数据表 / Datasheet FF11MR12W1M1_B11

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1 EasyDUAL 模块 采用 CoolSiC TrenchMOSFET 带有 pressfit 压接管脚和温度检测 NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC TrenchMOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A 潜在应用 PotentialApplicatio DC/DC 变换器 DC/DCconverter UPS 系统 UPSsystems 太阳能应用 Solarapplicatio 高频开关应用 HighFrequencySwitchingapplication 电气特性 ElectricalFeatures 低开关损耗 Lowswitchinglosses 低电感设计 Lowinductivedesign 高电流密度 Highcurrentdeity 机械特性 MechanicalFeatures PressFIT 压接技术 PressFITcontacttechnology 集成 NTC 温度传感器 IntegratedNTCtemperatureseor 集成的安装夹使安装坚固 Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.2

2 MOSFET/MOSFET 最大额定值 /MaximumRatedValues 漏源极电压 Drain-sourcevoltage 直流漏极电流 DCdraincurrent 脉冲漏极电流 Pulseddraincurrent 栅源峰值电压 Gate-sourcevoltage VDSS 1200 V Tvj = 175 C, VGS = 15 V TH = 35 C ID nom 100 A 经设计验证,tp 由 Tvjmax 限定 verifiedbydesign,tplimitedbytvjmax ID pulse 200 A VGSS -10 / 20 V 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 漏源通态电阻 Drain-sourceonresistance ID = 100 A VGS = 15 V RDS on 11,3 14,8 16,5 栅极阈值电压 Gatethresholdvoltage 总的栅极电荷 Totalgatecharge 内部栅极电阻 Internalgateresistor 输入电容 Inputcapacitance 输出电容 Outputcapacitance 反向传输电容 Reversetrafercapacitance ID=40,0mA,VDS=VGS,Tvj=25 C (testedafter1mspulseatvgs=+20v) mω VGS(th) 3,45 4,50 5,55 V, VDS = 800 V QG 0,248 µc RGint 1,0 Ω f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv f = 1 MHz, VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mv COSSstoredenergy VDS = 800 V, 零栅电压漏极电流 Zerogatevoltagedraincurrent 栅极漏电流 Gate-sourceleakagecurrent 开通延迟时间 ( 电感负载 ) Turnondelaytime,inductiveload 上升时间 ( 电感负载 ) Risetime,inductiveload 关断延迟时间 ( 电感负载 ) Turnoffdelaytime,inductiveload 下降时间 ( 电感负载 ) Falltime,inductiveload 开通损耗 ( 每脉冲 ) Turn-onenergylossperpulse 关断损耗 ( 每脉冲 ) Turn-offenergylossperpulse 短路数据 SCdata 结 - 散热器热阻 Thermalresistance,junctiontoheatsink 在开关状态下温度 Temperatureunderswitchingconditio Ciss 7,36 nf Coss 0,44 nf Crss 0,056 nf Eoss 176 µj VDS = 1200 V, VGS = -5 V IDSS 0, µa VDS = 0 V RGon = 3,90 Ω RGon = 3,90 Ω RGoff = 3,90 Ω RGoff = 3,90 Ω, Lσ = 35 nh di/dt = 5,20 ka/µs (), RGon = 3,90 Ω, Lσ = 35 nh du/dt = 23,0 kv/µs (), RGoff = 3,90 Ω, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS di/dt RG = 10,0 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V tp 2 µs, tp 2 µs, IGSS td on tr td off tf Eon Eoff ISC 25,1 21,6 21,5 16,4 16,4 16,4 64,3 68,2 68,2 28,0 31,0 31,0 1,40 1,45 1,49 0,647 0,665 0, 每个 MOSFET/perMOSFET RthJH 0,553 K/W 400 na mj mj A A Tvj op C Bodydiode 最大额定值 /MaximumRatedValues DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175 C, VGS = -5 V TH = 35 C ISD 32 A 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 正向电压 ISD = 100 A, VGS = -5 V 4,60 5,65 Forwardvoltage ISD = 100 A, VGS = -5 V ISD = 100 A, VGS = -5 V VSD 4,35 4,30 V Datasheet 2 V2.2

3 负温度系数热敏电阻 /NTC-Thermistor 特征值 /CharacteristicValues min. typ. max. 额定电阻值 Ratedresistance R100 偏差 DeviationofR100 耗散功率 Powerdissipation B- 值 B-value B- 值 B-value B- 值 B-value 根据应用手册标定 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = 25 C R25 5,00 kω TNTC = 100 C, R100 = 493 Ω R/R -5 5 % TNTC = 25 C P25 20,0 mw R2 = R25 exp [B25/50(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/80(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/100(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K 模块 /Module 绝缘测试电压 Isolationtestvoltage 内部绝缘 Internalisolation 爬电距离 Creepagedistance 电气间隙 Clearance 相对电痕指数 Comperativetrackingindex 杂散电感, 模块 Strayinductancemodule 储存温度 Storagetemperature Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp 重量 Weight RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,0 kv 基本绝缘 (class1,iec61140) basiciulation(class1,iec61140) 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal 端子至散热器 /terminaltoheatsink 端子至端子 /terminaltoterminal Al2O3 11,5 6,3 10,0 5,0 CTI > 200 min. typ. max. mm mm LsCE 9,0 nh Tstg C F N G 24 g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN must be coidered to eure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.2

4 反偏安全工作区 MOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareamosfet(rbsoa) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150 C,RG=3,9Ω 瞬态热阻抗 MOSFET traientthermalimpedancemosfet ZthJH=f(t) 240 ID, Modul ID, Chip 1 Zth: MOSFET ZthJH [K/W] 0, i: ri[k/w]: τi[s]: 1 0,0383 0, ,107 0, ,363 0, ,0447 1, VDS [V] 0,01 0,001 0,01 0, t [s] 输出特性 MOSFET( 典型 ) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 传输特性 MOSFET( 典型 ) trafercharacteristicmosfet(typical) ID=f(VGS) VDS=20V Tvj = 25 C Tvj = 125 C Tvj = 150 C ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VDS [V] VGS [V] Datasheet 4 V2.2

5 开关损耗 MOSFET( 典型 ) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VDS=600V 开关损耗 MOSFET( 典型 ) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=100A,VDS=600V 3,0 Eon, Eoff, ; Eoff, Eon, 15,0 13,5 Eon, Eoff, ; Eoff, Eon, 2,5 12,0 2,0 10,5 9,0 E [mj] 1,5 E [mj] 7,5 6,0 1,0 4,5 0,5 3,0 1,5 0, , RG [Ω] 负温度系数热敏电阻 温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TNTC [ C] Datasheet 5 V2.2

6 接线图 /Circuitdiagram 封装尺寸 /Packageoutlines Infineon Datasheet 6 V2.2

7 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? 重要提示 本文档所提供的任何信息绝不应当被视为针对任何条件或者品质而做出的保证 ( 质量保证 ) 英飞凌对于本文档中所提及的任何事例 提示或者任何特定数值及 / 或任何关于产品应用方面的信息均在此明确声明其不承担任何保证或者责任, 包括但不限于其不侵犯任何第三方知识产权的保证均在此排除 此外, 本文档所提供的任何信息均取决于客户履行本文档所载明的义务和客户遵守适用于客户产品以及与客户对于英飞凌产品的应用所相关的任何法律要求 规范和标准 本文档所含的数据仅供经过专业技术培训的人员使用 客户自身的技术部门有义务对于产品是否适宜于其预期的应用和针对该等应用而言本文档中所提供的信息是否充分自行予以评估 如需产品 技术 交付条款和条件以及价格等进一步信息, 请向离您最近的英飞凌科技办公室接洽 ( 警告事项 由于技术所需产品可能含有危险物质 如需了解该等物质的类型, 请向离您最近的英飞凌科技办公室接洽 除非由经英飞凌科技授权代表签署的书面文件中做出另行明确批准的情况外, 英飞凌科技的产品不应当被用于任何一项一旦产品失效或者产品使用的后果可被合理地预料到可能导致人身伤害的任何应用领域 IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditioorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligatiostatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplicatio. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistherespoibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditioandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicatiowhereafailureoftheproductoranycoequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.

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