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愈鉴苏
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2 东芝 CMOS 单晶硅集成电路风扇电机用单相全波驱动器为风扇电机用单相全波驱动器输出晶体管内置 DMOS 设备通过采用具有低导通电阻和 PWM 驱动系统的 DMOS 输出驱动器可达到高效驱动的目的特点单相全波驱动器电机电源电压 :VM = 16V( 最大工作范围 ) 输出电流 : I 输出 = 1.5A( 最大 ) PWM 控制重量 :0.02 克 ( 典型值 ) 内置振荡电路 ( 外电路电阻 ) 软开关驱动锁定保护, 自动恢复快速启动内置霍尔偏置转速检测 (FG) 和锁定检测 (RDO) 输出电流限制功能内置过电流保护装置内置热关机电路

3 方块图 ( 应用电路 ) 5V 调节器霍尔器件前级驱动器 OUT1 OUT2 7 位 A/D 控制逻辑锁定保护

4 引脚分配

5 引脚说明引脚编号引脚名称描述 : 1 HM 霍尔信号输入引脚 - 2 OSCR 振荡电路电阻器的连接引脚 3 RDO 锁定检测的输出引脚 4 OUT1 电机输出引脚 1 5 GND 接地输出引脚 6 RS 检测输出电流电阻器的连接引脚 7 VM 电源引脚 8 OUT2 电机输出引脚 2 9 FG 旋转输出引脚 10 VSP 输出占空比设定引脚 11 VOFF 切换导电相中关闭条件的设定引脚 12 LA 超前角的设定引脚 13 VMI 最小输出占空比的设定引脚 14 VSOFT 软切换条件的设定引脚 15 V_REG 5 V 参考电压的输出引脚 16 HP 霍尔信号输入引脚

6 绝对最大额定值 (Ta = 25 C) 特性符号额定值单位电源电压 V M 18 V 输入电压 V IN -0.3~6 ( 注 1) V 输出电压 V OUT 18 ( 注 2) V 输出电流 OUT1 OUT2 I OUT 1.5 ( 注 3) A V_REG I OUT 10 ma FG 引脚反向电流 I FG 10 ma RDO 引脚反向电流 I RDO 10 ma 功耗 P D 2.5 ( 注 4) W 工作温度 T opr -40 to 105 C 贮存温度 T stg -55 to 150 C 注 : 半导体装置绝对最大额定值为一套在任何时候都不得超过的额定值严禁超过这些额定值否则会造成装置击穿损坏或退化, 并因爆炸或燃烧而使人受伤请在指定的工作范围内使用集成电路注 1:VMI VSP VSOFT VOFF 和 LA 引脚注 2:OUT1 OUT2 FG 和 RDO 引脚注 3: 不得超过功耗额定值注 4: 安装在环氧树脂玻璃板上 (74mm*74mm*1.6mm, 4 层,FR-4 板 ) 封装功耗 (1) 当安装于板 (74mm 74mm 1.6mm, 4 层,FR-4 板 ) 上时,Rth(j-a)= 50 /W (2) 当安装于板 (Ø40mm 1.6mm, 1 层,FR-4 板 ) 上时,Rth(j-a)= 160 /W

7 工作范围 (Ta = 25 C) 特性符号最小典型值最大单位电源电压 VM opr V 低电压工作时电源 VM opr V 内部振荡频率 ( 注 1) fosc MHz PWM 频率 fpwm khz 输入电压 ( 注 2) VIN 0 V_RE G V 注 1: 在低电压工作时, 工作频率大于 10MHz 的情况不属于保修范围注 2:VMI VSOFT VOFF 和 LA 引脚

8 电气特性 (Ta = 25 和 VM = 24 V, 另有规定的除外 ) 电源电流特性符号试验条件最小典型值最大单位普通模式的输入电压范围 I VM V M = 12 V,V_REG = 打开霍尔输入 = 100Hz, 输出打开 V CMRH ma V_REG -1.5 霍尔信号输入输入电压摆幅输入电流 V H IH V HP -V HM 100mV mv μa 滞后 + 电压 V HHYS + ( 设计目标值 )( 注 1) mv 滞后 - 电压 V HHYS ( 设计目标值 )( 注 1) mv V_REG 脚电压 V_REG V_REG 脚输出源电流 = 10mA V V_REG ADC 转换器的最大电压 V ADC ( 设计目标值 )( 注 1) V R OSC = 24 kω, 输出负载 :1 kω Duty(20) V SP = 1.2V,V MI = 0V 或 % V MI = 1.2V,V SP = 0V R OSC = 24 kω, 输出负载 :1 kω 占空比输出 ( 注 1) Duty(50) V SP = 2.2V,V MI = 0V 或 % V MI = 2.2V,V SP = 0V R OSC = 24 kω, 输出负载 :1 kω Duty(80) V SP = 3.2V,V MI = 0V 或 % V MI = 3.2V,V SP = 0V VSP 阈值 V AD (L) 停止输出的阈值电压 V AD (H) 全部输出的阈值电压 V VSP 响应时间 T VSP ( 设计目标值 )( 注 1) ms 内部振荡频率 F OSC R OSC = 24kΩ 由内部分频率测得 MHz PWM 频率 f PWM R OSC = 24kΩ khz 引脚输入电流 I IN VSP VMI VSOFT VOFF 和 LA 引脚输入电压 0~ V_REG μa 输出导通电阻 Ron(H+L) I OUT = 0.2A Ω T SOFT (0) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz VOFF = 0V,VSOFT = 0V 软切换时间 ( 注 1) T SOFT (45) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz, VOFF = 0V,VSOFT = V REG * T SOFT (90) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz VOFF = 0V,VSOFT = V REG T OFF (0) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz VOFF = 0V,VSOFT = 关闭条件 ( 注 1) T OFF (45) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz VOFF = 0V,VSOFT = V REG * T OFF (90) R OSC = 24 kω, 霍尔输出 =100Hz VOFF = 0V,VSOFT = V REG T LA (0) R OSC = 24kΩ, 霍尔输出 =100Hz - - LA=0V 0 超前角纠正 ( 注 1) T LA (11.25) R OSC = 24kΩ, 霍尔输入 =100Hz LA = V REG * T LA (22.5) R OSC = 24 kω, 霍尔输入 =100Hz LA = V REG V

9 FG RDO 引脚特性符号试验条件最小典型值最大单位 : 输出低电压 V OUT (L) I FG /R DO = 5mA V 输出漏电流 I OUT (H) V FG /R DO = 5V μa RS 引脚电流限制检测电压 V RS V 电流限制检测的屏蔽时间 T mask ( 设计目标值 )( 注 1) μs 过电流保护的工作电流 I LIM ( 设计目标值 )( 注 1) A 过流保护屏蔽时间 T ISDMASK ( 设计目标值 )( 注 1) μs 过流保护关闭时间 T ISDOFF ( 设计目标值 )( 注 1) ms 热关机电路工作温度 T SD: 接点温度 ( 设计目标值 )( 注 1) 热关机电路滞后 ΔT SD ( 设计目标值 )( 注 1) 锁定保护打开时间 T ON R 振荡 = 24 kω( 设计目标值 )( 注 1) s 锁定保护关闭时间 T OFF R 振荡 = 24 kω( 设计目标值 )( 注 1) ^S 低电压检测电压 V UVLO 工作电压 ( 设计目标值 )( 注 1) V V PORRL 恢复电压 ( 设计目标值 )( 注 1) V 输出切换特性 t r ( 设计目标值 )( 注 1) t f ( 设计目标值 )( 注 1) ns 注 1: 未进行装运前检测

10 参考数据电源电流 IVM [ma] 工作电压范围霍尔输入滞后电压 VHHYS [mv] 工作电压范围电源电压 VM[V] 电源电压 VM[V] 图 1 电源电流图 2 霍尔输入滞后电压 VREG 输出电压 VREG[V] 输出电流 I VREG [ma] 图 3 调整电压 - 引脚电压 (VM = 12V) 输出导通电阻,RON(H+L) [Ω] 输出导通电阻,RON(H+L) [Ω] VREG- 输出电压 VREG[V] 输出电流 I VREG [ma] 图 4 调整引脚电压 (Ta = 25 ) 输出电流 I OUT (A) 图 5 输出导通电阻 (VM=12V) 输出电流 I OUT (A) 图 6 输出导通电阻 (Ta = 25 )

11 FG 低电压 VOUT(L)[V] FG 低电压 VOUT(L)[V] 输出电流 I FG/RDO [ma] 图 7 FG/RDO 引脚输出低电压 (VM = 12V) 输出电流 I FG/RDO [ma] 图 8 FG/RDO 引脚输出低电压 (Ta = 25 ) 内部振荡频率 fosc [MHz] 工作电压范围电流限制检测电压 VRS [V] 工作电压范围电源电压 VM[V] 电源电压 VM[V] 图 9 内部振荡频率图 10 RS 引脚电流限制检测电压

12 输入 / 输出等效电路引脚名称输入 / 输出信号等效电路 HP HM 霍尔信号输入引脚同相输入电压范围 0V~ 到 V_REG-1.5V VSP VMI LA 控制电压输入引脚 VSOFT VOFF 控制电压输入引脚 V_REG 电压输出引脚 V_REG = 5V( 典型值 ) FG RDO 数字输出引脚开漏输出应向外拉出至高输出功率

13 引脚名称输入 / 输出信号等效电路 VM OUT1 OUT2 RS 电机输出引脚 OSCR 振荡电路电阻器的连接引脚

14 功能说明出于解释目的, 会简化等效电路图或忽略其中的一部分出于解释目的, 会简化时间图 1. 基本操作启动时, 电机由方波驱动器通过使用霍尔输入符号确定导电相的方式进行驱动当霍尔信号频率达到 5Hz( 典型值 ) 或更高时, 电机由导电模式驱动导电模式是通过对来自于霍尔输入信号的下一个导电时序进行评估产生的 < 输入 / 输出功能表 > HP HM OUT1 OUT2 FG RDO 模式 H L L PWM 关 L L H PWM L L L 旋转 ( 注 1) H L L 关关 L H 关 L L 电流限制驱动 ( 注 2) 关关关锁定保护 ( 注 3) 关关热关机注 1: 导电相位由霍尔输入信号切换 FG 信号根据相位切换输出根据超前角设置, 可以先进行导电定时注 2: 上功率晶体管在电流限制期间关闭但是可以在每隔一个 PWM 频率时自动恢复注 3:FG 输出在锁定保护模式时 ( 与旋转模式相同 ) 根据转子位置发生变化时序图 ( 正常旋转 ) 不带软切换和超前角带软切换和超前角

15 时序图 ( 锁定保护 ) 关闭关闭 2. VSP / VMI 输入引脚当 VSP 引脚的电压超过 V AD (L) 时, 输出开始电压为 V AD (L) 或更小时, 停止 VSP 引脚的最小电压由 VMI 引脚的电压钳住如果 VMI 引脚未使用最小占空设置, 则应把 VMI 引脚和 GND 引脚连结起来输入 VSP 引脚和 VMI 引脚的模拟电压由 7 位的 AD 变换器进行转换, 并且对输出 PWM 占空比进行控制 0 VSP, VMI VAD (L) 占空比 = 0% VAD (L) < VSP, VMI VAD (H) 下图 (17/127 ~116/127) VAD (H) < VSP, VMI V_REG 占空比 = 100% (117/127 ~127/127) (PWM 占空比表示输出峰值, 因为此电路具备软切换功能 ) 3. 霍尔输入信号下面显示的霍尔信号的特性要输入霍尔输入引脚

16 霍尔输入的电压范围 4. OSC 频率和 PWM 频率振荡频率可以近似地用下列公式表示 f OSC =1 /(2C[F] R OSC [Ω])[Hz]= 1 /(2 2.08e-12[F] R OSC [Ω])[Hz] 当外部电阻器 R OSC 为 24kΩ 时, 振荡频率 f OSC 是 10MHz( 典型值 ) PWM 频率 f PWM = f OSC / PWM 输出驱动在 PWM 驱动时, 上功率晶体管重复开启和关闭 VH40mV 或更大 VHHYS+=10mV, VHHYS-=-10mV * 虽然霍尔放大器在 V H 是 40mV 或更大时工作, 但请尽可能地把振荡加宽, 以稳定时间宽度 ( 建议 200mV 或更大 ) PWM 开启 PWM 开启关闭 PWM 开启在开关相位时, 功率晶体管以以下指令工作 PWM 开启 PWM 关闭短路刹车 200ns( 设计目标值 ) PWM 关闭 PWM 开启 6. 启动步骤当 VSP 引脚的电压达到 VAD(L) 或更高时, 输出开始为了保证起动转矩, 当电机转速低于 5Hz( 典型值 ) 时,PWM 输出 50% 占空比当在启动序列期间对输出相进行切换时, 应插入 1ms( 典型值 )PWM 关闭条件, 减少电源再生电流

17 50% 占空比输出占空比由 VSP 电压输出 OUT1 OUT2 7. 停止当 VSP 引脚电压为 V AD (L) 或更小时, 输出停止在所有输出功率晶体管关闭之前, 直到对 FG 信号边缘检测两次或检测频率为 5Hz 或更小时这段时间可定义为 PWM 关闭条件

18 OUT1 关闭关闭 OUT2 关闭 OUT1 检测为 5Hz 或更小关闭关闭 OUT2 关闭

19 8. 软切换在导电相位切换时, 通过逐渐改变输出 PWM 占空比执行软切换软切换的时间由 VSOFT 引脚以及 VOFF 引脚的电压决定 VSOFT 电压 > VOFF 电压 : 软切换 (T 软 ) 的总条件由之前的霍尔信号 (180 度 ) 的时间和 VSOFT 引脚电压决定在软切换期间, 提供关闭条件关闭条件 (T 软 ) 的时间由之前的霍尔信号 (180 度 ) 和 VOFF 引脚电压决定在关闭条件期间, 功率晶体管处于 PWM 关闭模式状态软切换除了在关闭条件之外的期间工作外, 而且输出 PWM 占空比以最大 16 步发生变化 VSOFT 的电压 < VOFF 的电压 : 不具备可以改变占空的软切换操作条件, 但是具备关闭条件关闭条件 (T 关 ) 由之前的霍尔信号 (180 度 ) 的时间和 VOFF 引脚电压决定在关闭条件期间, 功率晶体管是处于 PWM 关闭模式状态尽管通过 T1 时间而下一个边缘未发生时, 继续上次输出状态导电模式在与霍尔信号上升边缘和下降边缘中同步复位因此, 波形表示每次在霍尔信号发生偏移且处于加速 / 减速模式时的不连续性复位

20 < VSOFT 引脚电压和软切换条件之间的关系 > VSOFT = 0V 0 VSOFT = V ADC 87.2 ( 如果输入的是 V ADC 电压或更大的电压, 应设置为 87.2 ) 步骤 VSOFT (V) 条件 ( ) 步骤 VSOFT (V) 条件 ( ) 步骤 VSOFT (V) 条件 ( ) 条件 ( ) VSOFT(V)

21 < VSOFT 引脚电压和关闭条件之间的关系 > VOFF = 0V 0 VOFF = V ADC 87.2 ( 如果输入的是 V ADC 电压或更大的电压, 应设置为 87.2 ) 步数 VOFF (V) 条件 ( ) 步数 VOFF (V) 条件 ( ) 步数 VOFF (V) 条件 ( ) 条件 ( ) VOFF(V)

22 <PWM 在软切换期间发生变化 > 导电相位开关后的软切换 : 逐渐从由 VSP 引脚电压决定的 4% 输出 PWM 占空比向 100% 输出 PWM 占空比变化其步的数量最多达 16 导电相位开关前的软切换 : 逐渐从由 VSP 引脚电压决定的 100% 输出 PWM 占空比向 4% 输出 PWM 占空比变化其步的数量最多达 16 如果软切换操作条件是 22.5 或更低, 在软切换条件时, 步的数量少于 16 软切换步数和输出 PWM 占空比之间的关系如下所示 : 步数输出比 (%) 步骤输出比 (%) 步数输出比 (%) 输出比 (%) 步数

24 9. 超前角针对超前角, 可以以 0~22.5 的范围设置导电信号的超前角超前角是由 LA 引脚的模拟输入设置的 (0~V ADC 的范围分为 32 步, 只使用了下面的 17 步 ) LA = 0V 超前角 0 LA = VADC 超前角 22.5 ( 如果输入电压是 VADC 或更大时 ) 步骤 LA (V) 超前角 ( ) 步骤 LA (V) 超前角 ( ) 步骤 LA (V) 超前角 ( ) 超前角 ( ) LA (V)

25 10. 锁定保护锁定保护通过霍尔信号对电极旋转进行监控, 并且在一定时间 (T ON ) 或更长时间无法对霍尔信号过零检测时运行当锁定保护工作时, 上输出晶体管关闭 1ms( 典型值 ), 然后所有输出功率晶体管关闭锁定保护工作后, 电机驱动恢复一定时间 (T OFF ) T 开 = 0.4 s( 典型值 ) T 关 = 4 s( 典型值 ) OUT 1 OUT 2 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 即使锁定保护正在工作时,FG 也是由霍尔信号输出的重启时, 两次检测到霍尔信号的过零, 则清除锁定保护同时 RDO 信号输出再次降低 11. 快速启动在锁定保护关闭条件期间, 当 VSP 引脚电压设置为 V AD(L) 或更小时, 将清除锁定保护当 VS 引脚再次使用的电压为 V AD(L) 时, 电机在不等待关闭条件结束时快速重启运作 OUT 1 OUT 2 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 因为 VSP 电压是通过 A/D 电路进行检测的, 所以为了清除锁定保护, 对于 VSP 响应时间 (T VSP ) 或更长的时间, 应把 VSP 引脚的电压保持为 V AD(L) 或更小值当通过 V AD(L) 或更大电压值为 VMI 引脚配置的占空比为最少时, 快速启动将失效

26 12. 电流限制当输出电压达到电流限制检测电压 (VRS = 0.3 V( 典型值 )) 时, 此功能起作用并由电阻器 RF 进行检测过电流检测电压 (V RS ) 过电流保护运作的电流值 (I OUT )= 检测电阻 (RF) 当 RF=0.51Ω 时, IOUT=0.3V( 典型值 )/0.51Ω=588mA OUT1 OUT2 在电流限制运作期间, 可通过关闭上输出功率晶体管的方式把操作模式操作方式转换为 PWM 关闭状态操作在下一个 PWM 开启定时时恢复配置屏蔽时间, 避免由于噪声而发生故障的情况 RS 引脚电压 0.3V( 典型值 ) 电流限制的检测条件内部 PWM OUT1 OUT2 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 关闭 ( hi-z) 关闭 (hi-z) ( 如果 HP= 25 L,HM= H 时 )

27 13. 过流保护 (ISD) 包括对输出功率晶体管电流的检测应对流经四个功率晶体管的每个电流进行单独检测当电流超过检测值时, 相关输出功率晶体管关闭然后, 在相关输出功率晶体管关闭后, 所有输出功率晶体管停止 1ms( 典型值 ) 此电路中装有定时器在检测到过流后, 电机运行恢复 100ms( 典型值 ) 的关闭时间当过流状态持续时, 过流保护重复运作如果过流保护重复运作 8 次, 电机不会自动恢复运行输出功率晶体管保持关闭为了清除这种状态, 应再次使用 VSP 或电源用于过流保护的电流限制的设计目标值是 2.5A 为避免嘈杂脉冲电流造成故障, 应配置 2μs( 典型值 ) 的屏蔽时间 14. 热关机电路 (TSD) 当 Tj 增加到 170 ( 典型值 ) 或更大时, 热关机电路 (TSD) 运作在 1ms( 典型值 ) 的 PWM 关闭条件后 ( 期间, 上输出功率晶体管关闭 ), 所有输出功率晶体管关闭当温度下降到 130 ( 典型值 ) 或更低时, 操作恢复接点温度 (Tj) 170 ( 典型值 ) 130 ( 典型值 ) 内部 TSD 信号 OUT1/OUT2 正常工作 PWM 关闭关闭 (hi-z) 正常工作 15. 欠压锁定保护 (UVLO) 集成电路具备欠压锁定保护装置 (UVLO) 对 VM 电源电压和 V_REG 电压进行监控当其中一个下降到 2.9 V( 典型值 ) 或更低值时, 即可以认为低电压或电路是闭合的当两项的电压恢复到 3.2V( 典型值 ) 或更高值时, 恢复正常运行

28 VM 电压 VREG 电压 3.2V( 典型值 ) 2.9V( 典型值 ) 内部 UVLO UVLO 保护 OUT1 OUT2 FG,RDO 正常工作关闭 (hi-z) 正常工作

29 封装尺寸 P-WQFN 单位 :mm 0.05max 0.75max

30 内容注意事项 1. 方块图出于解释目的, 会忽略或简化部分功能框电路或常数 2. 等效电路出于解释目的, 会简化等效电路图或忽略其中的一部分 3. 时间图出于解释目的, 会简化时间图 4. 应用电路本文件所示应用电路仅供参考在大规范生产设计阶段, 必须进行全面评估东芝不因提供这些应用电路示例而授予任何工业产权许可 5. 测试电路测试电路中的部件仅用于获取及确认装置特性不保证这些部件和电路能防止在应用设备中发生故障或失效集成电路使用注意事项集成电路搬运注意事项 [1] 半导体装置绝对最大额定值是一套在任何时候都不得超过的额定值严禁超过这些额定值否则会造成装置击穿损坏或退化, 并因爆炸或燃烧而使人受伤 [2] 应使用适当的电源保险丝, 保证在过电流及集成电路故障的情况下不会有大电流持续流过当在超过绝对最大额定值的条件下使用, 接线路径不对, 或者在接线或负载处产生异常脉冲噪声而造成大电流持续通过时, 集成电路会被完全击穿, 并导致烟雾或起火为了尽量减小击穿时大电流流过的影响, 必须进行适当的设置, 例如保险丝容量熔断时间及插入电路的位置 [3] 若设计包含电机线圈等有感负荷时, 则应在设计中设计保护电路, 防止接通电源时涌流产生的电流或者断电时反电动势产生的负电流造成装置故障或击穿进而造成伤害烟雾或起火应使用带集成电路的具有内置保护功能的稳定电源若电源不稳定, 保护功能可能不工作而造成集成电路击穿, 进而造成伤害烟雾或起火 [4] 严禁把装置插错方向或插入错误保证电源的正负极端子接线正确否则电流消耗或功耗会超过绝对最大额定值而造成装置击穿损坏或变坏, 并因爆炸或燃烧而使人受伤此外, 严禁使用插错方向或插入错误的任何装置, 哪怕对其施加电流只有一次

31 集成电路搬运要点 (1) 过流保护电路过流保护电路 ( 简称限流电路 ) 不一定能在所有情况下对集成电路进行保护若过流保护电路在过流下工作, 应立即消除过流状态视使用方法及使用条件而定, 超过绝对最大额定值会造成过流保护电路不能正常工作或者造成集成电路在工作前击穿此外, 视使用方法及使用条件而定, 若在工作后过电流继续长时间流过, 集成电路会发热而造成击穿 (2) 热关机电路过热关机电路不一定能在所有情况下对集成电路进行保护若过热关机电路在超温下工作, 应立即消除发热状况视使用方法及使用条件而定, 超过绝对最大额定值会造成过热关机电路不能正常工作或者造成集成电路在工作前击穿 (3) 散热设计在使用大电流集成电路时 ( 例如, 功率放大器, 调节器或驱动器 ), 请设计适当的散热装置, 保证在任何时间和情况下不会超过规定的接点温度 (TJ) 这些集成电路甚至在正常使用时会发热对于集成电路散热不足的设计, 会造成集成电路特性变差或击穿此外, 在设计装置时, 请考虑集成电路散热对外围部件的影响 (4) 反动电势当马达突然反转停止或放慢时, 由于反电动势的影响, 电流会回流到马达电源若电源的电流吸收能力小, 装置的马达电源和输出引脚就会存在超过绝对最大额定值的风险为了避免出现这种问题, 在系统设计中应考虑反电动势的影响

32 RESTRICTIONS ON PRODUCT USE Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own applications, customers must also refer to and comply with (a) the latest versions of all relevant TOSHIBA information, including without limitation, this document, the specifications, the data sheets and application notes for Product and the precautions and conditions set forth in the "TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook" and (b) the instructions for the application with which the Product will be used with or for. Customers are solely responsible for all aspects of their own product design or applications, including but not limited to (a) determining the appropriateness of the use of this Product in such design or applications; (b) evaluating and determining the applicability of any information contained in this document, or in charts, diagrams, programs, algorithms, sample application circuits, or any other referenced documents; and (c) validating all operating parameters for such designs and applications. TOSHIBA ASSUMES NO LIABILITY FOR CUSTOMERS' PRODUCT DESIGN OR APPLICATIONS. PRODUCT IS NEITHER INTENDED NOR WARRANTED FOR USE IN EQUIPMENTS OR SYSTEMS THAT REQUIRE EXTRAORDINARILY HIGH LEVELS OF QUALITY AND/OR RELIABILITY, AND/OR A MALFUNCTION OR FAILURE OF WHICH MAY CAUSE LOSS OF HUMAN LIFE, BODILY INJURY, SERIOUS PROPERTY DAMAGE AND/OR SERIOUS PUBLIC IMPACT ("UNINTENDED USE"). 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Microsoft Word - Atmel-45136A-Pick-Best-Microcontroller-Strom-Eiland-Flodell_Article_CS 如何为您的下一款设计选出最好的 8 位或 32 位微控制器作者 : Atmel 产品营销高级总监 Oyvind Strom Atmel 产品营销总监 Andreas Eieland Atmel 研发工具部门高级产品营销经理 Henrik Flodell 不久之前, 嵌入式系统还是既昂贵