同步整流器 MD1692C Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 概述 MD1692C 是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系兼容

Size: px

Start display at page:

Download "同步整流器 MD1692C Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 概述 MD1692C 是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系兼容"

巅屠
3 years ago
Views:

1 概述是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系兼容 DCM 或 QR 反激转换器内部集成 18mΩ40V MOSFET 最大 100kHz 开关频率采用 SOP8 封装形式统的转换效率 IC 通过检测集成 MOSFET 的源漏电压来决定其开关状态能够兼容非连续或准谐振工作模式的反激转换器应用移动设备充电器适配器 USB 插座反激转换器特点引脚定义 PIN SYMBOL FUNCTION 1 NC 2 NC 3 SR Synchronous Input 4 VCC Supply Voltage 5,6 VD MOSFET Drain 7,8 GND Ground Page1-6

2 原理框图 SR PS ON det. 6V VD VCC -0.2V -12mV ON comp OFF comp Logic & Linear Driver UVLO 极限电气参数 SYMBOL NAME VALUE UNIT V CC VCC to GND Voltage -0.3~+7 V V SR SR to GND Voltage -0.7~+40 V V D VD to GND Voltage -0.7~+40 V F MAX Maximum Operating Frequency 100 KHz P TR1 Thermal Resistance(SOP8) Θ JA 150 /W T stg Storage Temperature -55 to 150 T solder Package Lead Soldering Temperature 260, 10s ESD Susceptibility HBM(Human Body Mode) 4 kv 注 : 超过额定参数所规定的范围将对芯片造成损害, 不能保证芯片在额定参数范围以外的工作状态暴露在额定参数范围以外会影响芯片的可靠性 Page2-6

3 电性参数 ( 除特殊说明外, 以下参数均在 TA=25 C,VCC=6.0V 条件下测试 ) ITEMS SYMBOL CONDITIONS Min. Typ. Max. UNIT Input Supply VCCUVLO Rising V UVLO1 VCCraising V VCC UVLO Hysteresis V UVLO2 VCCfalling V Quiescent Current I Q VCC=SR=6V µa Control Circuity Section Turn-on Threshold(V D -V S ) V ON_TH mv Turn-on Delay 80 ns Turn-off Threshold(V D -V S ) V OFF_TH mv Turn-off Delay 50 ns Driver Regulation Voltage V REG(DRV) mv Minimum ON Time T ON_MIN ns Minimum OFF Time T OFF_MIN us Primary-side On Detection Voltage V PS_ON_DET V Primary-side On Detection Blank Time T PS_ON_DET ns Power MOS Drain-to-Source Breakdown BV DSS 40 V On-resistor R DSON mω 应用电路图 Page3-6

4 Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 功能描述能够支持 DCM 和 Quasi-Resonant 反激转换器, 能够提高系统统的效率次级边导通时, 电流首先通过功率 MOSFET 的体体二极管, 电路检测到功率 MOSFET 的漏端电电压比其源端电压低约 0.2V 时, 立即打开功率 MOSFET, 降低系统的导通损耗当 Ton 超过约 640ns 时, 功率 MOSFET 驱动的逻辑上拉会关闭, 而后线性驱动器介介入工作当通过功率 MOSFET 的电流下降降使得漏端电压比源端电压低约 30mV 时, 线性驱动器便会会通过降低 MOSFET 的驱动电压 V DRIVER 使 MOSFET 的阻抗增大, 从而将 VD 端电压维持在 -30mV 左右当电流接近 0 时, 线性驱动器的调节无法将 VD 电压继续维持在 -30mV, VD 电压会继续上升当其电压达达到 -12mV 左右时, 芯片会立即通过逻辑将功功率 MOSFET 完全关断功率 MOSFET 关闭后, 需要检测到 SR 端电压达到约 6V 以上, 且持续时间大于 0.3us 后, 才认为是一次有效的原边导通 ; 而后 SR 下降到 -0.2 后立刻打开 MOS 管 ; 如未未检测到有效的原边导通, 但 SR 仍低于 -0.2V, 则需要等待待大约 1.7us 后才打开 MOS 管这样可以在一一定程度上避免因谐振干扰造成误动作消隐功能在功率 MOSFET 开启和关闭后都有消隐功能, 确保无论开关都都会持续一定时间其中开启消隐时间为 0.64us, 关闭消隐隐时间设定为 1.8us Page4-6 深圳市美达微电子科技有限公公司

5 欠压保护功能 (UVLO) 当 VCC 降低到 V UVLO2 以下时, 电路处于睡眠模式,MOSFET 不会被打开在系统上电后的一段时间, 由于 VCC 电压未达到 V UVLO1, 功率 MOSFET 不会被打开, 完全由功率 MOSFET 的体二极管进行续流, 直到 VCC 电压超过 V UVLO1, 芯片开始正常开关 Ordering Information Part Number Package Marking SOP8-EP XXXXX Package Outlines SOP8-EP E H θ L DETAIL A b 7 (4X) D C A2 A e y A1 DETAIL A SYMBOL MILLIMETER INCHES MIN NOM MAX MIN NOM MAX A A A C D E H L b Page5-6

6 e 1.27 BSC BSC y θ 0 O - 8 O 0 O - 8 O Packing Information P W Package Type Carrier Width (W) Pitch (P) Reel Size(D) Packing Minimum SOP8-EP 12.0±0.1 mm 8.0±0.1 mm 330±1 mm 2500pcs Note: Carrier Tape Dimension, Reel Size and Packing Minimum Page6-6

GH1220 Hall Switch

GH1220 Hall Switch Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic

同步整流器 MD1692C Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 概述 MD1692C 是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系 兼容

同步整流器 MD1692C Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 概述 MD1692C 是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系兼容