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- 纳低 顾
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1 (NAIST) 103e-Learning() CIC 0.35um Multi-option MEMS CIC T25HVG2 UMC 2014 / CIC Introduction to Conversational French - Syllabus Summer
2 (NAIST) (NAIST) NAISTSoC NAIST 2
3 / / 1 / (Data Logger)/ / / 3
4 xy xyz[2] 1 2 /(3-Axis ACC) 110V UPS (CES-302N) / 4
5 UPS 110V 48V - (DR-75-48)48 V 48V24V(RDS-200C-24) (Power module) Data Logger Data Logger MXE-1304 ADC Ethernet Injector Data Logger Relay Injector Ethernet Switch(EDS-308-T) 2-3 (Sensor Node)50 Host Controller(MEX-5302) USB Extender / Host Controller USB Hub(UPort 407-T) USB 2.0 USB Extender Host Controller 5
6 2Host ControllerEthernet Switch48 V24 V24 V 3 - (Data Logger) 4Data Logger(Industrial PC, M X E ) A D C ( A D C M o d u l e, A D C - 1 R 2 ) ( P o w e r M o d- ule)(relay)(integrated Signal Board) (Power In/Output Board) 12 bitsadc RS232 RS232Injector 48V 12V 5V 6
7 48V(45 48V78 GND) 24V 48V 24V 4 Data Logger 5 Data Logger / 0 ~ 10 V ADC 4 ~ 20 ma / ADC 7
8 5 / Data Logger 6 / 8P / 5.00 mm 6 Data Logger 8
9 [2] 7 (1-Axis accelerometer, SDI1221) [3]xyz ADC(ADS1258) [4] Data Logger Gateway (RM48HDK) [5] serial peripheral interface (SPI)ADC Switch Data Logger Data Logger 8Gateway modulepower module GatewayIPMAC Data Logger xyz Data Logger 7 9
10 8 9 Sensor Node Sensor Node Sensor Node Sensor NodeUSB ExtenderUSB HubHost controller 10STMicroelectronicsiNEMO [6](Accelerometer)(Gyroscope) Sensor Node 10
11 9 10 [6] Data Logger ADC : 11
12 : 11-1/ADC channel : V 5.76 V : 0~10V 0~100% RH 57.6% RH : V 5.84 V :0~10V-40~60 C18.4 C (a) (b) 11-1 (a) (b) V ma: 4 ~ 20 ma 0 ~ ()4-5 12
13 V 4.35 ma : 4 ~ 20 ma 0.3 ~ 8 m/s (m/s)6-7 13
14 RS232 Data Logger xyx 0.63y xyz ±4 V±2 gxy z(0.48 V, 0.35 V, 2.49 V) offset(0 g, 0.07 g, 1 g) 14
15 P28 [1] CIC [2] Chih-Hsing Lin, Ssu-Ying Chen, Chih-Chyau Yang, Chien-Ming Wu, Chih-Ting Kuo, Gang- Neng Sung, Yi-Jie Hsieh, Yu-Da Huang, Yung-Bin Lin, and Chun-Ming Huang, Structural Health Monitoring of Bridges Using Cost-Effective 1-axis Accelerometers, IEEE Sensors Applications Symposium (SAS), 2014, accepted. [3] Silicon Designs data sheet, SDI1221, Low Noise Analog Accelerometer [4] Texas Instruments data sheet, ADS1258, 16-channel, 24-Bit Analog-to-Digital Converter [5] Texas Instruments user s guide, RM48 Hercules Development Kit [6] STMicroelectronics data sheet, inemo system-on-board 15
16 103 IC IC IC CIC ,0003,000 10,00050%70%
17 (1) (2) FAX
18 103e-Learning 立 練 參 103 了 見 CIChttp:// : 流 劉 /5~5/25 8/4~8/24 10/6~10/26 6/2~6/15 9/1~9/14 11/03~11/16 103E001-A HSPICE 18
19 103E002-A Full-Custom IC Design Concept 103E003-A RF CMOS IC Design 103E004-A Verdi fundamental and Siloti full-chip-simulation training 103E005-A LakerADP+LakerL3 SDL flow training 103E006-A Advanced Design System - Fundamentals 103E007-A CMOS BioMEMS Sensing Technology 103E008-A Sensor Readout Circuit Technology 103E009-A RF 103E010-A Advanced Design System - Momentum 103E011-A Digital IC Testing Step-by-Step with Verigy E012-A Step Into Electronic System Level Design 103E013-A FPGA Design Fundamentals for Altera 103E014-A Logic Synthesis (Synopsys) 103E015-A Cell-Based IC Physical Design and Verification with IC Compiler 103E016-A Brief Introduction of Cell-based Design 103E017-A T18 103E018-A TSMC 0.35UM 19
20 CIC 0.35um Multi-option MEMS CICD35-103BMEMS35 BioMEMS350.35um Multi-option MEMSMulti-option MEMS 1. MEMS35BioMEMS35 2. MEMS35MEMS (#190)BioMEMS35 MEMS Layer number Mask name MEMS Process description 19 PAD PASS opening in CMOS step 71 RLS MEMS 191 Gold (Gold) 190* RLSSi MEMS 3. MEMS35 BioMEMS35 (MEMS) CMOS MEMS Multi-option-MEMS Process 1 mask (RLS) MEMS : BioMEMS : M E M S : >2um 3 masks ( RLS /Gold / RLSSi) CMOSD35 (TSMC 0.35 um process) EDA Cloud Multi-option MEMS -103B 2014/05/ /05/ :30Multi-option MEMS 20
21 CIC T25HVG2 T25HVG2 Power CellBandgap IP EDA Cloud T25HVG2 21
22 UMC ( UMC) 0.18 um Mixed-Mode and RFCMOS 1.8V/3.3V 1P6M Metal Metal Capacitor Process U18U18 1. MiM CapacitorPoly ResistorMulti-Vt deviceumc MEMS CMOS-MEMS 2. U18 3. U18//30% 1.2*1.2mm^2 4. U18 EDA Cloud () (UMC NDA) UMC NDA UMC NDA() () process@cic.narl.org.tw pjlin@cic.narl.org.tw 22
23 奬 IC () D35-102B-S0010 A Remotely Controlled Locomotive IC Driven by Electrolytic Bubbles and Wireless Powering T18-101Ce-66 T18-102A-E D Heterogeneously Integrated Bio- Sensing Microsystem for Multi- Channel Neural-Sensing Applications A 2.3-GHz Fractional-N Divider-less Phase-Locked Loop with -112dBc/Hz In-Band Phase Noise TN90MSG-102A- P0014 A 0.5V 1.27mW Nose-on-a-Chip for Rapid Diagnosis of Ventilatorassociated Pneumonia 奬 IC D14 TN90MSG-101C-13a D08 T18-102A-P0010a ; H264 23
24 A05 D35-101D-802s A03 D35-101C-807s - A14 D35-102A-807s ; R40 TN90RF-101C-34 R30 T18-102A-A0202 Class-CQVCO R01 GIPD-101D-20 M05 D35-101C-52b M18 T18-101Ee-37e 奬 IC D10 TN40G-101B-06a ; ANSI S1.11 D12 TN90MSG-101C-03a 1GHz D15 TN90MSG-101C-35a D19 TN90MSG-102A- A0023 祿 ; 路 BCH 24
25 A09 D35-102A-802s A29 T18-101E-103 A50 T18-102B-P µW A52 T25HV-101D-03 A60 TN90MSG-102A- A0015 A23 T18-101D-383a A45 T18-102A-I0002 ; ; ; Noise-Shaped A48 T18-102A-I Gb/s A65 TN90RF-102A-P0037 R09 T18-101C-64 XbandCMOS R43 TN90RF-101C-76 W Band R35 TN40G-101B-05 DC- 80GHz R19 T18-101E-105 KCMOS R47 TN90RF-102A-P0010 CMOS R36 TN40G-101B-13 60GHz R02 P15-101B-14 ; M16 T18-101E-808sm 850- nm M14 D35-101D-11bm 25
26 T18-103A () T18-103A-A V30GHz 0.643*0.723 T18-103A-A0002 O IEEE802.11AC 0.539*0.724 T18-103A-A0004 IF5/60 GHz 2.104*1.222 T18-103A-A *1.470 T18-103A-A Gb/s 0.539*0.734 T18-103A-A0010 Ku *0.518 T18-103A-A ~6 GHz 1.467*1.126 T18-103A-A *0.471 T18-103A-A0016 MOS *0.943 T18-103A-A0017 Balun 1.128*1.082 T18-103A-A *0.892 T18-103A-A *0.250 T18-103A-A0020 LTE 1.422*1.359 T18-103A-A GHz,94GHz 1.507*0.854 T18-103A-A GHz 0.756*1.153 T18-103A-A GHz 1.021*1.339 T18-103A-A *0.518 T18-103A-A0027 ( 4) 0.839*0.565 T18-103A-A GHz CMOS 1.538*2.916 T18-103A-A GHz CMOS 1.795*5.852 T18-103A-A0030m CMOSV-Band 1.064*
27 T18-103A-A *0.911 T18-103A-A0032m 1.190*1.570 T18-103A-A0037 MOS *0.536 T18-103A-A *0.946 T18-103A-A0042 CMOS-MEMS 1.479*1.162 T18-103A-A0043 CMOS LC VCO 0.626*0.759 T18-103A-A0044 5GHz 0.709*0.831 T18-103A-A0046 Class C 0.871*1.399 T18-103A-A dBm 5.2GHz 2.370*1.210 T18-103A-A *0.933 T18-103A-A *1.105 T18-103A-A0050 LTE 1.185*0.975 T18-103A-A0051 T18-103A-A bit 300KS/s 60GHz 0.939* *1.177 T18-103A-A0054 LC 0.707*1.052 T18-103A-A GHzLC 0.756*0.825 T18-103A-A GHz / 60 GHz 2.123*2.020 T18-103A-A GHz 1.511*1.000 T18-103A-A *0.861 T18-103A-A *1.536 T18-103A-A *1.048 T18-103A-A *0.446 T18-103A-A0065 CMOS 0.18um60/5 GHz 2.129*1.780 T18-103A-A *0.785 T18-103A-A *2.353 T18-103A-A *
28 T18-103A-A0074 CMOS 1.999*1.990 T18-103A-A0076 CMOS-MEMS 0.654*0.777 T18-103A-A *1.143 T18-103A-A *1.127 T18-103A-A *1.058 T18-103A-A0086 KGuanella 0.670*0.490 T18-103A-A0089a,,,, 2.828*2.753 T18-103A-A *0.279 T18-103A-A0099a *0.853 T18-103A-A *0.555 T18-103A-A *0.818 T18-103A-A GHz um CMOS 0.415*0.490 T18-103A-A0105 SCR 1.180*1.422 T18-103A-A0108 T18-103A-A0109m T18-103A-A0110m T18-103A- A0111a+m 2.4-GHz C M O S - MEMS 1.000* * * *1.858 T18-103A-A *0.753 T18-103A-A *0.823 T18-103A-A *1.340 T18-103A-A0115m 2.198*1.848 T18-103A-A0116 C 0.936*1.030 T18-103A-A0117a,,,, 2.985*2.795 T18-103A-A *1.581 T18-103A-A *
29 T18-103A-A *3.888 T18-103A-A GHz~25GHz 1.184*1.105 T18-103A-A *0.868 T18-103A-A *0.822 T18-103A-A0126m C M O S - MEMS 2.358*1.871 T18-103A-A *0.755 T18-103A-A0128 ( 2) 0.733*0.580 T18-103A-A0129 () 0.895*0.800 T18-103A-A0130 PCSNIM10GHz 0.645*0.615 T18-103A-A0132 CMOS 0.18um 1.204*0.805 T18-103A-A *0.830 T18-103A-A *3.000 T18-103A-A V10GHz 0.486*0.778 T18-103A-A0136 CMOS 0.18um60GHz 1.537*0.879 T18-103A-A *1.007 T18-103A-A GHz 1.094*1.267 T18-103A-A *0.927 T18-103A-A *1.493 T18-103A-A *1.000 T18-103A-A GHz~15GHz 1.363*0.791 T18-103A-A GHz UWB 1.061*0.572 T18-103A-A0148 CMOS-MEMS 0.693*0.829 T18-103A-A0149 KVRuthoff 0.846*0.592 T18-103A-A0150 Ku band *1.156 T18-103A-A V5.2GHz 0.478*1.016 T18-103A-A0152 Ku-Band 1.173*
30 T18-103A-A0153 PCSNIM 1.243*1.790 T18-103A-A0154 Dog-BoneCMOS-MEMS 1.422*0.979 T18-103A-A0156 O CMOS 1.400*1.400 T18-103A-A GHz 1.355*0.544 T18-103A-A0158 O 峯 24GHz 0.945*0.750 T18-103A-A0159 8G~30GHz 0.987*0.915 T18-103A-A0160a 1.288*1.098 T18-103A-N0001a 0.657*0.647 T18-103A-N0002a 1.447*1.447 T18-103A-N0003a T18-103A-N0004, * *1.278 T18-103A-N0005, 1.440*1.440 T18-103A-N0006, 0.930*0.770 T18-103A-P GHz 0.974*0.826 T18-103A-P0002 IEEE *0.678 T18-103A-P *0.737 T18-103A-P GHz 0.953*1.193 T18-103A-P0005 K-band 0.872*0.942 T18-103A-P *2.184 T18-103A-P *1.671 T18-103A-P /5.8GHz 0.966*0.884 T18-103A-P V2.4 GHz ISMPLL 1.104*2.365 T18-103A-P0017 EEG,ECG,EMG 0.919*0.904 T18-103A-P *2.444 T18-103A-P /5.8-GHzLC 0.762*1.154 T18-103A-P0022 1ps 0.987*
31 T18-103A-P *1.863 T18-103A-P0026a PPG 1.915*1.907 T18-103A-P GHz 2.4GHz FSK 1.276*0.692 T18-103A-P0028 T18-103A-P0029 T18-103A-P * * *2.128 T18-103A-P GHz C 0.670*0.790 T18-103A-P GHz CMOS (3/3) 2.759*2.344 T18-103A-P0034 V 0.965*0.720 T18-103A-P *1.131 T18-103A-P *1.020 T18-103A-P0037 ISM OOK 0.600*1.250 T18-103A-P GHz CMOS T/R 0.516*0.400 T18-103A-P /5.8GHz 0.609*0.909 T18-103A-P *0.822 T18-103A-P *0.745 T18-103A-P *0.735 T18-103A-I *0.730 T18-103A-I *0.993 T18-103A-I *0.350 T18-103A-I0007 O - QPSK 0.745*0.510 T18-103A-I0008a 1.489*1.481 T18-103A-I0009a 1.489*1.481 T18-103A-I0010a 1.489*1.481 T18-103A-I *
32 T18-103A-I *1.493 T18-103A-I *1.500 T18-103A-I V 1.500*1.500 T18-103A-I0018 T18-103A-I0019 T18-103A-I0020 T18-103A-I0022a Gb/s WiMAX 3.5 GHz K 1.280* * * *1.571 T18-103A-I0023 CMOS-MEMS 2.000*2.300 T18-103A-I *1.079 T18-103A-I *1.464 T18-103A-I *1.500 T18-103A-I *1.500 T18-103A-I GHz 0.660*0.835 T18-103A-I0029a 1.495*1.481 T18-103A-I GHz 1.300*0.630 T18-103A-I0031 V H F C M O S - MEMS 1.472*1.472 T18-103A-E GHz 1.145*1.165 T18-103A-E *0.831 T18-103A-E0004, PMOS 0.831*0.833 T18-103A-E0005 LFSR 0.983*0.983 T18-103A-E *0.680 T18-103A-E *0.580 T18-103A-E0009 LFSR 0.968*0.968 T18-103A-E GHz 1.112*0.788 T18-103A-E0011 LFSR 0.983*0.983 T18-103A-E *
33 T18-103A-E0013 5GHzCMOS E 0.940*0.730 T18-103A-E GHz 0.800*0.940 T18-103A-E *0.671 T18-103A-E GHz 0.810*0.646 T18-103A-E GHz 0.880*0.645 T18-103A-E *0.505 T18-103A-E GHz CMOS 1.151*0.865 T18-103A-E GHz 0.971*0.863 T18-103A-E GHz 1.197*0.858 T18-103A-E GHz 0.623*0.783 T18-103A-E0028 CMOS 1.038*0.853 T18-103A-E GHz 0.665*0.665 T18-103A-E *0.750 T18-103A-E *0.536 T18-103A-E *0.733 T18-103A-E *0.282 T18-103A-E *0.788 T18-103A-E GHz *0.986 T18-103A-E0036 X 0.910*0.625 T18-103A-E GHz 22dBm 0.465*0.625 T18-103A-E0038 K-band 0.400*0.650 T18-103A-E *0.710 T18-103A-E *0.825 T18-103A-E GHzcmos 0.18-um 1.086*1.130 T18-103A-E0043, 0.680*0.680 T18-103A-E *
34 T18-103A-E *0.500 T18-103A-E *0.509 T18-103A-E *0.498 T18-103A-E0048 O, 0.449*0.809 T18-103A-E0049,O 0.449*0.809 T18-103A-E *0.868 T18-103A-E0051 LTE 1.034*0.651 T18-103A-E *0.344 T18-103A-E *0.450 T18-103A-E *0.450 T18-103A-E0056 X-band 1.025*1.130 T18-103A-E0057 F 0.860*0.925 T18-103A-E *0.671 T18-103A-E0059 2/ *1.139 T18-103A-E *0.979 T18-103A-E *0.739 T18-103A-E *1.119 T18-103A-E *0.905 T18-103A-E *0.905 T18-103A-E *1.200 T18-103A-E *0.626 T18-103A-E *1.193 T18-103A-E *1.059 T18-103A-E0075a O 0.637*0.623 T18-103A-E0076 K-band 0.426*0.507 T18-103A-E0078a VLSI 1.200*
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第 1 部 分 目 錄 第 1 部 分 計 畫 執 行 成 果 摘 要 Ⅰ 頁 次
經 濟 部 經 濟 部 工 業 局 102 年 度 專 案 計 畫 期 末 執 行 成 果 報 告 計 畫 名 稱 : 推 動 半 導 體 製 程 設 備 暨 零 組 件 躍 升 計 畫 契 約 編 號 :10231101004 執 行 期 間 : 全 程 : 自 99 年 01 月 25 日 至 102 年 12 月 20 日 止 本 年 度 : 自 102 年 01 月 01 日 至 102 年
数 字 隔 离 器 光 耦 隔 离 器 或 者 电 磁 隔 离 器 用 来 将 系 统 现 场 的 ADC DAC 和 信 号 调 理 电 路 与 数 字 端 的 控 制 器 隔 离 开 来 如 果 模 拟 端 的 系 统 也 必 须 实 现 充 分 隔 离 的 话, 在 输 入 或 者 输 出 的
图 1 PLC 系 统 架 构, 示 出 了 各 种 不 同 的 I/O 模 块 功 能 PLC 系 统 包 含 输 入 模 块 输 出 模 块 和 输 入 / 输 出 模 块 因 为 许 多 输 入 和 输 出 都 涉 及 现 实 世 界 中 的 模 拟 变 量 而 控 制 器 是 数 字 式 的 PLC 系 统 硬 件 设 计 任 务 将 主 要 围 绕 如 下 方 面 展 开 : 数 模 转
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SAWANG 大 華 科 技 大 學 秘 書 室 會 議 議 程 SC0-4-533-01-03, A00 名 稱 :103 學 年 度 第 4 次 專 責 小 組 會 議 時 間 :104 年 3 月 24 日 ( 星 期 二 ) 中 午 12 時 10 分 地 點 : 大 華 樓 5 樓 會 議 室 主 席 : 代 理 校 長 李 右 婷 紀 錄 : 秘 書 室 林 佩 姍 壹 主 席 報 告
1. 二 進 制 數 值 ( 1 10 10 01 ) 2 轉 換 為 十 六 進 制 時, 其 值 為 何? (A) ( 69 ) 16 (B) ( 39 ) 16 (C) ( 7 A ) 16 (D) ( 8 A ) 16 2. 在 電 腦 術 語 中 常 用 的 UPS, 其 主 要 功 能
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1 2 3 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques the Transition and Volunteering in MTT Society G/5G
NO.13 Apr. 2014 Taiwan Electromagnetic Industry-Academia Consortium Newsletter 1 2 3 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques the Transition and Volunteering in MTT Society 4 7 10 2014 2014
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TH2512/TH2512A Tonghui Electronics reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design and supply the best possib
TH2512/TH2512A 2 3 SPECFICATIONS 5 6 6 8 Handler 9 10 11 12 14 17 17-1 - TH2512/TH2512A Tonghui Electronics reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design and
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Reliability Laboratory Page: 1 of 6 Date: March 5, 2008 KORENIX TECHNOLOGY., CO. FL 9, NO. 100-1, MIN-CHUAN RD. SHING TIEN CITY, TAIPEI, TAIWAN The following merchandise was submitted and identified by
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SPHE8202R Design Guide Important Notice SUNPLUS TECHNOLOGY CO. reserves the right to change this documentation without prior notice. Information provi
SPHE8202R Design Guide V2.0 JUN, 2007 19, Innovation First Road Science Park Hsin-Chu Taiwan 300 R.O.C. Tel: 886-3-578-6005 Fax: 886-3-578-4418 Web: www.sunplus.com SPHE8202R Design Guide Important Notice
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020 0.18-m SiGe BiCMOS 5-GHz 5/60 GHz 0.18-m SiGe BiCMOS 5/60 GHz Dual- Conversion Receiver Using a Shared Switchable 5-GHz Double Balance Gilbert Mixer 1 1 1 2 1 2 0.18-m SiGe BiCMOS 5-GHz / (5/60 GHz)
填 表 须 知 一 本 申 报 书 适 用 于 申 报 安 徽 省 高 层 次 科 技 人 才 团 队 填 写 二 申 报 书 中 有 关 栏 目 需 选 择 填 写 的, 请 按 照 填 写 说 明 如 实 并 准 确 填 写 三 申 报 书 内 容 要 逐 项 填 写, 实 际 内 容 不 发
安 徽 省 高 层 次 科 技 人 才 团 队 申 报 书 项 目 编 号 : 团 队 领 军 人 才 姓 名 : 叶 乐 所 从 事 专 业 或 产 业 领 域 : 电 子 科 学 与 技 术 公 司 拟 注 册 地 : 铜 陵 市 铜 官 山 区 单 位 地 址 : 北 京 市 海 淀 区 颐 和 园 路 5 号 微 纳 电 子 大 厦 543 邮 政 编 码 :100871 团 队 联 系 人
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北 大 院 长 谈 面 试 礼 仪 2016 保 研 / 推 免 即 将 开 始, 我 们 现 在 应 该 做 的, 是 全 力 以 赴 准 备 复 试 面 试 针 对 同 学 们 比 较 关 注 的 复 试 中 面 试 环 节 的 相 关, 本 次 向 大 家 介 绍 的 是 面 试 过 程 中 外 表 和 礼 仪 的 问 题 下 面 是 关 于 面 试 礼 仪 : 很 多 同 学 不 注 重 面
時脈樹設計原則
時 脈 樹 設 計 原 則 在 高 效 能 應 用 中, 例 如 通 訊 無 線 基 礎 設 施 伺 服 器 廣 播 視 訊 以 及 測 試 和 測 量 裝 置, 當 系 統 整 合 更 多 功 能 並 需 要 提 高 效 能 水 準 時, 硬 體 設 計 就 變 得 日 益 複 雜, 這 種 趨 勢 進 一 步 影 響 到 為 系 統 提 供 參 考 時 序 的 電 路 板 設 計 階 段 (board-level)
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西安文理学院 西安通信学院 西北工业大学.doc
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使 用 手 冊 彩 色 液 晶 顯 示 器 重 要 請 仔 細 閱 讀 使 用 手 冊, 掌 握 安 全 及 正 確 的 使 用 方 法 最 新 的 使 用 手 冊 可 從 我 們 的 網 站 下 載 http://www.eizo.com.tw 安 全 性 須 知 關 於 顯 示 器 的 事 項 目 錄 第 1 章 特 色 與 介 紹 1-1 特 色 1-2 控 制 和 功 能 1-3 色 彩 調
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2006-4-25 2006-4-26 2 2006-4-26 3 20 50 6 2006-4-26 4 µ 2006-4-26 5 CERN LEP/LHC 2006-4-26 6 L3 Detector 2006-4-26 7 2006-4-26 8 ATLAS Detector (A Toroidal LHC ApparatuS) 2006-4-26 9 CMS Detector 2006-4-26
由 于 该 采 用 了 精 密 的 RF 设 计, 因 而 还 具 有 非 常 出 色 的 宽 带 噪 声 指 标 ( 典 型 值 < 160 dbc (1 Hz) 1 GHz 载 波 频 率 ), 而 要 达 到 同 样 大 小 的 值, 传 统 发 生 器 一 般 只 有 在 频 率 合 成 器
44434/5 图 1 R&S SMA100A 拥 有 出 色 的 性 能 紧 凑 的 设 计 和 优 惠 的 价 格 R&S SMA100A 几 乎 可 满 足 任 何 测 试 需 求 的 模 拟 信 号 质 量 速 度 灵 活 性 这 些 都 是 当 今 衡 量 的 标 准 R&S SMA100A 的 设 计 完 美, 可 充 分 满 足 这 些 标 准, 因 此 它 是 一 款 质 量 优 异
CONTENTS 目 录 芯片储备信息 1 SiGeHBT 的应用和发展 19 美国关于裸芯片的计划和世界市场 21 条带引线键合的测试 25 行业动态 27 蓝天碧野白桦醉 跃马纵歌塞罕坝 28 中国芯片银行通过 ISO9000 认证 扉页 北京华芯微 MOSFET 新品通过鉴定 封三 芯片技术通讯 编辑部 中国芯片银行主办发行 编辑 孟瑾 联系电话 010-88863535-8609 E-mail:
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Answers for energy. - aplc) dplc aplc dplc - TCP/IP TCP/IP 2 24 khz 1000 khz 2 32 khz 256 kbit/s 32 khz 20/50/100 W X.212 RS2328 TCP/IP21 E1 (2 Mbit/s) G703.1 64 kbit/s VF (VFM, VFO, VFS), 8 RS2324 FSK
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标题
文学蓝皮书 ９ 网络文学 趋向主流化 酝酿新格局 摘 要 ２０１５ 年的网络文学 在中央重视 政府主导 民间先 行 资本发力等诸多因素联手推动下 呈现出借势发 展和强势进取的良好势头 网络小说创作 在虚构类 的玄幻与仙侠 写实类的历史与都市 都有好的和比 较好的力作佳构联袂而来 主流体制组建网络文学机 构 ＩＰ 热 愈演愈烈 都从不同的侧面和层面推动网 络文学进而做大做强 使之成为当代文学中最具成长
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