W0:W5 寄存器的内容如图 5-6 所示 第 5 步, 使用 8 条 TBLWT 指令将 W0:W5 中的数据复制到代码存储区的写锁存器 因为一次只能将 64 个指令字烧写到代码存储区, 所以必须将 4 至 5 步重复 16 次, 以装载所有的写锁存器 ( 第 6 步 ) 装载完写锁存器后, 在第 7 步和第 8 步中写入 NVMCON 寄存器启动编程 在第 9 步中, 将内部 PC 复位为 0x200 当对大存储容量器件编程时, 这是防止 PC 递增到未实现存储区的一种预防措施 最后, 在第 10 步中, 重复 3 至 9 步, 直到所有代码存储区均被编程为止 图 5-6: W0 W0:W5 中的打包指令字 LSW0 W1 MSB1 MSB0 W2 W3 LSW1 LSW2 W4 MSB3 MSB2 W5 LSW3 DS70152C_CN 第 50 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

51 表 5-5: 命令 ( 二进制 ) 写代码存储区的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 描述 第 2 步 : 设置 NVMCON 以编程 64 个指令字 24001A MOV #0x4001, W10 883B0A MOV W10, NVMCON 第 3 步 : 为执行 TBLWT 指令初始化写指针 (W7) 200xx0 MOV #<DestinationAddress23:16>, W MOV W0, TBLPAG 2xxxx7 MOV #<DestinationAddress15:0>, W7 第 4 步 : 初始化读指针 (W6) 并将下 4 个待编程的指令字装入 W0:W5 2xxxx0 MOV #<LSW0>, W0 2xxxx1 MOV #<MSB1:MSB0>, W1 2xxxx2 MOV #<LSW1>, W2 2xxxx3 MOV #<LSW2>, W3 2xxxx4 MOV #<MSB3:MSB2>, W4 2xxxx5 MOV #<LSW3>, W5 第 5 步 : 设置读指针 (W6) 并装载 ( 下一组 ) 写锁存器 EB0300 CLR W6 00 BB0BB6 TBLWTL [W6++], [W7] BBDBB BBEBB TBLWTH.B[W6++], [W7++] TBLWTH.B[W6++], [++W7] BB1BB6 TBLWTL [W6++], [W7++] BB0BB6 TBLWTL [W6++], [W7] BBDBB BBEBB TBLWTH.B[W6++], [W7++] TBLWTH.B[W6++], [++W7] BB1BB6 TBLWTL [W6++], [W7++] 第 6 步 : 将第 3 步至第 5 步重复执行 16 次将 64 个指令字装入写锁存器 第 7 步 : 启动写周期 A8E761 BSET NVMCON, #WR 00 第 8 步 : 重复读取 NVMCON 寄存器并查询 WR 位是否清零 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 51 页

52 表 5-5: 写代码存储区的串行指令执行 ( 续 ) 命令 ( 二进制 ) 0001 数据 ( 十六进制 ) <VISI> 第 9 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x 第 10 步 : 重复第 3 步至第 9 步直到所有代码存储区都被编程为止 描述 GOTO 0x200 MOV #VISI, W1 MOV NVMCON, W2 MOV W2, [W1] Clock out contents of the VISI register. Repeat the above 7-instruction loop until WR (bit 15) is clear. 图 5-7: 对代码存储区编程的流程图 开始 N = 1 LoopCount = 0 为写操作配置器件 N = N + 1 将 2 个字节装载到地址为 <Addr> 的写缓冲区中 否 所有字节都被写入了吗? N = 1 LoopCount = LoopCount = +1 是 启动写序列并查询 WR 位是否清零 否 所有单元都被写入了吗? 是 完成 DS70152C_CN 第 52 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

53 5.7 写配置存储区 8 位配置寄存器是可编程的, 一次编程一个寄存器 配置寄存器的建议默认编程值显示在表 5-6 中 建议 FOSCSEL 的默认值为 0x07, 该值选择 FRC 时钟振荡器设置 FBS FSS 和 FGS 是用于使能器件代码保护的特殊寄存器 出于安全考虑, 一旦这些寄存器中的任何位被编程为 0( 使能代码保护 ), 就只能通过执行第 5.5 节 擦除程序存储器 中介绍的批量擦除操作将它们置回 1 无法将这些位从 0 编程为 1, 但是可以将其从 1 编程为 0 以使能代码保护 表 5-7 给出了清除配置寄存器的 ICSP 编程的详细步骤 第 1 步, 退出复位向量 第 2 步, 将 0x 装入写指针 (W7), 该值为起始目标地址 ( 位于 TBLPAG 为 0xF8 的程序存储区中 ) 第 3 步, 设置 NVMCON 以对一个配置寄存器编程 第 4 步, 将 TBLPAG 寄存器初始化为 0xF8 以写配置寄存器 第 5 步, 将要写入每个配置寄存器的值装入到 W0 第 6 步, 使用 TBLWTL 指令将配置寄存器数据写入写锁存器 第 7 步和第 8 步, 启 动编程 第 9 步, 将内部 PC 设置为 0x200 作为防止 PC 递增到未实现存储区的安全措施 最后, 重复执行 4 至 9 步直到所有 12 个配置寄存器都被写入为止 表 5-6: 配置寄存器的默认值 地址 名称 默认值 0xF8 FBS 0xCF 0xF80002 FSS 0xCF 0xF80004 FGS 0x07 0xF80006 FOSCSEL 0xA7 0xF80008 FOSC 0xC7 0xF8000A FWDT 0xDF 0xF8000C FPOR 0xE7 0xF8000E FICD 0xE3 0xF80010 FUID0 0xFF 0xF80012 FUID1 0xFF 0xF80014 FUID2 0xFF 0xF80016 FUID3 0xFF 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 53 页

54 表 5-7: 命令 ( 二进制 ) 写配置寄存器的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 第 2 步 : 为执行 TBLWT 指令初始化写指针 (W7) 27 MOV #0x, W7 第 3 步 : 设置 NVMCON 以对一个配置寄存器编程 24000A MOV #0x4000, W10 883B0A MOV W10, NVMCON 第 4 步 : 初始化 TBLPAG 寄存器 200F80 MOV #0xF8, W MOV W0, TBLPAG 第 5 步 : 将配置寄存器数据装入 W6 2xxxx0 MOV #<CONFIG_VALUE>, W0 第 6 步 : 将配置寄存器数据写入写锁存器并将写指针递增 1 BB1B TBLWTL W0, [W7++] 第 7 步 : 启动写周期 A8E761 BSET NVMCON, #WR 00 第 8 步 : 重复读取 NVMCON 寄存器并查询 WR 位是否清零 GOTO 0x MOV #VISI, W MOV NVMCON, W MOV W2, [W1] <VISI> Clock out contents of the VISI register. Repeat the above 7-instruction loop until WR (bit 15) is clear. 第 9 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x 第 10 步 : 重复第 4 步至第 9 步, 直到所有 12 个配置寄存器都被写入为止 描述 DS70152C_CN 第 54 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

55 5.8 读代码存储区 读代码存储区是通过执行一系列 TBLRD 指令和使用 REGOUT 命令在时钟控制下移出数据完成的 表 5-8 给出了读代码存储区的 ICSP 编程的详细步骤 第 1 步, 退出复位向量 第 2 步, 将要读的存储区的 24 位起始源地址装入 TBLPAG 和 W6 寄存器 起始源地址的高字节存储到 TBLPAG, 而该源地址的低 16 位存储到 W6 表 5-8: 命令 ( 二进制 ) 读取代码存储区的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 为了使读取时间最小, 写操作时使用的指令字打包模式也同样用于读操作 ( 见图 5-6) 第 3 步, 初始化写指针 W7 第 4 步, 从代码存储区读出 2 个指令字, 并使用 REGOUT 命令在时钟控制下通过 VISI 寄存器将其移出器件 重复执行第 4 步直到读完所需大小的代码存储区为止 第 2 步 : 为执行 TBLRD 指令初始化 TBLPAG 和读指针 (W6) 200xx0 MOV #<SourceAddress23:16>, W MOV W0, TBLPAG 2xxxx6 MOV #<SourceAddress15:0>, W6 第 3 步 : 初始化写指针 (W7) 以指向 VISI 寄存器 MOV #VISI, W7 00 第 4 步 : 读并移出代码存储区中下两个存储单元的内容, 并使用 REGOUT 命令通过 VISI 寄存器在时钟控制下将其移 出器件 BA1B <VISI> BA9BB <VISI> 描述 TBLRDL [W6], [W7] Clock out contents of VISI register TBLRDH [W6++], [W7] Clock out contents of VISI register 第 5 步 : 重复执行第 4 步, 直到读完所有需要的代码存储区为止 第 6 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 55 页

56 5.9 读配置存储区 读配置存储区的过程与读代码存储区类似, 区别在于前者读取 16 位数据字 ( 读到的高字节为全 0) 而不是 24 位字 每次读取 12 个配置寄存器中的一个 表 5-9 给出了读取所有配置存储区的 ICSP 编程的详细步骤 注意必须将 TBLPAG 寄存器的值硬编码为 0xF8 ( 配置存储区的高字节地址 ) 并将读指针 W6 初始化为 0x 表 5-9: 命令 ( 二进制 ) 读所有配置存储区的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 第 2 步 : 为执行 TBLRD 指令初始化 TBLPAG 读指针 (W6) 和写指针 (W7) 200F80 MOV #0xF8, W MOV W0, TBLPAG EB0300 CLR W MOV #VISI, W7 00 第 3 步 : 读配置寄存器并将读到的值写入 VISI 寄存器 ( 地址为 0x784), 并使用 REGOUT 命令在时钟控制下移出 VISI 寄存器的内容 0001 BA0BB <VISI> 描述 TBLRDL [W6++], [W7] Clock out contents of VISI register 第 4 步 : 将第 3 步至第 4 步重复执行 12 次以读取所有的配置寄存器 第 5 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x200 DS70152C_CN 第 56 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

57 5.10 校验代码存储区和配置字 校验的步骤涉及读回代码存储空间并将读到的值与存储在编程器缓冲区中的副本做比较 使用其余代码校验配置寄存器 图 5-8 给出了校验过程的流程图 对存储区执行读操作一次读取一个字节, 所以必须读出两个字节以与编程器缓冲区中的字做比较 请参见第 5.8 节 读代码存储区 了解读取代码存储区的操作的详细执行过程 注 : 由于配置寄存器中包含器件代码保护位, 如果使能代码保护, 应立即在写入代码存储区后对其进行校验 这是因为如果在 FGS 配置寄存器中的代码保护位清零后器件发生了复位, 将无法读取或校验器件 图 5-8: 校验代码存储区的流程图 开始 设置 TBLPTR = 读应用程序 ID 字 应用程序 ID 字存储在执行程序代码存储区内地址为 0x8005BE 的存储单元内 要读取该存储单元, 必须使用 SIX 控制代码将该程序存储单元中的内容移入 VISI 寄存器 然后必须使用 REGOUT 控制代码在时钟控制下将 VISI 寄存器中的内容移出器件 必须串行发送给器件以执行该操作的相应控制和指令代码如表 5-10 所示 编程器在时钟控制下移出应用程序 ID 字后, 就必须对其进行检查 如果应用程序 ID 的值为 0xBB, 表明编程执行程序位于执行程序存储区中, 可以采用第 3.0 节 器件编程 增强型 ICSP 中描述的机制对器件编程 但是, 如果应用程序 ID 为其他值, 则表明编程执行程序不在相应的存储区中 必须在对器件编程前先将编程执行程序装入到执行程序存储区中 第 6.0 节 将编程执行程序烧写到存储区中 介绍了将编程执行程序装入存储区的过程 5.12 退出 ICSP 模式 通过将 VIH 从 MCLR 引脚移除可退出编程 / 校验模式, 如图 5-9 所示 退出操作的惟一要求是移除 VIH 要在 PGC 和 PGD 引脚上最后一个时钟信号和编程信号后的 P9b 时间间隔后进行 读低字节然后指针递增 图 5-9: 退出 ICSP 模式 P9b P15 MCLR VIH 读高字节然后指针递增 字 = 预期数据吗? 否 故障报告错误 PGD PGC VIH 否 是 所有代码存储区都被校验了吗? PGD = 输入 完成 是 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 57 页

58 表 5-10: 命令 ( 二进制 ) 读应用程序 ID 字的串行指令执行 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 描述 第 2 步 : 为执行 TBLRD 指令初始化 TBLPAG 和读指针 (W0) MOV #0x80, W MOV W0, TBLPAG 205FE0 MOV #0x5BE, W MOV #VISI, W1 00 BA TBLRDL [W0], [W1] 第 3 步 : 使用 REGOUT 命令输出 VISI 寄存器的内容 0001 <VISI> Clock out contents of the VISI register DS70152C_CN 第 58 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

59 6.0 将编程执行程序烧写到存储区中 6.1 概述 如果已确定编程执行程序不在执行程序存储区中 ( 如第 3.2 节 确认编程执行程序的存在 所述 ), 必须要通过第 5.0 节 器件编程 ICSP 中所述的 ICSP 方法将其烧写到执行程序存储区中 将编程执行程序存储到执行程序存储区的过程与对代码存储区的常规编程类似 即, 必须首先擦除执行程序存储区, 然后才能烧写编程执行程序, 每次必须烧写 64 个指令字 表 6-1 总结了该控制流程 表 6-1: 命令 ( 二进制 ) 烧写编程执行程序 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量, 擦除执行程序存储区 GOTO 0x200 第 2 步 : 初始化 NVMCON 以擦除执行程序存储区 24072A MOV #0x4042, W10 883B0A MOV W10, NVMCON 第 3 步 : 启动擦除周期 0001 A8E <VISI> 描述 BSET NVMCON, #15 GOTO 0x200 MOV #VISI, W1 MOV NVMCON, W2 MOV W2, [W1] Clock out contents of the VISI register. Repeat the above 7-instruction loop until WR (bit 15) is clear. 第 4 步 : 将第 3 步重复执行 4 次以擦除执行程序存储区的所有 4 页 第 5 步 : 初始化 NVMCON 来烧写 64 个指令字 24001A MOV #0x4001, W10 883B0A MOV W10, NVMCON 第 6 步 : 初始化 TBLPAG 和写指针 (W7) MOV #0x80, W MOV W0, TBLPAG EB CLR W Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 59 页

60 表 6-1: 烧写编程执行程序 ( 续 ) 命令 ( 二进制 ) 第 7 步 : 将打包的编程执行程序代码的下 4 个字装入 W0:W5 并初始化 W6 来为编程做好准备 编程从执行程序存储 区的最低地址 (0x80) 开始, 使用 W6 作为读指针, W7 作为写指针 2<LSW0>0 MOV #<LSW0>, W0 2<MSB1:MSB0>1 MOV #<MSB1:MSB0>, W1 2<LSW1>2 MOV #<LSW1>, W2 2<LSW2>3 MOV #<LSW2>, W3 2<MSB3:MSB2>4 MOV #<MSB3:MSB2>, W4 2<LSW3>5 MOV #<LSW3>, W5 第 8 步 : 设置读指针 (W6) 并装载 ( 下 4 个 ) 写锁存器 EB0300 CLR W6 BB0BB6 TBLWTL [W6++], [W7] 00 BBDBB6 00 BBEBB6 00 TBLWTH.B[W6++], [W7++] TBLWTH.B[W6++], [++W7] BB1BB6 TBLWTL [W6++], [W7++] 00 BB0BB6 TBLWTL [W6++], [W7] 00 BBDBB6 00 BBEBB6 00 TBLWTH.B[W6++], [W7++] TBLWTH.B[W6++], [++W7] BB1BB6 TBLWTL [W6++], [W7++] 00 第 9 步 : 将第 7 步至第 8 步重复执行 16 次以将 64 个指令字装载到写锁存器 第 10 步 : 启动编程周期 数据 ( 十六进制 ) A8E BSET NVMCON, #15 第 11 步 : 重复读取 NVMCON 寄存器并查询 WR 位是否清零 GOTO 0x MOV #VISI, W MOV NVMCON, W MOV W2, [W1] <VISI> Clock out contents of the VISI register. Repeat the above 7-instruction loop until WR (bit 15) is clear. 第 12 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x 第 13 步 : 重复第 7 步至第 12 步, 直到执行程序存储区的全部 32 行被编程为止 描述 DS70152C_CN 第 60 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

61 6.2 编程校验 使用 ICSP 将编程执行程序烧写到执行程序存储区后, 必须进行校验 通过读出执行程序存储区中的内容并将其与存储在编程器中的编程执行程序的镜像比较来进行校验 可以使用第 5.8 节 读代码存储区 中介绍的方法读取执行程序存储区的内容 表 6-2 给出了读执行程序存储区的步骤 注意, 在第 2 步中, 将 TBLPAG 寄存器的值设置为 0x80, 从而可读取执行程序存储区 表 6-2: 命令 ( 二进制 ) 读执行程序存储区 数据 ( 十六进制 ) 第 1 步 : 退出复位向量 GOTO 0x200 第 2 步 : 为执行 TBLRD 指令初始化 TBLPAG 和读指针 (W6) MOV #0x80, W MOV W0, TBLPAG EB0300 CLR W6 第 3 步 : 初始化写指针 (W7) 以指向 VISI 寄存器 MOV #VISI, W7 第 4 步 : 读出执行程序存储区中下两个单元的内容, 并使用 REGOUT 命令通过 VISI 寄存器在时钟控制下将其移出器 件 BA1B96 00 <VISI> BA9BB6 00 <VISI> 描述 TBLRDL [W6], [W7] Clock out contents of VISI register TBLRDH [W6++], [W7] Clock out contents of VISI register 第 5 步 : 复位器件内部 PC GOTO 0x 第 6 步 : 重复第 4 步至第 5 步, 直到读完执行程序存储区中全部的 2048 个指令字为止 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 61 页

62 7.0 器件 ID 器件 ID 存储区可用于确定芯片的掩膜 变体及生产信息 器件 ID 区为 2x16 位, 可以使用 READC 命令读取 该存储区只读, 并且能在使能代码保护时读取 表 7-1 显示了每种器件的器件 ID, 表 7-2 显示了器件 ID 寄存器, 而表 7-3 说明了每个寄存器的位域 表 7-1: 器件 ID 器件 DEVID DEVREV dspic33fj64gp206 0xC1 0x3000 dspic33fj64gp306 0xCD 0x3000 dspic33fj64gp310 0xCF 0x3000 dspic33fj64gp706 0xD5 0x3000 dspic33fj64gp708 0xD6 0x3000 dspic33fj64gp710 0xD7 0x3000 dspic33fj128gp206 0xD9 0x3000 dspic33fj128gp306 0xE5 0x3000 dspic33fj128gp310 0xE7 0x3000 dspic33fj128gp706 0xED 0x3000 dspic33fj128gp708 0xEE 0x3000 dspic33fj128gp710 0xEF 0x3000 dspic33fj256gp506 0xF5 0x3000 dspic33fj256gp510 0xF7 0x3000 dspic33fj256gp710 0xFF 0x3000 dspic33fj64mc506 0x89 0x3000 dspic33fj64mc508 0x8A 0x3000 dspic33fj64mc510 0x8B 0x3000 dspic33fj64mc706 0x91 0x3000 dspic33fj64mc710 0x97 0x3000 dspic33fj128mc506 0xA1 0x3000 dspic33fj128mc510 0xA3 0x3000 dspic33fj128mc706 0xA9 0x3000 dspic33fj128mc708 0xAE 0x3000 dspic33fj128mc710 0xAF 0x3000 dspic33fj256mc510 0xB7 0x3000 dspic33fj256mc710 0xBF 0x3000 PIC24HJ64GP206 0x41 0x3000 PIC24HJ64GP210 0x47 0x3000 PIC24HJ64GP506 0x49 0x3000 PIC24HJ64GP510 0x4B 0x3000 PIC24HJ128GP206 0x5D 0x3000 PIC24HJ128GP210 0x5F 0x3000 PIC24HJ128GP306 0x65 0x3000 PIC24HJ128GP310 0x67 0x3000 PIC24HJ128GP506 0x61 0x3000 PIC24HJ128GP510 0x63 0x3000 PIC24HJ256GP206 0x71 0x3000 PIC24HJ256GP210 0x73 0x3000 PIC24HJ256GP610 0x7B 0x3000 DS70152C_CN 第 62 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

63 表 7-2: 地址 dspic33f/pic24h 器件 ID 寄存器 Bit 名称 xFF DEVID MASK<9:0> VARIANT<5:0> 0xFF0002 DEVREV PROC<3:0> REV<5:0> DOT<5:0> 表 7-3: 器件 ID 位描述 位域 寄存器 描述 MASK<9:0> DEVID 对器件的 MASKSET ID 进行编码 VARIANT<5:0> DEVID 对由器件的 MASKSET 得到的 VARIANT 进行编码 PROC<3:0> DEVREV 对器件的生产工艺进行编码 REV<5:0> DEVREV 对器件的主版本号进行编码 DOT<5:0> DEVREV 对器件的次版本号进行编码 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 63 页

64 8.0 交流 / 直流特性和时序要求 标准工作条件工作温度 : -40 C 至 85 C 建议在 25 C 下进行编程 参数编号 符号特性最小值最大值单位条件 D111 编程时的供电电压 CORE 3.60 V 常规编程 ( 注 ) D112 IPP MCLR 引脚上的编程电流 - 5 µa D113 IDDP 编程时的供电电流 - 2 µa D031 VIL 输入低电压 0.2 V D041 VIH 输入高电压 0.8 V D080 VOL 输出低电压 V IOL = V D090 VOH 输出高电压 V IOH = V D012 CIO I/O 引脚 (PGD) 上的容性负载 - 50 pf 符合交流规范 D013 CF VCAP 上的滤波器电容值 1 10 µf 需要控制器内核 P1 TPGC 串行时钟 (PGC) 周期 ns P1A TPGCL 串行时钟 (PGC) 的低电平时间 40 - ns P1B TPGCH 串行时钟 (PGC) 的高电平时间 40 - ns P2 TSET1 输入数据到串行时钟 的建立时间 15 - ns P3 THLD1 在 PGC 后输入数据的保持时间 15 - ns P4 TDLY1 4 位命令和命令操作数之间的延时 40 - ns P4A TDLY1A 4 位命令操作数与下一条 4 位命令之间的延 40 - ns 时 P5 TDLY2 命令字节的最后一个 PGC 到读取数据字 20 - ns 时出现的第一个 PGC 的延时 P6 TSET2 到 MCLR 的建立时间 ns P7 THLD2 在 MCLR 后输入数据的保持时间 ns P8 TDLY3 命令字节的最后一个 PGC 到编程执行程 20 - µs 序将 PGD 驱动为 的延时 P9a TDLY4 编程执行程序命令处理时间 10 - µs P9b TDLY5 编程执行程序将 PGD 驱动为 到编程执行 15 - µs 程序释放 PGD 之间的延时 P10 TDLY6 编程后 PGC 处于低电平的时间 ns P11 TDLY7 批量擦除时间 ms P12 TDLY8 页擦除时间 20 - ms P13 TDLY9 行编程时间 ms P14 TR 进入 ICSP 模式的 MCLR 上升时间 µs P15 TVALID PGC 后的数据输出有效时间 10 - ns P16 TDLY8 最后一个 PGC 和 MCLR 之间的延时 0 - s P17 THLD3 MCLR 到 的时间 ns P18 TKEY1 从第一个 MCLR 到向 PGD 输入密钥序 40 - ns 列的第一个 PGC 之间的延时 P19 TKEY2 从向 PGD 输入密钥序列的上一个 PGC 到第二个 MCLR 之间的延时 40 - ns 注 : 在编程期间还必须将 加到 A 引脚 A 和 A 应该始终分别为 ± 0.3V 和 ± 0.3V DS70152C_CN 第 64 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

65 附录 A: 版本历史 版本 C (2006 年 6 月 ) 添加了代码保护配置寄存器描述 添加了有关部件 ID 的信息 添加了 ERASES ERASEG 和 ERASEC 编程执行程序命令 添加了校验和计算公式 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 65 页

66 注 : DS70152C_CN 第 66 页初稿 2007 Microchip Technology Inc.

67 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ KEELOQ 徽标 microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Linear Active Thermistor Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Mindi MiWi MPASM MPLAB Certified 徽标 MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2007, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部 设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2002 认证 公司在 PIC MCU 与 dspic DSC KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS :2002 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 2007 Microchip Technology Inc. 初稿 DS70152C_CN 第 67 页