STM32F10x Flash Programming (Chinese)

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晁谆廉
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1 PM0042 编程手册简介本编程手册介绍了如何烧写 STM32F10x 微控制器的闪存存储器 STM32F10x 闪存编程 STM32F10x 内嵌的闪存存储器可以用在线编程 (ICP) 或在程序中编程 (IAP) 烧写在线编程 (In-Circuit Programming ICP) 方式用于更新闪存存储器的全部内容, 它通过 JTAG 或 SWD 协议下载用户应用程序到微控制器中 ICP 是一种快速有效的流程, 消除了封装和管座的困扰与 ICP 方式对应, 在程序中编程 (In-Application Programming IAP) 可以使用微控制器支持的任一种通信接口 ( 如 I/O 端口 USB CAN UART 等 ) 下载程序或数据到存储器中 IAP 允许你在程序运行时重新烧写闪存存储器中的内容然而,IAP 要求至少有一部分程序已经用 ICP 烧到某个闪存块中本文的内容适用于 STM32F101 和 STM32F103 系列闪存接口是在 AHB 协议上实现了对指令和数据的访问, 通过对存储器的分区和预取缓存的实现, 加快了存储器的访问 ; 闪存接口还实现了闪存编程和擦除所需的逻辑电路, 这里还包括访问和写入保护以及选择字节的控制 STM32F10x 闪存编程页 1/23

2 目录 1 概述特性闪存模块组织读 / 编写 STM32F10x 内置闪存简介读操作取指令 D-Code 接口闪存访问控制器信息模块访问闪存编程和擦除控制器 (FPEC) 键值解除闪存锁闪存编程信息块的编程闪存擦除保护读保护写保护信息块保护选择字节加载低功耗管理寄存器说明闪存访问控制寄存器 (FALSH_CR) FPEC 键寄存器 (FLASH_KEYR) 闪存 OPTKEY 寄存器 (FLASH_OPTKEYR) 闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 闪存地址寄存器 (FLASH_AR) 选择字节寄存器 (FLASH_OBR) 写保护寄存器 (FLASH_WRPR) 闪存寄存器映像版本历史 STM32F10x 闪存编程页 2/23

3 术语本译文仅供参考, 如有翻译错误, 请以英文原稿为准下面列出了本文档中所用到的术语和缩写的简要说明 : Cortex-M3 内核集成了两个调试端口 : JTAG 调试接口 (JTAG-DP) 提供基于 JTAG(Joint Test Action Group 联合测试行动小组 ) 协议的 5 线标准接口 SWD 调试接口 (SWD-DP) 提供基于 SWD(Serial Wire Debug 串行线调试 ) 协议的 2 线标准接口有关 JTAG 和 SWD 协议, 请参考 Cortex M3 Technical Reference Manual 选择字节 : 存放在闪存中的产品配置位字 (Word):32 位长的数据或指令半字 (Half Word):16 位长的数据或指令字节 (Byte):8 位长的数据或指令 FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程 / 擦除控制器 ): 对内置闪存的写操作是由一个内嵌的 FPEC 管理的 IAP(In-Application Programming):IAP 是在用户程序运行时对闪存微控制器中存储器重新编程的一种能力 ICP(In-Circuit Programming):ICP 是在芯片安装在用户应用板上后通过 JTAG 协议对闪存微控制器中存储器编程的一种能力 I-Code: 这是连接 Cortex-M3 核心的指令总线与闪存程序存储器接口的总线, 指令预取是在这个总线上实现的 D-Code: 这是连接 Cortex-M3 核心的 D-Code 总线 ( 常数和调试访问 ) 与闪存数据存储器接口的总线 SIF: 用户选择字节的小信息块 ( 详见图 4) AHB: 先进高性能总线 STM32F10x 闪存编程页 3/23

4 1 概述 1.1 特性本译文仅供参考, 如有翻译错误, 请以英文原稿为准 128K 字节闪存擦写周期 :1000 次存储器配置 : 闪存接口的特性 : 主存储块 :16K x 64 位信息块 :320 x 64 位带预取缓冲器的读接口 (2x64 位 ) 选择字节加载闪存编程 / 擦除操作读出 / 写入保护 1.2 闪存模块组织存储器组织成主存储器块和信息块 ; 主存储器块包含 128 页, 每页 1K 字节 ; 信息块包括 2 页 (2K 字节和 0.5K 字节 ); 如表一 : 表一闪存模块组织块主存储器信息块闪存寄存器名称地址范围长度 ( 字节 ) 页 0 0x x FF 页 1 0x x FF 页 2 0x x0800 0BFF 4 x 1K 页 3 0x0800 0C00 0x0800 0FFF 页 4~7 0x x0800 1FFF 4 x 1K 页 8~11 0x x0800 2FFF 4 x 1K 页 124~127 0x0801 F000 0x0801 FFFF 4 x 1K 启动程序代码 0x1FFF F000 0x1FFF F7FF 2K 用户选择字节 0x1FFF F800 0x1FFF F9FF 512 FLASH_ACR 0x x FLASH_KEYR 0x x FLASH_OPTKEYR 0x x B 4 FLASH_SR 0x C 0x F 4 FLASH_CR 0x x FLASH_AR 0x x x x B 4 FLASH_OBR 0x C 0x F 4 FLASH_WRPR 0x x x x 闪存存储器被组织成 32 位宽的存储器单元, 可以存放代码和数据常数每一个 STM32F10x 微控制器的闪存模块都有一个特定的启始地址, 有关的启始地址请参考 STM32F10x 参考手册系统存储器是用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序, 这个区域只给 ST 使用 ;ST 在生产线上对这个区域编程并锁定以防止用户擦写 STM32F10x 闪存编程页 4/23

5 对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程 / 擦除控制器 (FPEC) 管理 ; 编程与擦除的高电压由内部产生闪存存储器有两种保护方式防止非法的访问 ( 读写擦除 ): 页写入保护读出保护详情请参考 2.4 节在执行闪存写操作时, 任何对闪存的读操作都会锁住总线, 在写操作完成后读操作才能正确地进行 ; 既在进行写或擦除操作时, 不能进行代码或数据的读取操作进行闪存编程操作时 ( 写或擦除 ), 必须打开内部的 RC 振荡器 (HSI) 闪存存储器可以用 ICP 或 IAP 方式编程 STM32F10x 闪存编程页 5/23

6 2 读 / 编写 STM32F10x 内置闪存 2.1 简介本节介绍如何读和对 STM32F10x 的内置闪存编程 2.2 读操作内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址, 任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据读接口在闪存端包含一个读控制器, 还包含一个 AHB 接口与 CPU 衔接这个接口的主要工作就是产生读闪存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块, 预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作, 数据常量是通过 D-Code 总线访问的这两条总线的访问目标是相同的闪存模块, 访问 D- Code 将比预取指令优先级高取指令 Cortex-M3 在 I-Code 总线上取指令, 在 D-Code 总线上取数据预取指令块可以有效地提高对 I- Code 总线访问的效率预取缓冲器预取缓冲器包含两个数据块, 每个数据块有 8 个字节 ; 预取指令 ( 数据 ) 块直接映像到闪存中, 因为数据块的大小与闪存的宽度相同, 所以读取预取指令块可以在一个读周期完成设置预取缓冲器可以使 CPU 更快地执行,CPU 读取一个字的同时下一个字已经在预取缓冲器中等候, 即当代码跳转的边界为 8 字节的倍数时, 闪存的加速比例为 2 预取控制器预取控制器根据预取缓冲器中可用的空间决定是否访问闪存, 预取缓冲器中有至少一块的空余空间时, 预取控制器则启动一次读操作清除闪存访问控制寄存器中的一个控制位能够关闭预取缓冲器, 这样预取缓冲器将处于关闭状态注意 : 当 AHB 时钟的预分频系数不为 1 时, 必须打开预取缓冲器 (FLASH_ACR[4]= 1 ) 注意 : 如果在系统中没有高频率的时钟, 即 HCLK 频率较低时, 闪存的访问只需半个 HCLK 周期 ( 半周期的闪存访问只能在时钟频率低于 8MHz 时进行, 使用 HIS 或 HSE 并且关闭 PLL 时可得到这样的频率 ); 在闪存访问控制寄存器中有一个控制位可以选择这种工作方式当使用了预取缓冲器和 AHB 时钟的预分频系数不为 1 时, 不能使用半周期访问方式访问时间调节为了维持读闪存的控制信号, 预取控制器的时钟周期与闪存访问时间的比例由闪存访问控制器控制 ; 这个值给出了能够正确地读取数据时, 闪存控制信号所需的时钟周期数目 ; 复位后, 该值为 1, 闪存访问为两个时钟周期 (FLASH_ACR 的复位值为 01, 长度 =1) D-Code 接口 D-Code 接口包含 CPU 端简单的 AHB 接口和对闪存访问控制器的仲裁器提出访问请求的逻辑电路 D-Code 的访问优先于预取指令的访问这个接口使用预取缓冲器的访问时间调节模块闪存访问控制器这个模块就是在 I-Code 上的指令预取请求和 D-Code 接口上读请求的仲裁器 STM32F10x 闪存编程页 6/23

7 D-Code 接口的请求优先于 I-Code 的请求信息模块访问信息模块的内容可以通过 I-Code 总线执行并且可以在 D-Code 总线上读出, 小信息模块可以在任一模式下读写选择字节模块包含配置选择字节和其他用户定义的信息 2.3 闪存编程和擦除控制器 (FPEC) 键值 FPEC 模块处理闪存的编程和擦除操作, 它包括 7 个 32 位的寄存器 : FPEC 键寄存器 (FLASH_KEYR) 选择字节键寄存器 (FLASH_OPTKEYR) 闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 闪存地址寄存器 (FLASH_AR) 选择字节寄存器 (FLASH_OBR) 写保护寄存器 (FLASH_WRPR) 只要 CPU 不访问闪存, 闪存操作不会延缓 CPU 的执行共有三个键值 : RDPRT 键 = 0x000000A5 KEY1 = 0x KEY2 = 0xCDEF89AB 解除闪存锁复位后, FPEC 模块是被保护的, 不能写入 FLASH_CR 寄存器 ; 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块, 这个特定的序列是两个键值 (KEY1 和 KEY2, 见节 ); 写入任何其他序列都会在下次复位前锁死 FPEC 模块和 FLASH_CR 寄存器写入错误的键序列还会产生总线错误 ; 总线错误发生在第一次写入的不是 KEY1, 或第一次写入的是 KEY1 但第二次写入的不是 KEY2 时 ;FPEC 模块和 FLASH_CR 寄存器可以由程序设置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位锁住, 这时可以通过在 FLASH_KEYR 中写入正确的键值对 FPEC 解锁闪存编程每次闪存编程可以写入 16 位当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为 1 时, 写入一个半字到一个闪存地址将启动一次编程 ; 写入任何非半字的数据,FPEC 都会产生总线错误在编程过程中 (BSY 位为 1), 任何读写闪存的操作都会使 CPU 暂停, 直到此次闪存编程结束 STM32F10x 闪存编程页 7/23

8 图一编程过程读 FLASH_CR 的 LOCK 位 LOCK 位 =1 = 0 置 FLASH_CR 的 PG 位 =1 = 1 执行解锁序列在指定的地址写入半字 (16 位 ) FLASH_SR 的 BSY 位 = 1? = 0 读编程地址并检查写入的数据 = 1 注意 : 标准编程这种模式下 CPU 以标准的半字写的方式烧写闪存,FLASH_CR 寄存器的 PG 位必须置 1 FPEC 先读出指定地址的内容并检查它是否被擦除, 如未被擦除则不执行编程并在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位提出警告 ( 唯一的例外是当要烧写的数值是 0x0000 时,0x0000 可被正确烧入且 PGERR 位不置位 ); 如果指定的地址在 FLASH_WRPR 中指定为写保护, 则不执行编程并在 FLASH_SR 寄存器的 WRPRTERR 位置 1 提出警告 FLASH_SR 寄存器的 EOP 为 1 时表示编程结束标准的闪存编程顺序如下 : 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位, 以确认没有其他正在进行的编程操作 ; 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为 1; 写入要编程的半字到指定的地址 ; 等待 BSY 位变为 0; 读出写入的地址并验证数据当 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位为 1 时, 不能对任何寄存器执行写操作信息块的编程选择字节编程选择字节是通过特殊的地址进行编程选择字节只有 6 个字节 (4 个用于写保护,1 个由于读保护, 另一个用于器件配置 ) 对 FPEC 解锁后, 分别写入 KEY1 和 KEY2( 见节 ) 到 FLASH_OPTKEYR, 再设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位为 1, 此时可以对小信息块进行编程 : 设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTPG 位为 1 后写入半字到指定的地址 FPEC 先读出指定地址的选择字节内容并检查它是否被擦除, 如未被擦除则不执行编程并在 FLASH_SR 寄存器的 WRPRTERR 位提出警告 FLASH_SR 寄存器的 EOP 为 1 时表示编程结束 FPEC 使用半字中的低字节并自动地计算出高字节 ( 高字节为低字节的反码 ), 并开始编程操作, 这将保证选择字节和它的反码始终是正确的烧写编程的顺序如下 : 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位, 以确认没有其他正在进行的编程操作 ; 设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位为 1; 设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTPG 位为 1; 写入要编程的半字到指定的地址 ; STM32F10x 闪存编程页 8/23

9 等待 BSY 位变为 0; 读出写入的地址并验证数据当读闪存保护选项从保护变为未保护时, 在重新设置读保护选项前会自动执行一个全部擦除用户闪存的操作如果用户要改变读保护之外的选项, 则不会出现全部擦除操作读保护选项上的这一擦除操作保护了闪存中的内容不被非法读出数据编程选择字节块之后剩余的字节 ( 在 0x1FFF F804 未用的 OPT 字节 ) 可以用于存储数据对这部分地址的编程可以通过标准编程操作完成擦除过程小信息块的擦除顺序 (OPTERASE) 如下 : 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位, 以确认没有其他正在进行的闪存操作 ; 设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位为 1; 设置 FLASH_CR 寄存器的 OPTER 位为 1; 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1; 等待 BSY 位变为 0; 读出小信息块并做验证闪存擦除闪存可以按页擦除, 也可以全部擦除页擦除闪存的任何一页都可以通过 FPEC 的页擦除功能擦除 ; 擦除一页应遵守下述过程 : 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位, 以确认没有其他正在进行的闪存操作 ; 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页 ; 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为 1; 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1; 等待 BSY 位变为 0; 读出被擦除的页并做验证图二闪存页擦除过程读 FLASH_CR 的 LOCK 位 LOCK 位 =1 = 0 = 1 执行解锁过程在 FLASH_AR 中选择要擦除的页置 FLASH_CR 的 PER = 1; STRT = 1 FLASH_SR 的 BSY 位 = 1? = 1 = 0 读出并验证被擦除页的数据 STM32F10x 闪存编程页 9/23

10 全部擦除可以用全部擦除功能擦除所有用户区的闪存, 信息块不受此操作影响建议使用下述过程 : 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位, 以确认没有其他正在进行的闪存操作 ; 设置 FLASH_CR 寄存器的 MER 位为 1; 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为 1; 等待 BSY 位变为 0; 读出所有页并做验证图三闪存全擦除过程读 FLASH_CR 的 LOCK 位 LOCK 位 =1 = 1 执行解锁过程 = 0 FLASH_SR 的 BSY 位 = 1? = 1 = 0 读出并验证所有页的数据 STM32F10x 闪存编程页 10/23

11 2.4 保护本译文仅供参考, 如有翻译错误, 请以英文原稿为准闪存中的用户代码区可以防止非法的读出 ; 闪存区可以以每 4 页为单位加以保护, 以防止在程序跑飞的情况下不被意外地改变读保护这项保护是通过设置信息块中的一个选择字节启动的当保护字节被写入相应的值以后, 在调试模式中将不允许读出闪存存储器, 所有在 RAM 中加载和执行的功能 ( 如 JTAG/SWD, 从 RAM 启动等 ) 仍然有效, 这样可以用于解除读保护 ( 访问闪存仍然被禁止 ) 当启动读保护后, 第 0~3 页被自动加上了写保护当信息块中的访问保护选择字节被修改到未保护状态时, 全部擦除操作将自动运行当 RDP 选择字节和它的反码包含下列数值对时, 闪存被置于保护状态 : 表二闪存存储器保护状态 RDP 字节的值 RDP 反码的值 0xFF 0xFF 保护读保护状态 RDP RDP 字节的反码未保护任意值非 RDP 字节的反码保护注意 : 擦除选择字节块将不会导致自动的全部擦除操作, 因为擦除选择字节的结果 0xFF 相当于保护状态未保护解除读保护的过程是 : 擦除整个小信息块 ( 用户部分 ), 读保护码 (RDP) 将变为 0xFF, 此时读保护仍然有效 ; 写入正确的 RDP 代码 0xA5 以解除存储器的保护, 该操作将导致对所有用户闪存的全部擦除操作 ; 进行复位 ( 上电复位 ) 以重新加载选择字节 ( 和新的 RDP 代码 ), 此时读保护被解除写保护写保护是以每 4 页为单位实现的, 这样使用 32 个选择位可以控制到 128K 字节以 4K 位单位实施保护也是合理的, 因为通常启动代码都会大于 1K 下表列出了对用户页面保护措施 : 表三用户页面的保护 RDP WRP 作用有效有效 CPU 只能读 ; 禁止调试和非法访问有效无效 CPU 可以读写 ; 禁止调试和非法访问 ; 页 0 为写保护无效有效 CPU 可读 ; 允许调试和非法访问无效无效 CPU 可以读写 ; 允许调试和非法访问如果试图在一个受保护的页面进行编程或擦除操作, 在闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 中会返回一个保护错误标志解除保护下属步骤用于解除写保护 : STM32F10x 闪存编程页 11/23

12 使用闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 的 OPTER 位擦除整个小信息块 ( 用户部分 ); 烧写 RDP 代码 ( 用于解除读保护 ); 烧写正确的 RDP 代码 0xA5, 允许读访问 ; 进行系统复位, 重装载选择字节 ( 包含新的 WRP[3:0] 字节 ); 写保护被解除信息块保护选择字节块写保护默认状态下, 选择字节块始终是可以读且被写保护要想对选择字节块进行写操作 ( 编程 / 擦除 ) 首先要在 OPTKEYR 中写入正确的键序列 ( 与上锁时一样 ), 随后选择字节块的写操作被允许, FLASH_CR 寄存器的 OPTWRE 位标示允许写, 清除这位将禁止写操作 2.5 选择字节加载在闪存的信息块中, 存放了一组选择字节 ; 这些字节包含产品的配置信息 ( 如封装等 ) 用户部分的选择字节可以由用户根据应用程序自己选择, 选择软件的看门狗或硬件的看门狗就是一个很好的例子选择字节中一个 32 位的字被分为下述几部分 : 表四选择字节格式位 31~24 位 23~16 位 15~8 位 7~0 选择字节 1 的反码选择字节 1 选择字节 0 的反码选择字节 0 信息块中选择字节的组织结构如下 : 表五信息块的组织结构块小信息块 (SIF) 地址 [31:24] [23:16] [15:8] [7:0] 0x1FFF F7F8 0x1FFF F7FC 0x1FFF F800 nuser USER nrdp RDP 0x1FFF F804 未用 0x1FFF F808 nwrp1 WRP1 nwrp0 WRP0 0x1FFF F80C nwrp3 WRP3 nwrp2 WRP2 选择字节有 6 个字节, 他们主要用于保护内部的闪存接口 ( 读出和写入操作 ), 只有一个字节用于用户的程序功能 STM32F10x 闪存编程页 12/23

13 表六用户选择字节说明 RDP: 读出保护选择字节读出保护功能帮助用户保护存在闪存中的软件该功能由设置信息块中的一个选择字节启用写入正确的数值 (RDPRT 键 =0x00A5) 到这个选择字节后, 闪存被开放允许读出访问 USER: 用户选择字节这个字节用于配置下列功能 : 选择看门狗事件 : 硬件或软件进入停机 (STOP) 模式时的复位事件进入待机模式时的复位事件位 19:23 位 18 位 17 位 16 0xFF: 不用 nrst_stdby 0: 当进入待机模式时产生复位 1: 进入待机模式时不产生复位 nrst_stop 0: 当进入停机 (STOP) 模式时产生复位 1: 进入停机 (STOP) 模式时不产生复位 WDG_SW 1: 硬件看门狗 0: 软件看门狗 WRPx: 闪存写保护选择字节用户选择字节 WRPx 中的每个位用于保护主存储器中 4 页的内容, 每页为 1K 字节总共有 4 个用户选择字节用于保护所有 128K 主闪存 WRP0: 页 0 至页 31 的写保护 WRP1: 页 32 至页 63 的写保护 WRP2: 页 64 至页 95 的写保护 WRP3: 页 96 至页 127 的写保护每次系统复位后, 选择字节装载器读出信息块的数据并保存在寄存器中 ; 每个选择位都在信息块中有它的反码位, 在装载选择位时反码位用于验证选择位是正确的, 如果有任何的差别, 将产生一个选择字节错误标志 (OPTERR) 当发生选择字节错误时, 对应的选择字节被强置为 0xFF 当选择字节和它的反码均为 0xFF 时 ( 擦除后的状态 ), 上述验证功能被关闭所有的选择位 ( 不包括它们的反码位 ) 用于配置该微控制器,CPU 可以读选择寄存器, 详见 3 寄存器说明 CPU 可以读选择字节寄存器 2.6 低功耗管理在低功耗模式下所有的闪存访问被终止详情参见 STM32F10x 参考手册 STM32F10x 闪存编程页 13/23

14 3 寄存器说明本译文仅供参考, 如有翻译错误, 请以英文原稿为准本节将使用下述缩写 : 表七缩写读 / 写 (rw) 只读 (r) 读 / 清除 (rc_w0) 读 / 设置 (rs) (res) 软件可以读或写这些位软件只能读这些位软件可以读并写 0 清除这些位, 写 1 将不对操作的位产生影响软件可以读并写 1 设置这些位, 写 0 将不对操作的位产生影响位, 必须保持在复位状态 3.1 闪存访问控制寄存器 (FLASH_ACR) 地址偏移 :0x00h 复位值 :0x h PRFTBS PRFTBE HLFCYA LATENCY r rw rw rw rw rw 位 31~6 必须保持为清除状态 0 位 5 位 4 位 3 位 2~0 PRFTBS: 预取缓冲区状态该位显示预取缓冲区的状态 0: 预取缓冲区被关闭 1: 预取缓冲区被启用 PRFTBE: 预取缓冲区使能 0: 关闭预取缓冲区 1: 启用预取缓冲区 HLFCYA: 闪存半周期访问使能 0: 禁止半周期访问 1: 启用半周期访问 LATENCY: 时延这些位表示 SYSCLK( 系统时钟 ) 周期与闪存访问时间的比例 000: 零等待状态, 当 0 < SYSCLK 24MHz 001: 一个等待状态, 当 24MHz < SYSCLK 48MHz 010: 两个等待状态, 当 48MHz < SYSCLK 72MHz STM32F10x 闪存编程页 14/23

15 3.2 FPEC 键寄存器 (FLASH_KEYR) 地址偏移 :0x04h 复位值 :xxxx xxxxh FKEYR[31:16] w w w w w w w w w w w w w w w w FKEYR[15:0] w w w w w w w w w w w w w w w w 注 : 所有这些位是只写的, 读出时返回 0 位 31~0 FKEYR:FPEC 键这些位用于输入 FPEC 的解锁键 3.3 闪存 OPTKEY 寄存器 (FLASH_OPTKEYR) 地址偏移 :0x08h 复位值 :xxxx xxxxh OPTKEYR[31:16] w w w w w w w w w w w w w w w w OPTKEYR[15:0] w w w w w w w w w w w w w w w w 注 : 所有这些位是只写的, 读出时返回 0 位 31~0 OPTKEYR: 选择字节键这些位用于输入选择字节的键以解除 OPTWRE STM32F10x 闪存编程页 15/23

16 3.4 闪存状态寄存器 (FLASH_SR) 地址偏移 :0x0Ch 复位值 :0x h EOP WRPRT ERR PGERR BSY rw rw rw rw 位 31~6 必须保持为清除状态 0 位 5 位 4 EOP: 操作结束当闪存操作 ( 编程 / 擦除 ) 完成时, 硬件设置这位为 1, 写入 1 可以清除这位状态注 : 每次成功的编程或擦除都会设置 EOP 状态 WRPRTERR: 写保护错误试图对写保护的闪存地址编程时, 硬件设置这位为 1, 写入 1 可以清除这位状态位 3 必须保持为清除状态 0 位 2 PGERR: 编程错误试图对内容包含 0 的地址编程时, 硬件设置这位为 1, 写入 1 可以清除这位状态注 : 试图写 0 前必须清除 STRT 位位 1 必须保持为清除状态 0 位 0 BSY: 忙该位指示闪存操作正在进行在闪存操作开始时, 该位被设置为 1, 在操作结束或发生错误时该位被清除为 0 STM32F10x 闪存编程页 16/23

17 3.5 闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 地址偏移 :0x10h 复位值 :0x h EOPIE ERRIE OPTWRE LOCK STRT OPTER OPTPG MER PER PG rw rw rw rw rw rw rw rw rw rw 位 31~13 必须保持为清除状态 0 位 12 EOPIE: 允许操作完成中断该位允许在 FLASH_SR 寄存器中的 EOP 位变为 1 时产生中断 0: 禁止产生中断 1: 允许产生中断位 11,8,3 必须保持为清除状态 0 位 10 位 9 位 7 位 6 位 5 位 4 位 2 位 1 位 0 ERRIE: 允许错误状态中断该位允许在发生 FPEC 错误时产生中断 ( 当 FLASH_SR 寄存器中的 PGERR/WRPRTERR 置为 1 时 ) 0: 禁止产生中断 1: 允许产生中断 OPTWRE: 允许写选择字节当该位为 1 时, 允许对选择字节 / 小信息块进行编程操作当在 FLASH_OPTKEYR 寄存器写入正确的键序列后, 该位被置为 1 软件可清除此位 LOCK: 锁只能写 1 当该位为 1 时表示 FPEC 和 FLASH_CR 被锁住, 在检测到正确的解锁序列后, 硬件清除此位为 0 在一次不成功的解锁操作后, 下次复位前, 该位不能再被改变 STRT: 开始当该位为 1 时将触发一次擦除操作该位只可由软件置为 1 并在 BSY 变为 1 时清为 0 OPTER: 擦除选择字节擦除选择字节 / 小信息块 OPTPG: 烧写选择字节对选择字节编程 MER: 全擦除选择擦除所有用户页 PER: 页擦除选择擦除页 PG: 编程选择编程操作 STM32F10x 闪存编程页 17/23

18 3.6 闪存地址寄存器 (FLASH_AR) 地址偏移 :0x14h 复位值 :0x h FAR[31:16] w w w w w w w w w w w w w w w w FAR[15:0] w w w w w w w w w w w w w w w w 这些位由硬件修改为当前 / 最后使用的地址在页擦除操作中, 软件必须修改这个寄存器以指定要擦除的页位 31~0 FAR: 闪存地址当进行编程时选择要编程的地址, 当进行页擦除时选择要擦除的页注意 : 当 FLASH_SR 中的 BSY 位为 1 时, 不能写这个寄存器 STM32F10x 闪存编程页 18/23

19 3.7 选择字节寄存器 (FLASH_OBR) 地址偏移 :0x1Ch 复位值 :0xFFFF FFFFh 未使用 nrst_ STDBY nrst_ STOP WDG_SW RDPRT OPTERR r r r r r r r r r r 位 31~10 必须保持为清除状态 0 位 9~2 位 1 位 0 USER: 用户选择字节这里包含 OBL 加载的用户选择字节位 [9:5]: 未用位 4:nRST_STDBY 位 3:nRST_STOP 位 2:WDG_SW RDPRT: 读保护当设置为 1, 表示闪存存储器被写保护注 : 该位为只读 OPTERR: 选择字节错误当该位为 1 时表示选择字节和它的反码不匹配注意 : 这位为只读 STM32F10x 闪存编程页 19/23

20 3.8 写保护寄存器 (FLASH_WRPR) 地址偏移 :0x20h 复位值 :0xFFFF FFFFh WRP[31:16] r r r r r r r r r r r r r r r r WRP[15:0] r r r r r r r r r r r r r r r r 位 31~0 WRP: 写保护该寄存器包含由 OBL 加载的写保护选择字节 0: 写保护生效 1: 写保护失效注意 : 这些位为只读 STM32F10x 闪存编程页 20/23

21 3.9 闪存寄存器映像表八闪存接口寄存器映像和复位值偏移寄存器 h FLASH_ACR PRFTBS PRFTBE HLFCYA LATENCY [2:0] 复位值 h 008h 00Ch 010h 014h 018h FLASH_KEYR 复位值 x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x FLASH_OPTKEYR 复位值 x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x FLASH_SR EOP WRPRTER PGERR ERLYBSY BSY 复位值 FLASH_CR EOPIE ERRIE OPTWRE LOCK STRT OPTER OPTPG MER PER PG 复位值 FLASH_AR FKEYR[31:0] OPTKEYR[31:0] FAR[31:0] 复位值 Ch FLASH_OBR 不使用 OPTERR nrst_stdb nrst_stop WDG_SW RDPRT OPTERR 复位值 h FLASH_WRPR [31:0] 复位值 STM32F10x 闪存编程页 21/23

22 4 版本历史本译文仅供参考, 如有翻译错误, 请以英文原稿为准表九文档版本历史日期版本改变 2007 年 3 月 22 日 0.1 最初版本 2007 年 6 月 1 日 1 少量内容修改修改 STRT 位的定义,3.5 节 : 闪存控制寄存器 (FLASH_CR) 修改了节中关于数据编程的描述文字修改了 3.1 节中有关 Latency 位的描述修改了有关 ICP 的定义在调试接口定义中,JTAG 之外增加了 SWD 3.7 节中修改了 OBR 的复位值 STM32F10x 闪存编程页 22/23

23 请仔细阅读下述内容 Please Read Carefully: Information in this document is provided solely in connection with ST products. STMicroelectronics NV and its subsidiaries ( ST ) reserve the right to make changes, corrections, modifications or improvements, to this document, and the products and services described herein at any time, without notice. All ST products are sold pursuant to ST s terms and conditions of sale. Purchasers are solely responsible for the choice, selection and use of the ST products and services described herein, and ST assumes no liability whatsoever relating to the choice, selection or use of the ST products and services described herein. No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted under this document. If any part of this document refers to any third party products or services it shall not be deemed a license grant by ST for the use of such third party products or services, or any intellectual property contained therein or considered as a warranty covering the use in any manner whatsoever of such third party products or services or any intellectual property contained therein. UNLESS OTHERWISE SET FORTH IN ST S TERMS AND CONDITIONS OF SALE ST DISCLAIMS ANY EXPRESS OR IMPLIED WARRANTY WITH RESPECT TO THE USE AND/OR SALE OF ST PRODUCTS INCLUDING WITHOUT LIMITATION IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY, FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION), OR INFRINGEMENT OF ANY PATENT, COPYRIGHT OR OTHER INTELLECTUAL PROPERTY RIGHT. UNLESS EXPRESSLY APPROVED IN WRITING BY AN AUTHORIZED ST REPRESENTATIVE, ST PRODUCTS ARE NOT RECOMMENDED, AUTHORIZED OR WARRANTED FOR USE IN MILITARY, AIR CRAFT, SPACE, LIFE SAVING, OR LIFE SUSTAINING APPLICATIONS, NOR IN PRODUCTS OR SYSTEMS WHERE FAILURE OR MALFUNCTION MAY RESULT IN PERSONAL INJURY, DEATH, OR SEVERE PROPERTY OR ENVIRONMENTAL DAMAGE. ST PRODUCTS WHICH ARE NOT SPECIFIED AS "AUTOMOTIVE GRADE" MAY ONLY BE USED IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS AT USER S OWN RISK. Resale of ST products with provisions different from the statements and/or technical features set forth in this document shall immediately void any warranty granted by ST for the ST product or service described herein and shall not create or extend in any manner whatsoever, any liability of ST. ST and the ST logo are trademarks or registered trademarks of ST in various countries. Information in this document supersedes and replaces all information previously supplied. The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics. All other names are the property of their respective owners STMicroelectronics - All rights reserved STMicroelectronics group of companies Australia - Belgium - Brazil - Canada - China - Czech Republic - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States of America STM32F10x 闪存编程页 23/23

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Microsoft Word - Atmel-45136A-Pick-Best-Microcontroller-Strom-Eiland-Flodell_Article_CS 如何为您的下一款设计选出最好的 8 位或 32 位微控制器作者 : Atmel 产品营销高级总监 Oyvind Strom Atmel 产品营销总监 Andreas Eieland Atmel 研发工具部门高级产品营销经理 Henrik Flodell 不久之前, 嵌入式系统还是既昂贵