Microsoft Word - 25_Explanation of IC Glossary _E & C_.doc

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滹筒禄
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1 集成电路及有关的计算器通讯类词汇 3g 3G 第三代移动通讯 A/D 模数转换器能把真实的连续信号 ( 模拟的, 如音频视频图像 ) 转换成为数字的信号 ( 计算机能认识的信号 ) 的器件, 也是一种电子设 Adapter Card 网络适配器或网卡 Address Unit 地址单元 ASIC 专用集成电路备处在数据终端设备上能提供通讯网络的物理连结的线路板或其它硬件通常是十六进制数值, 表示计算机随机存取存贮器 (RAM) 中的特定位置 Application Specific Integrated Circuit 的缩写, 为适合定向工业或客户需求而设计的特殊集成电路 ASSP 专用标准产品 Application Specific Standard Product 的缩写, 一种为特殊目的而设计的产品, 又能卖给大范围客户的产品 ARAM 可以避免坏位的音频类的动态随机存贮器, 仍然还可以提供好性能的一种存贮器 Back-End Processing 后工序指集成电路制造的装配和终测, 也是在芯片被应用之前的最后一步工序 Bipolar 双极 Bipolar digital IC 双极数字 IC Bit 位 Bluetooth 兰芽专指同时有电子和空穴参加导电的半导体器件, 第一个晶体管和第一个 IC 就产生在这类器件中, 现在大量双极设计仅用于有很高速要求的芯片中指 100% 双极数字功能和 100% 双极制造芯片工艺, 两者均具备的 IC 一种二进制数字, 是数字存贮的最小单元, 在二进制数字系统里表示 0 或 1 叫做位一种来自于兰牙特殊利益集团的无线个人局域网 (PAN) 的技术标准, 特殊利益集团是在 1998 年由 Ericsson IBM Intel Nokia and Toshiba. 筹资设立, 它是一个短程数字语音开放标准, 也是移动设备和台面设备之间的数据开放标准 Binary 二进制只有二个状态的特性, 例如电流开和关, 1

2 二进制数字系统只用 1 和 0 BiCMOS 双极互补金属 - 氧化物 - 半在同一个芯片上包含双极和 CMOS 这两种导体场效应晶体管相对新的工艺, 生产出的产品也含有这两种技术的优点 Bandwidth 带宽原先描述模拟电路的带宽, 现在这术语己发展为专指 56K 位 / 每秒和 1.5M 位 / 每秒 Byte 字节 Cable 电缆 CAD 计算机辅助设计一个字节等于八位二进制位, 它是数字存贮的另一单位, 计算机存贮器和存贮体系的测试都是用字节表示的一条或一组能传输声音或数据的特殊链路导线高级复杂的计算机工作站和软件, 用于设计集成电路芯片 CDIP 陶瓷双列直插封装 Ceramic Dual IN-LINE Package 的缩写, 叫陶瓷双列直插封装, 一种集成电路的防护封装形式 CPU 中央处理单元 Central Processing Unit 的缩写, 计算机的中央处理单元, 先进的微程序控制单元, 包括算术和逻辑运算器指令译码器内部寄存器定时与控制器等 CDMA 码分多址通讯 Code Division Multiple Access 的缩写, 码分多址通讯, 也称为扩展谱它是一种形式的数字扩展蜂窝电话服务的述语, Chip 芯片 Chip-On-Board Chip-on chip 就是把码分配给所有语频的每一位, 再把加密的译码语频, 重新编进原先格式中, 再在大气中发送出去 CDMA 的电话服务能力比模拟蜂窝提高了 20 倍, 它的高级通话质量和长电池寿命是大家公认分立器件的集成电路, 也叫芯片, 小的芯片从一百到一万个晶体管, 粗看像小铝片, 大小不大于 1/30 1/16 平方英寸, 这就是 Chip 的由来, 可以是比平半平方英寸大的芯片, 它集成成千上万的晶体管实际上只在上面的 1/1000 的芯片表面有电路, 其它部分仅是基体在电路板上的芯片具有一定缝隙把芯片与芯片叠堆成立方体 2

3 Decoder 解码器 Deep UV 深紫外是 Deep Ultraviolet 的缩写, 通常是指波长 248nm 的光, 但也用于指波长 193nm 的光 Design Rule 设计规则系指给定加工工艺类型和给定电路设计尺寸下的电路设计的规则, 例如 0.35 微 DSP 数字信息处理 Die 芯片 Digital Video Broadcasting 米 CMOS 设计规则 Digital Signal Processing 的缩写, 从数字流中提取和处理信息的过程芯片, 是单一的长方形或方形半导体集成电路小片, 它是由半导体大园薄片材料经过复杂工艺加工制造, 使它上面具有电路或特殊电路后再切割成为小片, 也叫 chip, IC, or device 数字视频广播, 一种特殊的数据传输方式, 使信息能够被网络上所有的节点接收 Digital Video Recording System 数字视频录像系统, 一种音像电子设备 Diode 二极管二极管是一种开关器件, 加正向偏压允许电流流过, 加反向电压没有电流通过, 起一个开关的作用也可以用于整流 Discrete Device 分立器件指包含一个有源组件的器件, 如一个二极管或一个三极管, 虽然复杂的可以包含多 Doping 掺杂 DRAM 动态随机存取存贮器 Driver 个有源元件, 但都叫分立器件, 是与集成电路相比而言, 单片集成电路可以包含上百万个有源元件是一种半导体材料或器件制造的工艺, 要掺杂的区暴露在一种特定环境中, 这环境可以是扩散的气氛中或高能粒子的轰击下掺杂之后, 被掺杂的区域的导电率变成相反的另一类型, 例如原来是 N 型的掺杂后变成 P 型是一种半导体存贮器, 叫动态随机存取存贮器, 在这存贮器中, 用存在和不存在电容电荷表示二进制存贮信号是 1 或 0, 电容电荷应定期刷新, 否则存贮内容会丢失驱动器 3

4 DVD Digital Video Display 的缩写, 数字视频播放器 Dry Etch 干法刻蚀用一种等离子气体把衬底材料去掉一层的方法就叫做干法刻蚀 EEROM Electronically Erasable Read Only Memory 的缩写, 电可改写的只读存贮器 EEPROM EPROM Electronically Erasable Programmable Read Only Memory 的缩写, 电可改写和可编程的只读存贮器 Erasable Programmable Read Only Memory 的缩写, 可改写可编程的只读存贮器 Embedded Processor 嵌入式处理机一种计算机芯片, 能控制它的产品功能, 有时嵌入式处理机就是指用于简单电动玩具能说贺卡中的固定祝词的那类产品, 和类似的消耗类产品, 它们也是高性能微控制器, 是产品的大脑, 例如激光打印机 Ethernet 以太网一种局域网, 用于连接在相同公司内相同的计算机打印机工作站终端服务器和其它计算机硬件因特网以超过 10M 位 / 每秒的速度工作在双绞线同轴电缆上 Flash Memory 快闪存贮器一种比 EPROM 有更多擦 / 写次数的存贮器当要求有大量不挥发性程序存贮器时采用 Flash Memory 代替 EPROM Fabless 无硅片加工能力的半导体公司 Fabless Design House Fabrication FPIC FPGA Final Test 终测无芯片加工工艺线的设计公司没有后工序的芯片加工线 Field Programmable IC 的缩写, 现场可编程集成电路现场可编程门阵列后工序的最后一步, 每一个封装好的芯片都要进行电测试 GaAs 砷化镓 Gallium Arsenide 的缩写, 一种 III-V 族化合物材料, 用于制造光电子器件和高频 IC 砷化镓有比硅高的电子迁移率, 因而具有可以生产高速器件的能力 4

5 HDTV 高清晰电视 High Definition Television 的缩写, 它描述几个由美国日本和欧洲的公司规定的, 允许家庭接收高分辨率电视的先进的标准协议 IDM Integrated Device Manufacturer 的缩写, 集成电路制造厂, 生产包括设计各种 IEEE Intelligent Home System 级别的集成电路产品的公司, 例如 IBM Intel 和 Motorola. Institute of Electrical and Electronics Engineers 的缩写, 电气和电子工程师协会, 是世界范围的电子工业的工程出版和制定标准协议的机构智能家居智能小區, 指那些已建立局域网具有自动安全防盗等物业管理措施的家居小区 Ion Implantation 离子注入专指一种使物质表面变性的方法, 对半导体硅片来说, 是以高能的荷电离子使之聚焦成离子束打到硅片表面并进入表面层, 从而获得所设计的掺杂效果 ISP 因特网服务提供商 Internet Service Provider 的缩写, 因特网服务提供商, 指对个人或组织团体提供因特网访问服务的公司或公司的任一个成员 IC 集成电路 LAN 局域网 LCD LED Lithography 光刻 Integrated Circuit 的缩写, 将分立的元器件 ( 如二极管三极管电阻电容等 ) 和元器件互联构成的电路的总体均做在一小块的半导体基片上, 就叫做集成电路 Local Area Network 的缩写, 指一种通讯网络, 它为一定地理区域内的用户提供服务它是由服务器工作站网络操作系统和通讯联路组成的 Liquid 的縮寫, 液晶显示器 Light-Emitting Diode 的缩写, 发光二极管 Lithography 指图形从一种媒质到另一个媒质的转换, 例如图形从掩膜板转换到硅片, 如果用光的作用去达到这种转换就 5

6 叫做 "photolithography", "Microlithography" 是指转换工艺的图形在微米的尺寸范围 Line Width 线宽指集成电路设计版图上最细线条的宽度, 它是一个 IC 的掩模或图形的尺寸, 也是集成度的量度, 线宽越小, 集成度越高 Logic IC 逻辑集成电路指一类集成电路用于处理信息, 根据输入 LSI 大规模集成电路 Mask ROM 作出判决或去控制其它器件, 这类 IC 叫做逻辑集成电路 Large Scale Integration circuit 的缩写, 千上万个晶体管集成到单一集成电路芯片上的一种工艺由 IC 制造厂家一次性写入的只读存贮器 MCU 微控制单元 Microcontroller Unit 的缩写, 微控制单元相当于一个人大脑的作用, 在实际应用中, 它可能是一台计算机或一个产品的指挥控制中心 Memory 存贮器存贮器是电子硬件的 generic 术语, 它以电的 ( 半导体 IC) 或以磁的 (disc) 形式存贮信息, 是计算机的重要组成部分 Microcontroller 微控制器一个微控制器是一个单一标准的器件, 它 MPU 微处理器单元 Modem 調制解調器不需要其它电路支持能在一定电子系统范围内挚行计算机功能一个微控制器包括存贮器功能, 不像一个微处理器 (Microprocessor), 微处理器是要与标准的提供存贮器的芯片配对用微控制器被用于电视,VCRs, 微波炉和自动遥控引擎 Micro-Processor Unit 的缩写, 指八位的 Microprocessor( 微处理器 ), 一种半导体的器件, 能完成计算机系统上的大多数计算一种计算机外部设备, 通过电话线将计算机连接到因特网传送数据,Modem 是从单词 "modulate" 和 "demodulate" 缩写衍生而来的, 因为调制是指信号在计算机数 6

7 字格式转换为模拟的再通过传输模拟信号的电话线发送出去, 那么反过来, 解调是指把电话线上信号从模拟的格式转换为数字的再送到计算机 Monitor 電腦顯示器 Moore s Law 摩尔定律在 1965 年 Intel 公司的创始人 Gordon MOS 数字存贮器 Moore 预言, 每 18 个月在芯片上能集成上去的晶体管数目将增加一倍如果这个预期延续, 按他的规律, 每一新的芯片的计算能力将曝炸性提升. 他预言的正确性己被公认并一直延至今天 MOS Digital Memory 的缩写, 包括 DRAM, SRAM, EPROM, EEPROM, Flash memory, ROM, 和其它 MOS 数字存贮器 IC MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 的缩写, 叫 MOS 场效应晶体管, 是一种利用半导体表面效应的器件, 由于含有绝缘体层不要求像双极那么高的电源不仅用于 IC 而且用于功率器件 MOS 场效应晶体管比双极器件易于制造, 厂家因而已建立成片的 CMOS 芯片生产线 MOS IC 一种集成电路, 用于生产 MOS IC 的半导体技术, 包括制造混合 MOS 器件, 例如双极 MOS (BiMOS) 和双极互补 MOS (BiCMOS) MP3 MP3 格式是 MPEG( 移动图像专家组标准 ) Network Non-Volatile Memory Audioplayer3 的缩写, 一种音频压缩技术, 网上音乐格式之一它除了体积小巧多变外, 还具有很大的优点是可以利用计算机从网络或 CDROM 上下载音乐, 同时也可以把 MP3 的信息上传到电脑, 这样就可以实现交互传输是一个国际性的实体组网, 利用通讯传输信道连接所有的客户计算机和服务站以及支持它们的硬件和软件不挥发性的存贮器, 这种器件当电源去掉时还能保存它的内容磁盘和磁带是普通 7

8 NMOS N 沟 MOS Optoelectronics 光电子器件 Package 封装的不挥发性的存贮器有些半导体存贮器 (EEROM, EPROM, Flash memory) 是不挥发性的存贮器 ; 另外一些通常叫挥发性的存贮器 (SRAM 尤其是 DRAM), 但是通过接到一个恒定的可刷新的电源上, 可以使挥发性的存贮器做成不挥发性的存贮器是指沟道中导电的载流子是电子的那类 MOS 晶体管一种对光敏感或能发光的半导体器件, 如发光二极管, 光耦合器, 激光二极管和光探测器都称为光电子器件 IC 的保护外壳, 由塑料, 金属或陶瓷材料做成, 外壳带有出腿可以提供把芯片电连接到要用芯片的部件上去 PCB Printed Circuit Board 的缩写, 印刷电路板 PDA Personal Digital Assistant 的缩写, 私人数字助理 Photomask 光掩模一种玻璃母板, 在它的一面带有一层铬膜, 这铬层可以被付蚀, 只留下设计好的电路部分, 准备用来制造集成电路 Photomask 和掩模 (Mask) 及感光版 (Plate) 是同义词 Photoresist 光刻胶光致抗蚀剂, 光阻材料 Process 工艺在光掩模和 IC 制造过程中, 随着每次图形的光刻放置紧跟着的许多工艺步骤如曝光显影付蚀去胶剥离等等, 都叫工艺 (Process) PSM 相移掩模 Phase Shift Mask 的缩写, 一种掩模版, RAM 随机存取存贮器当光通过这种特殊掩模版可以选择地改变光波位相, 去改善焦点的深度 ( 焦距 ), 达到提高在硅片上图形的分辨率 Random Access Memory 的缩写, 叫随机存取存贮器, 可以按顺序从任何地址位置上读出或写入信息, 也叫读 / 写,RAM 是计算机临时性贮存数据的存贮器 RAM 构架着计算机里基本读 / 写存贮单元, 可让用户随意输入或捡索数据 8

9 RF 射频 Radio Frequency 的缩写, 与无线电传输相关的频率的统称, 一般指 30KHz 一 300GHz 之间的频率 ROM 只读存贮器 Read Only Memory 的缩写, 只读存贮器 Resists 抗蚀剂它是一种光敏感或电敏感薄膜材料, 在工业上用于光掩模和硅片集成电路的生产, 能把设计好的图形经过曝光转移到衬底 Semiconductor 半导体半导体是一种材料, 或者导电或者不导电, 其电阻率介于 cm 主要的半导体材料有锗硅及砷化镓等 III V 族化合物不导电的依赖于掺进一定杂质元素就可以导电, 硅是集成电路的最主要的半导体材料 System on a Chip 单芯片系統一个芯片自成系统, 包括信息处理过程存贮器和输入输出功能 System on a Programmable Chip 可編程單芯片系統 SRAM Static Random Access Memory 的缩写, 静态隋机存贮器, 它是类似 DRAM 的一种集成电路, 不要求刷新或叫重新充电, 用它可以加速信息检索处理时间, 但它保持信息的时间和计算机开电源的时间一样长, 与 ROM 比较, 当电源关掉时 SRAM 是挥发性 SRAM 通常比 DRAM 速度快, 但是价格也贵, 因为制造时每一位就得用几个晶体管, 通常只用在要求高速的计算机或其它电路中 Solid State 固态固体电子学, 表示晶体材料的电学特性, Scaling 按比例缩减 Signal Processing 信号处理与之相对的是玻璃真空管发射电子学和早期的真空管比较, 固体组件具有体积小价格便宜更灵活更可靠低电源和较少热消耗众所周知在芯片上综合减小尺寸是通过减小线宽, 也就是提高每片大圆片上芯片的总成品率增强物理或电现象表示的一种电功能, 具有物理特性的例子有温度压力振动 9

10 加速度和流量, 这些物理特性依赖信号处理使物理特性得到增强 RF X-ray 的探测和转换或超声能转换为图象和声音是其它形式的信号处理 System on a Chip 单片系统一个芯片本身就是一个系统, 包括微处理器存贮器输入输出 System on a Programmable Chip Transistor 晶体管 Video VLSI 甚大规模集成电路可編程單芯片系統一种电子器件类似于真空管能放大电信号, 但是用半导体材料做成如硅或锗視頻 Very Large-Scale Integrated circuit 的缩写, 叫甚大规模集成电路, 指大小为四分之一英寸的集成电路芯片上就放进成千上万的晶体管的集成电路 Wafer 半导体晶片 Wafer 是一种半导体材料 ( 通常是硅 ) 的薄园片, 在它上面可以制造许多分离的芯片 Wafer sort 中测当芯片还在整个的园片上进行逐个芯片的检测用很细的探针临时把芯片连接到测试用的计算机上, 这样有可能检验出一定的工艺问题设计的问题成其它问题 Wet Etch 湿法付蚀 X-ray Lithography X- 射线光刻用液体的化学药品使衬底材料去掉一部分的工艺把图形转换到硅片上去的光刻工艺, 但光源不是用可见光, 而是一种电磁辐射 X- 射线, 这种光刻过程就叫做 X- 射线光刻 10

Microsoft PowerPoint - CH03中文

Microsoft PowerPoint - CH03中文 Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si